「マージン」を含む例文一覧(2469)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 49 50 次へ＞- 電圧マージンに有利でかつ低消費電力で動作することが可能なカスコード・カレントミラー回路を得ること。
To obtain a cascode current mirror circuit that is advantageous for its voltage margin and can be operated at low power consumption. - 特許庁 - 金属スペーサを用いて金属配線の特性向上及びオーバラップマージンを改善できる多層金属配線の形成方法を提供する。
To provide a method for forming a multilayer metal wiring which can improve properties and overlap margin of the metal wiring by using a metal spacer. - 特許庁 - 多様な度合いのＳＥＲ感度を達成するために、感知装置には、プログラム可能感知マージン、リフレッシュ率及び供給電圧が与えられる。
The sensing apparatus is provided with a programmable sensing margin, a refresh rate, and a supply voltage for attaining various degrees of SER sensitivity. - 特許庁 - Ｌｏｏｐｂａｃｋテストの際に電圧振幅マージン不足の半導体装置が次工程へと流出するのを防止する。
To prevent semiconductor devices with an insufficient voltage amplitude margin from being fed to the next process when performing a loopback test. - 特許庁 - 分周比切替え動作の誤動作に対するマージン時間を十分に確保し得るプリスケーラを提供する。
To provide a prescaler that can sufficiently ensure the margin time of a frequency division ratio switching operation against malfunction. - 特許庁 - 強誘電体キャパシタを有する半導体装置に関し、キャパシタの隣に形成されるコンタクトホールの位置合わせマージンを小さくすること。
To make an alignment margin of a contact hole formed adjacently to a capacitor small, in a semiconductor device having the ferroelectric capacitor. - 特許庁 - データストローブ信号の制御で取り込んだ入力データ信号をクロック信号制御に変換する際のラッチマージンを確保する。
To secure a latch margin, when an input data signal inputted under the control of a data strobe signal is converted to clock signal control. - 特許庁 - 信号レベルを大きくシフトさせることができ、かつ、広いプロセスマージンを有するレベルシフタを提供する。
To obtain a level shifter capable of greatly shifting a signal level and having a wide margin. - 特許庁 - 駆動マージンを大きくして、コントラストを向上させることができるプラズマディスプレイパネルの駆動方法及び駆動装置を提供する。
To provide a method and apparatus for driving a plasma display panel (PDP) for widening a driving margin and improving contrast. - 特許庁 - ＦＣループの動作マージンの実行することによって、デバイスの所定レベル以上の機能を保証し、信頼性を確保することができる。
By executing the operation margin of an FC loop, the function of a prescribed level or more of the device can be ensured to ensure the reliability. - 特許庁 - 下部電極を構成するシリコン膜の表面にシリコン結晶粒を成長させる熱処理の温度及び時間のマージンを拡大する。
To enlarge temperature and time margins for heat treatment, which is performed for growing silicon crystal grains on the surface of a silicon film constituting a lower electrode. - 特許庁 - デバイス特性を低下させることなく製造マージンを大きくすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
To provide a semiconductor apparatus and a method of manufacturing the same, capable of enlarging the manufacture margin, without causing reduction in the device characteristics. - 特許庁 - スタティック型メモリセルを有する半導体装置において、ＳＮＭとライトマージンの両方を同時に確保することができる技術を提供する。
To provide a technology for ensuring both an SNM and a write margin simultaneously in a semiconductor device having static memory cells. - 特許庁 - 次に、算出した開路電圧値に測定誤差を吸収するためのマージンαを加算した値と、最大開路電圧値とを比較する。
Then the value adding a margin α to imbibe a measurement error to the computed open circuit voltage value is compared with the maximum open circuit voltage value. - 特許庁 - 低エネルギーのイオンミリングはミリングレートが遅く、ミリング止め位置のマージンを狭くすることが可能になる。
The low-energy ion milling is low in milling rate and can make the margin of a milling stop position narrow. - 特許庁 - 不必要なアドレス組み合わせ信号のサンプリングを防止することができるので、タイミングマージンを確保することができる。
As sampling of unnecessary address combination signals is prevented, a timing margin is secured. - 特許庁 - スタティック型半導体メモリの動作マージン不良をメモリセル特性に応じて最適に調整する。
To optimally adjust the faulty operating margin depending on the memory cell characteristics in a static semiconductor memory. - 特許庁 - ＨＴマスクの欠陥修正において、欠陥の修正部分の加工精度許容マージンを大きくすることができるフォトマスク等を提供する。
To provide a photomask making a large processing precision tolerance margin for a correction part of defects in HT mask defect correction. - 特許庁 - 短時間で、隣接するしきい値電圧分布間のマージンを広くとる処理を行うことによりデータ保持特性を向上させる。
To enhance a data holding property by performing a process to take a large margin between distributions of contiguous threshold level voltages in short time. - 特許庁 - 薄型で低コスト、かつ光ケラレの影響を避けるためのマージンを拡大した半導体レーザパッケージの提供。
To provide a thin-type semiconductor laser package of low cost in which a margin for avoiding the effect of optical vignetting is increased. - 特許庁 - 通常動作モードに影響することなく、簡単な構成で振幅マージンテストのモードを搭載することを可能とする回路の提供。
To provide a circuit on which an amplification margin test mode can be equipped by a simple configuration without influencing a normal operation mode. - 特許庁 - ＯＰＣの補正精度の誤差を低減すると共に、短いシフタの発生を防止することができ、補正精度の高精度化とマージン向上をはかる。
To attain high precision of correction precision and margin improvement by reducing the errors of the correction precision of OPC and preventing the occurrence of a short shifter. - 特許庁 - 音声波形データにマージンエリアを加えることで規定サイズのセルデータとし、同一の大きさのセルデータをグループ毎に纏めて記憶する。
Cell data of prescribed size are generated by adding a margin area to audio waveform data and cell data of the same size are gathered and stored, group by group. - 特許庁 - 光ディスク１００は、主データのクロックウィンドウのジッタマージン代を使用して、副次データを記録する。
Secondary data are recorded on an optical disk 100 by using the jitter margin of the clock window of main data. - 特許庁 - 増加されたアラインメントマージンを有する自己整列コンタクトパッドを具備した集積回路デバイス及びその製造方法
INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROVIDED WITH SELF-ALIGNMENT CONTACT PAD HAVING INCREASED ALIGNMENT MARGIN AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁 - 初期溶出の影響を防止しつつも、イオン交換可能なマージンの部分を有効に利用し、以て設備投資およびランニングコストを減少させる。
To prevent the effect of initial elution while utilizing a margin capable of ion exchange to reduce the cost of equipment and running cost. - 特許庁 - 低い電源電圧を利用する半導体メモリ装置であっても低電源電圧マージンテストが容易な半導体メモリ装置を提供する。
To provide a semiconductor memory in which a low power supply voltage margin test is easily conducted even though the memory utilizes a low power supply voltage. - 特許庁 - ラジアルスキューマージンを確保するとともに、ピックアップのアクセスタイムを短縮することができる光ディスク装置を提供する。
To provide an optical disk device capable of securing radial skew margin and reducing access time of a pickup. - 特許庁 - 駆動回路基板面積の縮小による維持パルス波形のリンギング電圧上昇での輝度差や動作マージンの低下を抑制する。
To restrain luminance difference and lowering of operation margin due to a ringing voltage rise of sustaining pulse waveform caused by reduction of a driving circuit board area. - 特許庁 - これにより、列方向のマージン及びリングゲート１１のオーバーラップ幅だけペアトランジスタのレイアウト面積を狭めることができる。
Consequently, the layout area of the paired transistors can be narrowed only by margins in the row direction and the overlap width of the ring gates 11. - 特許庁 - これにより、位相比較のためのタイミングマージンを増大させることができ、高速ビットレートの信号の位相比較が可能になる。
Thus, a timing margin for phase comparison can be increased and phase comparison of signals with high speed bit rate is possible. - 特許庁 - 準ミリ波帯／ミリ波帯のＦＷＡシステムの降雨減衰マージンによる非効率なエリア設計を回避する。
To avoid an inefficient area design due to rainfall attenuation margin of a quasi-millimeter wave band/millimeter wave band FWA system. - 特許庁 - カスコード接続されたトランジスタを有する増幅器や定電流発生回路の電源電圧マージンを大きくする。
To make a source voltage margin of an amplifier having a transistor cascode connected or a constant current generating circuit larger. - 特許庁 - 購入された商品は、売り上げデータとして計上され、当該商品を推薦した登録者にマージンが支払われるようになっている。
The purchased commodity is booked as sales data, and a margin is paid to the registrant who recommended this commodity. - 特許庁 - また、最上流に位置する樹脂については、下流側に樹脂があるためマージンを考えることなく、有効に利用することができる。
Meanwhile, the resin at the highest stream can be utilized effectively without considering an element of margin because of the resin arranged downstream. - 特許庁 - 分周数を切り替える時の誤動作が生じる遅延時間のマージンを大きくしたプリスケーラ回路を提供する。
To provide a prescaler circuit which has enlarged margin of delay time at which a malfunction occurs, when switching the frequency dividing number. - 特許庁 - マージンは、患者の診察予定時刻からどの程度前にその患者に通報を発するかのパラメータである。
The margin is set as a parameter to indicate a timing before the examination scheduled time of the patient that the patient should be announced. - 特許庁 - ラッチプリデコード信号の伝播遅延のばらつきを小さくして内部読出タイミングに対するマージンを拡大することができる。
Propagation delay of latch predecode signals can be made smaller and the margin for the internal read timing can be enlarged. - 特許庁 - 露光条件が最適化される領域の配線と異なる方向の配線を必要とする領域の露光マージン不足を回避する。
To avoid exposure margin shortage of a region requiring a wire in the direction different from that of a wire in a region with an exposure condition optimized. - 特許庁 - メモリセルアレイの全域に亘って動作マージンが大きいメモリセルが形成された半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。
To provide a semiconductor memory device together with its manufacturing method wherein a memory cell is formed whose operation margin is large across the entire memory cell array. - 特許庁 - メモリセルからのデータの読み出しにおいて、フリンジ電流の発生を抑制し、読み出しマージンを大きくすること。
To increase readout margin by suppressing the generation of a fringe current in the readout of data from a memory cell. - 特許庁 - プログラム以後しきい値電圧間のマージンを一定に維持させる不揮発性半導体メモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。
To provide a non-volatile semiconductor memory and its programming method in which margin between threshold voltage are kept constant after programming. - 特許庁 - これにより、クロストークによる遅延変動でタイミングがクリティカルになるパスは、タイミングマージンを確保することができる。
Thus, a timing margin can be obtained in a path whose timing is made critical by the delay change caused by the crosstalk. - 特許庁 - イオン注入条件のマージンを拡大することができ、さらに、トランジスタ特性の良好な半導体装置を提供する。
To provide a semiconductor device capable of expanding a margin for an ion implantation condition and, further, excellent in transistor characteristics. - 特許庁 - また、ＳＲＡＭセルの書き込み動作マージンの評価結果を用い、書き込み可能なＳＲＡＭの最大容量を求める。
The evaluation result of the write operation margin of the SRAM cell is used to obtain the maximum capacity of a writable SRAM. - 特許庁 - 内部クロックのパルス幅を広げることで、高周波動作の際のラッチマージンを拡大することを可能とし、かつ誤動作を防止する。
To expand a latch margin in high-frequency operation by expanding the pulse width of an internal clock and to prevent malfunction. - 特許庁 - 両信号ＶＲｘ，ＣＬＫ２の一方の位相が変更されて、外部基準電圧Ｖｒｅｆの値毎にタイミングマージンがチェックされる。
One of phases of both signals VRx and CLK2 is changed to check a timing margin at each value of the external reference voltage Vref. - 特許庁 - クロックスキューを低減し、動作マージンを十分に確保することが可能な半導体集積回路を提供する。
To provide a semiconductor integrated circuit in which a clock skew is reduced and an operation margin is sufficiently secured. - 特許庁 - 装置の小型化を確保しながら、冗長メモリセルの動作速度マージンに余裕を持たせた半導体装置を提供する。
To provide a semiconductor device allowing a margin of the operating speed of a redundant memory cell, while ensuring miniaturization of the apparatus. - 特許庁 - 十分なパンチスルーマージンを確保すると共に、記憶装置としての信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。
To provide a nonvolatile semiconductor memory device which ensures a sufficient punch-through margin, and has high reliability as a memory device. - 特許庁
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