Arcsecを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
Further, the base layer 14a is a group III nitride compound semiconductor having ≤100 arcsec rocking curve half-value width on a (0002) plane and ≤250 arcsec rocking curve half-value width on a (10-10) plane.例文帳に追加
さらに、下地層14aは、(0002)面のロッキングカーブ半値幅が100arcsec以下であり(10−10)面のロッキングカーブ半値幅が250arcsec以下であるIII族窒化物化合物半導体である。 - 特許庁
The highly oriented aluminum nitride polycrystalline film 1 produced by the above method includes an aggregate of c-axis oriented aluminum nitride single crystals 2, and the highly oriented aluminum nitride polycrystalline film has a tilt angle of 30 to 1,300 arcsec and a twist angle of 80 to 4,000 arcsec.例文帳に追加
前記方法により製造される高配向窒化アルミニウム多結晶膜1は、c軸配向した窒化アルミニウム単結晶2の集合体からなり、該高配向窒化アルミニウム多結晶膜のチルト角が30〜1,300arcsec、ツイスト角が80〜4,000arcsecとなる。 - 特許庁
The half width of an X-ray locking curve on a (0002) face and that on a (10-12) face of the first AlGaN layer 13 are respectively less than 1,000 [arcsec].例文帳に追加
第1のAlGaN層13の(0002)面及び(10−12)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は、1000[arcsec]未満である。 - 特許庁
The half-value width of the X-ray rocking curve of the first AlGaN layer 13 on the (0002) plane and the (10-12) plane is less than 1000 [arcsec].例文帳に追加
第1のAlGaN層13の(0002)面及び(10−12)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は、1000[arcsec]未満である。 - 特許庁
The group III nitride compound semiconductor light-emitting element comprises a substrate 11, an interlayer 12 provided on the substrate 11, and a base layer 14a provided on the interlayer 12 where the rocking curve half peak width of (0002) plane is 100 arcsec or smaller and the rocking curve half peak width of (10-10) plane is 300 arcsec or smaller.例文帳に追加
基板11と、基板11上に設けられた中間層12と、中間層12上に設けられ、(0002)面のロッキングカーブ半価幅が100arcsec以下であり、かつ(10‐10)面のロッキングカーブ半価幅が300arcsec以下である下地層14aとを備えてなるIII族窒化物化合物半導体素子とする。 - 特許庁
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