例文 (2件) |
vapor‐liquid‐solid phase growthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method.例文帳に追加
気相−液相−固相(Vapor-Liquid-Solid: VLS )成長法により、Siと Geの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりSiO_2 膜で被覆されたGeナノ細線 を作製する。 - 特許庁
Otherwise, a nanowire having periodically arranged nanodisks or nanodots made of a mixture crystal of Si and Ge is produced by preparing a superlattice nanowire made of an Si crystal and a mixture crystal of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase growth method and controlling the size in a nanometer (nm) scale by using an oxidation concentration method.例文帳に追加
また、気相- 液相- 固相成長法により、Si結晶およびSiとGeの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル(nm)スケールでサイズ制御された、SiとGeの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 - 特許庁
例文 (2件) |
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