例文 (4件) |
"根二乗平均"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
ウェーハのGa側における10×10μm^2面積内で1nm未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Al_xGa_yIn_zN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加
A high quality wafer comprises Al_xGa_yIn_zN (wherein 0<y≤1 and x+y+z=1) and is characterized by a root mean square surface roughness of less than 1 nm in a 10×10 μm^2 area at its Ga-side. - 特許庁
ウェーハのGa側における10×10μm^2面積内で1nm未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Al_xGa_yIn_zN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加
A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side. - 特許庁
ウェーハのGa側における10×10μm^2面積内で1nm未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Al_xGa_yIn_zN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加
A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer. - 特許庁
光誘導親水性被覆は50Å〜500Åの厚さ、5未満、好ましくは2未満の根二乗平均粗さ、及び3.0×10^−3cm^−1分^−1±2.0×10^−3cm^−1分^−1より小さな光触媒活性度を有することができる。例文帳に追加
The photo-induced hydrophilic coating can have a thickness of 50-500 Å, a root mean square roughness of <5, preferably <2, and a photocatalytic activity of less than 3.0×10^-3 cm^-1min^-1 ± 2.0×10^-3 cm^-1min^-1. - 特許庁
例文 (4件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |