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ALXを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
The borides expressed by AlX _1M_y _1BZ _12 are mutually joined via the above bonding phase in the structure of the sintered compact.例文帳に追加
Al_X_≦1M_y≦1B_Z≧12で表される硼化物は焼結体組織中で前記結合相を介して相互に接合されている。 - 特許庁
In the structure of the sintered compact, particles of the boride expressed by the formula: AlX≤_1M_y≤_1BZ≥_12 are mutually bonded through the binding phase.例文帳に追加
そして、Al_X≦1M_y≦1B_Z≧12で表される硼化物が焼結体組織中で前記結合相を介して相互に接合されている。 - 特許庁
The boride sintered compact has a composition consisting of 50 to 75 vol.% borides expressed by AlX _1M_y _1BZ _12, and the balance bonding phase with inevitable impurities.例文帳に追加
この硼化物焼結体は、組成がAl_X_≦1M_y≦1B_Z≧12で表される硼化物が50〜75体積%と残部が結合相と不可避不純物とからなる。 - 特許庁
The boride sintered compact is composed of 50 to 75 vol.% boride expressed by the compositional formula: AlX≤_1M_y≤_1BZ≥_12 and the remainder being a binding phase and unavoidable impurities.例文帳に追加
前記硼化物焼結体は、組成がAl_X_≦1M_y≦1B_Z≧12で表される硼化物が50〜75体積%と残部が結合相と不可避的不純物とからなる。 - 特許庁
This ferroelectric thin film element composed of an Si substrate, a conductive thin film having NaCl crystalline structured on the Si substrate and a conductive thin film containing ferroelectric thin film made of an oxide formed on the conductive thin film element while the conductive thin film contains a layer represented by a composition formula of Ti1-x Alx N (wherein 0<x≤0.4)例文帳に追加
本願発明の強誘電体薄膜素子は、Si基板と、Si基板上にエピタキシャル成長させたNaCl結晶構造を有する導電性薄膜と、導電性薄膜上に形成された酸化物の強誘電体薄膜とを含む強誘電体薄膜素子であって、導電性薄膜は、組成式Ti_1-x Al_x N(ただし、0<x≦0.4)で表される層を含む。 - 特許庁
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