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B.Vを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
To provide a capacitor manufacturing method for a semiconductor element wherein a surface doping concentration of HSG(Hemispherical Grain) is maximized to improve all of the capacitance characteristics of a DRAM element and B.V (break down voltage) characteristics.例文帳に追加
ＨＳＧ(Hemispherical Grain)の表面ドピング濃度を極大化してＤＲＡＭ素子のキャパシタンス特性とＢ・Ｖ(break down voltage)特性の全てを向上させることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁
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