意味 | 例文 (1件) |
Direct bandgapの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The method and the system according to an embodiment of the invention may be used to form direct bandgap semiconducting binary compound epitaxial thin films, such as, for example, GaN, InN and AlN, and mixed alloys of these compounds, e.g., (In, Ga)N, (Al, Ga)N, (In, Ga, Al)N.例文帳に追加
本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、GaN、InNおよびAlN、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、(In, Ga)N、(Al, Ga)N、(In, Ga, Al)Nのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。 - 特許庁
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