フォーカスマージン(DoF)の拡大を可能とするレジスト材料を提供する。 To provide a resist material that can enlarge depth of focus (DoF) that is the focus margin. - 特許庁
メモリセルが微細化されても十分な動作マージンを確保できるようにすること。 To make it possible to secure a sufficient operating margin even if a memory cell is microstructured. - 特許庁
ブルーミングマージンを確保しつつ、読み出し電圧を下げることができるようにする。 To make possible to lower the read voltage while ensuring the blooming margin. - 特許庁
この結果、メモリセルからのデータの読み出しマージンを向上でき、製造歩留を向上できる。 Consequently, read-out margin of data from the memory cell can be improved, and manufacturing yield can be improved. - 特許庁
長尺のグリッパーマージンが排出部で詰まることのない平盤打抜き装置を提供すること。 To provide a flat plate-punching machine capable of preventing a long gripper margin 7 from clogging at a discharging part. - 特許庁
露光マージンに優れるパターンを与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 To provide a chemically amplified positive resist composition that gives a pattern with an excellent exposure margin. - 特許庁
第2マージン部34の幅を、軸線O方向の後端側へ向かうにしたがい漸次減少させる。 The width of the second margin part 34 is gradually reduced toward the rear end side of the direction of the axis O. - 特許庁
メモリの読み出し時の読み出しマージンの減少を防止した半導体記憶装置を提供すること。 To provide a semiconductor memory device in which a reduction in a read margin during reading of the memory is prevented. - 特許庁
以上の処理をマージンが取れるまで繰り返し実行し、リトライ回数値を決定する。 This processing is repeatedly executed until the margin is obtained, and the value of the number of times of retry is decided. - 特許庁
凸曲部4bの曲率はマージン6に接近するにしたがって大きくする。 Curvature of the projecting bent part 4b increases as the part approaches to the margin 6. - 特許庁
メモリセルに書き込まれたデータを読み出すときの読み出しマージンの低下を防止する。 To prevent lowering in a reading margin when reading data written in a memory cell. - 特許庁
プロセスマージンの拡大が図られる半導体記憶装置と、その製造方法を提供する。 To provide a semiconductor memory device allowing an expanded process margin, and to provide a manufacturing method for the semiconductor memory device. - 特許庁
低消費電力時の消費電流を抑制しながら保持マージンを確保することを可能とする。 To make it possible to secure a holding margin while suppressing current consumption during low power consumption. - 特許庁
内部回路が正しい内部電圧VBSTにより動作するため、動作マージンを向上できる。 Since the internal circuit is operated by the correct internal voltage VBST, operation margin can be improved. - 特許庁
簡易な回路を付加することで、ダイナミック回路のノイズマージンを大きくする。 To increase noise margin of a dynamic circuit, through the addition of a simple circuit to the dynamic circuit. - 特許庁
Vthウィンドウ幅(=VthE−VthW)が小さくても、読み出しマージンを高める。 To improve read-out margin even if Vth window width (= VthE-VthW) is small. - 特許庁
周波数マージンを使用してコンピュータシステム内のコンポーネントをテストするシステムおよび方法 SYSTEM AND METHOD FOR TESTING COMPONENT IN COMPUTER SYSTEM USING FREQUENCY MARGIN - 特許庁
セット動作とリセット動作との間のマージンを広くし、更にフォーミング電圧を低くする。 To expand a margin between a set operation and a reset operation and to lower a forming voltage. - 特許庁
データの読み出しマージンの改善を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 To provide a semiconductor memory device capable of achieving improvement of a reading margin of data. - 特許庁
解像性に優れ、広いPEBマージンを有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 To provide a positive resist composition excellent in resolution and having a large PEB margin. - 特許庁
疎密依存性と露光マージンが優れるポジ型感放射線性組成物を提供すること。 To provide a positive type radiation sensitive composition excellent in density dependency and margin for exposure. - 特許庁
装置の使用中にタイミングマージンを最適化可能な半導体装置を提供する。 To provide a semiconductor device in which a timing margin can be optimized during the use of the device. - 特許庁
排出機構6にグリッパマージンPcを小片状に切断する切断機構8を設置した。 On the discharge mechanism 6, a cutting mechanism 8 to cut the gripper margins Pc into small pieces is installed. - 特許庁
駆動マージンが向上して長時間使用でも信頼性が維持されるゲート駆動回路を提供する。 To provide a gate driving circuit improving driving margin and maintaining reliability even after long use. - 特許庁
これによって、Doutの遷移時間が早くなり、LTでのセットアップマージンが拡大できる。 Thus, transition time of the Dout is moved up and a setup margin in the LT is expanded. - 特許庁
発振を防止するための位相マージンを増大させ得るリニアレギュレータ回路を提供する。 To provide a linear regulator circuit capable of increasing a phase margin for preventing oscillation. - 特許庁
動作周波数が高くなっても動作マージンの確保を可能とする半導体装置を提供する。 To provide a semiconductor device capable of securing an operation margin even at a high operation frequency. - 特許庁
パネル温度によって駆動マージンが著しく低下してしまうことを防止する。 To prevent a drive margin from drastically lowering due to panel temp. - 特許庁
信号遅延を調整するにあたりリソグラフィマージンを考慮したリピータの挿入を行うこと。 To insert a repeater in consideration of a lithography margin when adjusting signal delay. - 特許庁
加工マージンの大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。 To provide a semiconductor device having a large processing margin, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁
スタティックノイズマージンの低下を抑制できるスタティック・ランダム・アクセス・メモリを得ること。 To provide a static random access memory capable of suppressing a decrease in static noise margin. - 特許庁
マージン部の剥がれに対する強度向上を図ったフラットケーブル製造方法を提供する。 To provide a manufacturing method of a flat cable for improving strength against exfoliation of a margin portion. - 特許庁
プロセス条件や動作条件に応じてセンスアンプの動作タイミングにマージンを持たせる。 To provide a margin on an operation timing of a sense amplifier according to a process condition and an operation condition. - 特許庁
メモリセルが微細化されても十分な動作マージンを確保できるようにすること。 To secure a sufficient operation margin even when a memory cell is scaled down. - 特許庁
第1マージン部32の幅を、軸線O方向に沿って略一定とする。 The width of the first margin part 32 is approximately uniformized along the direction of the axis O. - 特許庁
強誘電体メモリセルに保持されたデータの読み出しマージンの低下を防止する。 To prevent reduction of a read margin of data held in a ferroelectric memory cell. - 特許庁
不揮発性多値半導体メモリの動作マージンを確保し、製造歩留を向上する。 To secure operation margin of a nonvolatile multi-level semiconductor memory and to improve manufacturing yield. - 特許庁
十分に書込動作マージンのテストを行なうことができる半導体記憶装置を提供する。 To provide a semiconductor memory capable of sufficiently testing a writing operation margin. - 特許庁
冗長回路を備えた半導体集積回路装置のヒューズの切断マージンを確保する。 To obtain a cutting margin for a fuse of a semiconductor integrated circuit device provided with a redundant circuit. - 特許庁
スキャン型露光装置のスキャン動作にともなう振動に対して、配線のプロセスマージンを広げる。 To extend a process margin of wiring for vibration accompanying scanning operation of a scanning type exposure device. - 特許庁
スタティックノイズマージンの改善と書き込みレベルの改善とを同時に実現できるようにする。 To realized both improvement in a static noise margin and improvement in a level in writing. - 特許庁
センスアンプのオフセット電圧を大幅に低減し、動作マージンを向上する。 To improve operation margin by reducing remarkably offset voltage of a sense amplifier. - 特許庁
過剰なマージンを排除して半導体集積回路の性能を高くする。 To provide a solution for improving a semiconductor integrated circuit performance through elimination of excessive margins. - 特許庁
また、この設計マージンMからマスクパターンのパターン精度を逆算する。 Also, the pattern accuracy of the mask pattern is reverse calculated from the design margin M. - 特許庁
これにより製造マージンが大きくなり、製造プロセスにおいて手間や時間がかからなくなる。 Manufacture margin becomes large, and labor and time are not required so much in a manufacturing process. - 特許庁
理論値Xにマージン量の加算値X1と減算値X2を算出する(S13)。 An addition value X1 and a subtraction value X2 of a margin to/from the theoretical value X are calculated (S13). - 特許庁
電力系統保護制御システム、試験方法、保護制御装置、マージングユニット、および試験用装置 POWER SYSTEM PROTECTION CONTROL SYSTEM, TEST METHOD, PROTECTION CONTROL DEVICE, MERGING UNIT, AND TEST DEVICE - 特許庁
メモリセルの動作マージンをメモリセルの位置に依存せず正しく評価する。 To correctly evaluate an operation margin of a memory cell without depending on a position of the memory cell. - 特許庁
メモリセルに書き込まれたデータを読み出すときの読み出しマージンの低下を防止することを課題とする。 To prevent read margins from degrading when reading the data written in memory cells. - 特許庁
続いて,先端マージン量設定部12により,上記トナー占有率に基づいて,転写紙上にトナー像を転写する際の最適な先端マージン量を設定する。 Continuously, a leading edge margin amount setting part 12 sets optimum leading edge margin amount in the case of transferring a toner image to the transfer paper based on the toner occupancy ratio. - 特許庁