例文 (2件) |
grown-diffused transistorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
In this case, the source and drain diffused layer, 42 and 43, of the peripheral transistor CT are grown sufficiently long to overlap with the gate electrode 41.例文帳に追加
この場合、周辺トランジスタCTのソース・ドレイン拡散層42,43はゲート電極部41とオーバラップするほどに十分に成長する。 - 特許庁
The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加
P型の半導体基板1上にN型のエピタキシャル成長層2が設けられ、FET形成部を電気的に独立させるため、FET形成部周囲のエピタキシャル成長層2にP^+型の分離拡散層4が設けられ、そのエピタキシャル成長層2の表面側にP^++型のゲート拡散層5が設けられている。 - 特許庁
例文 (2件) |
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