例文 (3件) |
gate decision elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
THRESHOLD DERIVING METHOD FOR ABNORMALITY DECISION OF GATE INSULATING FILM AND INSPECTING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE THRESHOLD例文帳に追加
ゲート絶縁膜の異常判定用の閾値導出方法と、その閾値を用いた半導体素子の検査方法 - 特許庁
Furthermore, an on pulse holding command circuit 11 holds on state of the output from the drive circuit 21 when a gate voltage judging comparator 16 for detecting the gate terminal voltage of the switching element 23 makes a decision that the gate terminal voltage has exceeded a specified level.例文帳に追加
さらに、オンパルス保持指令回路11は、スイッチング素子23のゲート端子電圧を検出するゲート電圧判定用比較器16によりゲート端子電圧が所定の値を超えた場合に、駆動回路21の出力をオン状態を保持する。 - 特許庁
When a storage element of the memory cell array 7 is deteriorated and a threshold value of gate voltage is reduced, data cannot be read out correctly by the determine- verify voltage, the comparison result in the decision circuit 6 is noncoincidence.例文帳に追加
メモリセルアレイ7の記憶素子が劣化し、ゲート電圧の閾値が低下している場合にはディターミンベリファイ電圧では正しくデータを読み出すことができず、判定回路6における比較結果は不一致となる。 - 特許庁
例文 (3件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
![]() ログイン |
Weblio会員(無料)になると
![]() |
![]() ログイン |
Weblio会員(無料)になると
![]() |