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Flow-based programmingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The semiconductor device includes: a semiconductor substrate with a source region and a drain region formed thereon; a floating gate formed between the source region and the drain region to form a channel based on a programming and an erasing conditions and to control a current flow between the source region and the drain region; and a tunnelling gate to determine the programming and the erasing conditions in the floating gate based on an applied voltage.例文帳に追加
半導体素子は、ソース領域とドレイン領域が形成された半導体基板と、上記ソース領域とドレイン領域との間に形成されてプログラム及び消去状態によってチャネルを形成し、上記ソース領域とドレイン領域との間の電流の流れを制御するフローティングゲートと、印加される電圧によって上記フローティングゲートのプログラム及び消去状態を決定するトンネリングゲートとを含んで構成される。 - 特許庁
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