例文 (2件) |
grown-junction diodeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured.例文帳に追加
触媒物質を添加して細線部1内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部1内にp−n接合やp−i−n接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部1をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁
Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加
具体的には、n型導電性SiC基板402の表面上にn^+型AlGaNバッファ層404と、n^+型AlGaN層406と、n型AlGaN層408と、p型InGaN層410とを順次成長してpn接合ダイオードを作製する。 - 特許庁
例文 (2件) |
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