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4ADを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
A first impurity region 4ad acting line a source region and a second impurity region 4ae acting like a drain region are formed through ion implantation by using a resist pattern for forming a gate electrode of a transistor as a mask, and the gate electrode 9 including lower electrodes 6a, 8a and an upper electrode 7a is formed by using the resist pattern for a mask.例文帳に追加
トランジスタのゲート電極を形成するためのレジストパターンをマスクとしてイオン注入によりソース領域となる第1不純物領域4adとドレイン領域となる第2不純物領域4aeが形成され、そのレジストパターンをマスクとして下部電極6a,8aと上部電極7aを有するゲート電極9が形成される。 - 特許庁
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