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VT fuseの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
To improve the reliability and robustness against characteristic degradation factors such as Vt variations and disturbing noises in the built-in MOS transistors in a semiconductor memory device which compares and reads the resistances of an electric fuse which is a 1st resistor element before and after it is blown out and the resistance of the reference resistor which is a 2nd resistor element.例文帳に追加
第1の抵抗素子である電気ヒューズが溶断する前後の抵抗と第2の抵抗素子であるリファレンス抵抗の抵抗との比較読み出しを行う半導体記憶装置において、内蔵するMOSトランジスタのVtバラツキや外乱ノイズ等の特性劣化要因に対する耐性の向上および信頼性の向上を図ること。 - 特許庁
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