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xp-19の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
Then an SiO2 film 21 is formed on the cap layer 20 and the film 21 in a stripe area having a width of about 1-3 μm is removed.例文帳に追加
この上にSiO_2膜21を形成し、1〜3μm程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜21を除去し、これをマスクとして、In_xGa_1-xP電流狭窄層19、p-In_xGa_1-xP層18をエッチングする。 - 特許庁
Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加
SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁
There are provided X electrodes XP and Y electrodes YP crossing through a first insulating layer 16, and Z electrodes ZP mutually floating through a second insulating layer 19.例文帳に追加
第1の絶縁層16を介して交差するX電極XPとY電極YPと、第2の絶縁層19を介して互いにフローティングであるZ電極ZPとを設ける。 - 特許庁
| 例文 |
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