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理想磁化曲線の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
理想的なアステロイド曲線（破線）を有するＴＭＲ素子に対して、困難軸方向の磁界Ｈ１と容易軸方向の磁界Ｈ２とを同時に作用させることにより、ＴＭＲ素子の記憶層の磁化方向を反転させることができるものとする。例文帳に追加
A magnetic field H1 in the direction of a hard axis and a magnetic field H2 in the direction of an easy axis are simultaneously acted on a TMR (Tunneling Magneto-Resistive) element 1 having an ideal asteroid curve (broken line), by which the magnetization direction of the memory layer of the TMR element 1 can be inverted. - 特許庁
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