例文 (2件) |
random-access programmingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
To provide an apparatus and a programming method for a non-volatile memory cell of a multi-bit magnetic random access memory cell.例文帳に追加
マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルの不揮発性メモリセルのための装置およびプログラム方法を提供する。 - 特許庁
In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加
本発明のMRAM構造では、ワード線またはゲート線(WL)がプログラミング線(PRL)と低オーム結合されており、選択トランジスタ(T)のソース(S)を、ゲート(G)またはプログラミング線(PRL)と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁
例文 (2件) |
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