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self-lappingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
A light emitting device is obtained by fabricating a device structure on the composite self-standing substrate 10 and removing the GaN layer 11 by back lapping from back face of the GaN layer 11 until reaching the AlN layer 12.例文帳に追加
発光デバイスは、この複合自立基板１０上にデバイス構造を形成した後、バックラップによりＧａＮ層１１の裏面からＡｌＮ層１２に到達するまでＧａＮ層１１を除去することにより形成する。 - 特許庁
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