「self-capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress an off-state current and also to eliminate reduction in on current, to form lightly doped regions (LDD regions) and a gate electrode in a self-alignment manner to lessen the parasitic capacitance between the LDD regions and the gate electrode and to make it possible to lessen the area occupied by a thin film transistor.例文帳に追加

ＯＦＦ電流を抑えるとともにＯＮ電流の減少がなく、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）とゲート電極を自己整合的に形成して寄生容量を小さくし、占有面積を小さくすることができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いたＣ−ＭＯＳインバータ回路、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By adjusting the bias across the junctions, the capacitance across the junctions can be reduced, the capacitive coupling can be reduced from the RF circuits (310) to the substrate (316), the self-resonance frequency of inductors can be improved, and the coupling of spurious signals and noise can be reduced from the underlying substrate to the active circuits and passive components such as the capacitors and inductors.例文帳に追加

これらの接合部に加わるバイアスを調整することによって、接合部にかかる容量を減少させて、ＲＦ回路３１０から基板３１６への容量性の結合またはカプリングを減らし、インダクタの自己共振周波数を向上させ、下側の基板から能動回路素子及びコンデンサやインダクタなどの受動素子への不要な信号とノイズのカプリングとを小さくすることができる。 - 特許庁

The acceleration sensor includes a pair of stationary electrodes 11, 12 separated within a frame electrode 15, a movable electrode 13 capable of being displaced according to acceleration across the pair of stationary electrodes and having a mass body 13A capable of varying electrostatic capacitance with each of the stationary electrodes, and a self-diagnosis electrode 14 disposed opposite the mass body and fixed to the frame electrode.例文帳に追加

枠電極１５内に離隔して設けられた一対の固定電極１１、１２と、上記一対の固定電極間で加速度に応じて変位し得るようにされ、上記各固定電極との間の静電容量を変化させる質量体１３Ａを有する可動電極１３と、上記質量体に対向して配設され上記枠電極に固定された自己診断用電極１４とを備えた構成とする。 - 特許庁

By adjusting the bias across the junctions, the capacitance (67a and 67b) across the junctions can be reduced, reducing the capacitive coupling from the RF circuits to the substrate (42), improving the self-resonance frequency of inductors (48, 50) and reducing the coupling of unwanted signals and noise from the underlying substrate to the active elements and passive elements such as the capacitors and inductors.例文帳に追加

これらの接合部に加わるバイアスを調整することによって、これらの接合部に加わる容量（６７ａ及び６７ｂ）を減少させることができ、これにより、ＲＦ回路から基板（４２）への容量性結合を減らし、インダクタ（４８，５０）の自己共振周波数を向上させ、また下側の基板から能動素子及びコンデンサやインダクタなどの受動素子への不要な信号やノイズの結合を減少させる。 - 特許庁