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テルル化ベリリウムの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
この電子障壁層16を、II族元素のうち少なくともベリリウム(Be)と、VI族元素のうち少なくともテルル(Te)とを含むII−VI族化合物半導体、具体的には、ベリリウムテルル(BeTe)またはBeZnTeにより構成する。例文帳に追加
This electron barrier layer 16 is composed of group II-VI compound semiconductor including at least beryllium (Be) among group II elements and including at least tellurium (Te) among group VI elements, more specifically, beryllium tellurium (BeTe) or BeZnTe. - 特許庁
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