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上半連続分割の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
半導体基板1には、縦方向および横方向に桝目状に、ダイアフラム構造を有する複数の半導体デバイス2が形成され、各半導体デバイス2を個々に分割する直交する分割ライン4のうち、一方の平行する分割ライン4上のみに連続して、異方性エッチングによりV溝3が形成されている。例文帳に追加
A semiconductor substrate 1 is formed with a plurality of semiconductor devices 2 having the diaphragm structure in a matrix in an array of rows and columns; and among orthogonal division lines 4 which individually divide the respective semiconductor devices 2, only row or column parallel division lines 4 are formed with continuous V shaped grooves 3 by anisotropic etching. - 特許庁
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