| 例文 |
mask programmable ROMの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加
プログラム可能な素子の各々はマスクROM装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタD100,D101で構成され、空乏型トランジスタはマスクROM装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第1プログラム状態又は非導通状態の第2プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|