silicon-on-insulatorとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING SILICON-ON-INSULATOR (SOI) DEVICE例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）デバイスの製作法 - 特許庁

EDGE REMOVAL OF SILICON-ON-INSULATOR TRANSFER WAFER例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハのエッジ除去 - 特許庁

SILICON-ON-INSULATOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ半導体回路 - 特許庁

The second silicon-containing gate insulator 122 is formed on the first gate insulator 110.例文帳に追加

シリコン含有第２ゲート絶縁膜１２２は、第１ゲート絶縁膜１１０上に形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SWITCH ON SILICON SUBSTRATE ON INSULATOR例文帳に追加

絶縁体上シリコンの基板上に光スイッチを製造する方法 - 特許庁

STRUCTURE OF OPTICAL SWITCH ON SUBSTRATE OF SILICON ON INSULATOR例文帳に追加

絶縁体上シリコンの基板上の光スイッチの構造体 - 特許庁

A MOSFET is manufactured as an SOI(silicon on insulator) having the intermediate layer of oxide and a comparatively thin active layer overlapped on the layer of a substrate.例文帳に追加

MOSFETを、酸化物の中間層及び基板の層上に重なる比較的薄い活性層を有するSOI（silicon on insulator）素子として製造する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an LDMOSFET (lateral double-diffused MOSFET) 3a is formed on an SOI (silicon-on-insulator) substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板２にＬＤＭＯＳＦＥＴ（Lateral DoubleDiffused MOSFET：横型２重拡散ＭＯＳＦＥＴ）３ａが形成されている。 - 特許庁