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pr impurityの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
The distance from the primary surface to the bottom of a p-type impurity region PR of an I/O p-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the p-type impurity region PR of a core p-type transistor.例文帳に追加
主表面からI/Op型トランジスタのp型不純物領域PRの最下部までの距離は、主表面からコアp型トランジスタのp型不純物領域の最下部までの距離より長い。 - 特許庁
The boundary between the n-type well region NWR and the p-type well region PLD is arranged at a position closer to the first p-type impurity region PR than an end part of the gate electrode GE on the side close to the first p-type impurity region PR.例文帳に追加
上記n型ウェル領域NWRとp型ウェル領域PLDとの境界部は、ゲート電極GEの、第1のp型不純物領域PRに近い側の端部よりも、第1のp型不純物領域PRに近い位置に配置される。 - 特許庁
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