セーフサーチ：オン
| 例文 |
cmos implementationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
In a representative complementary metal oxide semiconductor (CMOS) implementation, the gate of the N-channel output transistor in the final inverter stage may be driven below VSS in Sleep Mode while, alternatively, the corresponding P-channel transistor can be driven above VCC.例文帳に追加
代表的な相補金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）実現例では、最終インバータ段のＮチャネル出力トランジスタのゲートは、スリープモードではＶＳＳよりも下で駆動され得、これに代えて、対応のＰチャネルトランジスタはＶＣＣよりも上で駆動され得る。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
こんにちは ゲスト さん
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
こんにちは ゲスト さん
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
