strained quantum well semiconductor laserとは 意味・読み方・使い方

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, an InGaAsP strained multiple quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁