セーフサーチ：オン
| 例文 (1件) |
拡散接合形半導体検出器の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。例文帳に追加
In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons. - 特許庁
| 例文 (1件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
こんにちは ゲスト さん
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
こんにちは ゲスト さん
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
