セーフサーチ：オン
| 例文 (1件) |
浅成過程の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
高電圧が印加される接合構造を形成する過程で格子欠陥が発生することを最小化し、ブレークダウン電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）及び面抵抗の低い接合構造を浅く形成することが可能な半導体素子の高電圧接合領域方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method of forming a high-voltage junction for a semiconductor device, capable of forming a junction structure of a high breakdown voltage and low surface resistance in a shallow position by minimizing the occurrence of lattice defects in a process of forming a junction to which a high voltage is applied. - 特許庁
| 例文 (1件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
こんにちは ゲスト さん
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
こんにちは ゲスト さん
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
