「CZ」を含む例文一覧(248)

1 2 3 4 5 次へ＞
  • L and C of each circuit satisfy Equation (1): 150(kHz)<1/(2π√(Cc1(La+Lb)))<300(kHz) and Equation (2): 20(kHz)>1/(2π√Cc1×Cz/(Cc1+Cz)+Lc+Ln+La+Lb).
    150(kHz)<1/(2π√(Cc1(La+Lb))<300(kHz) ・・・(1) 20(kHz)>1/(2π√(Cc1×Cz/(Cc1+Cz)+Lc+Ln+La+Lb)) ・・・(2) - 特許庁
  • This is a cz.22 automatic 10round clip.
    CZ22オートマチック 10連発式だ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • CZ METHOD PULLING APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL
    ＣＺ法単結晶引上げ装置 - 特許庁
  • CZ METHOD BASED SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT
    ＣＺ法単結晶引上げ装置 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING CZ SILICON SINGLE CRYSTAL
    ＣＺシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁
  • First of all, a CZ bulk substrate 10 is prepared (a).
    まず，ＣＺバルク基板１０を用意する（ａ）。 - 特許庁
  • A single crystal 9 is grown by a CZ method.
    ＣＺ法により単結晶９を育成する。 - 特許庁
  • SAFETY MECHANISM FOR CZ METHOD BASED SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT
    ＣＺ法単結晶引上げ装置の安全機構 - 特許庁
  • CZ RAW MATERIAL SUPPLY METHOD AND TOOL FOR SUPPLY
    ＣＺ原料供給方法及び供給用治具 - 特許庁
  • METHOD FOR MELTING POLYCRYSTALLINE SILICON RAW MATERIAL IN CZ METHOD
    ＣＺ法における多結晶シリコン原料の溶解方法 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING Si SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZ METHOD
    ＣＺ法によるＳｉ単結晶インゴットの製造方法 - 特許庁
  • To provide a method and device for directly producing semiconductor wafers including silicon wafers without depending on conventional ingot (CZ method).
    従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。 - 特許庁
  • CZ METHOD BASED, COOLER EQUIPPED SILICON SINGLE CRISTAL SILICON PULLING-UP DEVICE WITH IMPROVED EFFECT OF DEFECT DISPLACEMENT BY DASHNECK METHOD SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING-UP DEVICE BASED ON CZ METHOD AND PROVIDED WITH COOLER, ENHANCED IN ELIMINATING DEFECT IN DASHNECK METHOD
    ダッシュネック法による欠陥排除効が高められたクーラー付ＣＺ法シリコン単結晶引上げ装置 - 特許庁
  • Carbon ions are implanted into the CZ substrate 11 through the organic film 12 to form a carbon implanted region 13 in the CZ substrate 11.
    有機膜１２を介してＣＺ基板１１に炭素イオンを注入し、ＣＺ基板１１中に炭素注入領域１３を形成する。 - 特許庁
  • CZ METHOD BASED SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT SMOOTHLY PERFORMING RECHARGE.ADDITIONAL CHARGE
    リチャージ・追いチャージを円滑に行うＣＺ法単結晶引上げ装置 - 特許庁
  • BOTTOM HOT ZONE STRUCTURE OF FURNACE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL OF LITHIUM TANTALATE BY Cz METHOD
    Ｃｚ法によるタンタル酸リチウム単結晶育成炉下部ホットゾーン構造 - 特許庁
  • The conversion circuit 4 comprises a 3-phase bridge circuit of first - sixth main switches S_1-S_6 and first - sixth capacitors Cu-Cz connected in parallel to the first - sixth switches S_1-S_6.
    変換回路4を第1〜第6の主スイッチS1〜S6の3相ブリッジ回路と、第1〜第6のスイッチS1〜S6に並列接続した第1〜第6のコンデンサCu〜Czとで構成する。 - 特許庁
  • METHOD FOR MEASURING LEVEL OF LIQUID SURFACE IN APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL BY CZ METHOD
    ＣＺ法による単結晶引き上げ装置内の液面レベル測定方法 - 特許庁
  • To improve the yield of a dislocation-free single crystal when the single crystal is grown by a CZ method.
    ＣＺ法による単結晶育成での無転位収率を改善する。 - 特許庁
  • To provide a method for melting a polycrystalline silicon raw material in the CZ method.
    ＣＺ法における多結晶シリコン原料の溶解方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a cable type CZ method-based single crystal pulling-up device which is capable of suppressing the resonance of a cable system in the cable type CZ method-based single crystal pulling-up device.
    ＣＺ法単結晶引上げ装置においてケーブル系の共振を抑制することができるケーブル式ＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF RECOVERING QUARTZ CRUCIBLE AFTER GROWING SINGLE CRYSTAL AND DEVICE FOR GROWING CZ-SINGLE CRYSTAL
    単結晶育成後の石英るつぼ回収方法およびＣＺ単結晶育成装置 - 特許庁
  • The argon gas 7 is rectified so that it flows together with the CO gas 12 produced inside the CZ furnace 2 from the upper part of the CZ furnace 2 through a space below the heat-shield body 8 and a space between a heater 9 and a graphite crucible 3b and is efficiently exhausted from the lower part of the CZ furnace 2.
    すなわちアルゴンガス７は整流され、ＣＺ炉２内で生成されたＣＯガス１２をのせて、ＣＺ炉２の上方から熱遮蔽体８の下方、ヒータ９と黒鉛るつぼ３ｂとの間を介してＣＺ炉２の下方より効率よく排気される。 - 特許庁
  • To provide a mechanism or a controlling method capable of adjusting the V/G ratio completely reflecting the state in a CZ furnace in a CZ-type single crystal ingot production apparatus.
    ＣＺ法単結晶インゴット製造装置において、ＣＺ炉内の状態を完全に反映してＶ／Ｇの調整を行うことができるような機構もしくは制御方法を提供する。 - 特許庁
  • An input terminal T2 of a switching circuit 4 connects a capacitor Cz via a resistor R2, and connects the capacitor Cz to between a collector and an emitter of a phototransistor 9b of a second photocoupler 9.
    スイッチング回路４の入力端子Ｔ２は、抵抗Ｒ２を介してコンデンサＣｚを接続し、そのコンデンサＣｚを第２フォトカプラ９のフォトトランジスタ９ｂのコレクタ・エミッタ間に接続した。 - 特許庁
  • The seed crystal used for the silicon crystal manufacture by the CZ method constitutes the support part.
    また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。 - 特許庁
  • The trapping system includes a contaminant trap CT having a central zone CZ and a peripheral zone PZ.
    トラップシステムは、中心ゾーンＣＺと周辺ゾーンＰＺとを有する汚染物トラップＣＴを含む。 - 特許庁
  • A silicon single crystal 4 is pulled from a melt 3 in a quartz crucible 1a by the CZ process.
    石英ルツボ１ａ内の融液３からＣＺ法によりシリコン単結晶４を引き上げる。 - 特許庁
  • To quickly and easily quantify a nitrogen concentration in a silicon crystal manufactured by a CZ method.
    ＣＺ法で作製されたシリコン結晶の窒素濃度を迅速かつ簡単に定量化する。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER, EPITAXIAL WAFER AND CZ SILICON WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH
    エピタキシャルウエーハの製造方法及びエピタキシャルウエーハ、並びにエピタキシャル成長用ＣＺシリコンウエーハ - 特許庁
  • The CZ silicon wafer for epitaxially growing at low temperatures lower than 1000°C is a CZ silicon wafer doped with carbon.
    並びに、１０００℃未満の温度でエピタキシャル成長を行うためのエピタキシャル成長用ＣＺシリコンウエーハであって、該ＣＺシリコンウエーハは炭素がドープされたものであるエピタキシャル成長用ＣＺシリコンウエーハ。 - 特許庁
  • To enlarge the control region of defect-free layer depth and fine defect density of the inside in a CZ silicon wafer.
    ＣＺシリコンウエーハにおいて、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度の制御範囲を拡大する。 - 特許庁
  • This substrate can be manufactured by carving it out of a silicon single crystal enhanced by the CZ method.
    この基板は、ＣＺ法で引き上げられたシリコン単結晶から切り出して作製することがでる。 - 特許庁
  • A Zener diode ZD for a constant voltage is connected in parallel with a common clamping capacitor Cz.
    共通のクランプ用コンデンサＣｚに対して並列に定電圧用ツエナーダイオードＺＤを接続する。 - 特許庁
  • A heat-shield body 8 is placed at a position A so that its upper end contacts the inner wall of a CZ furnace 2.
    熱遮蔽体８を、その上端がＣＺ炉２の内壁に接触する位置Ａに位置させる。 - 特許庁
  • A diode is connected between the first to sixth switch means Q1-Q6 and the clamping capacitor Cz.
    第１〜第６のスイッチ手段Ｑ１〜Ｑ６とクランプ用コンデンサＣｚとの間をダイオードで接続する。 - 特許庁
  • A raw material silicon ingot 10 is pulled ((c) and (d)) from a molten liquid 9 by a CZ method.
    石英ルツボ１ａ内に残存している残存融液９ａを石英ルツボ１ａから排出する（e)。 - 特許庁
  • In the growth of a single crystal by the CZ process, the polycrystalline raw material is initially charged into the crucible 3.
    ＣＺ法による単結晶育成に際して、ルツボ３内に多結晶原料を初期チャージする。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF FZ SINGLE CRYSTAL SILICON USING SILICON CRYSTAL ROD MANUFACTURED BY CZ METHOD AS RAW MATERIAL
    ＣＺ法により製造したシリコン結晶棒を原料としたＦＺ単結晶シリコンの製造方法 - 特許庁
  • Organic film 12 is formed on a CZ substrate 11 of Si using acryl resin as a base polymer.
    ＳｉからなるＣＺ基板１１上に、アクリル樹脂をベースポリマーとする有機膜１２を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a high-resistivity CZ silicon wafer which can prevent deterioration of resistivity due to development of a oxyfen donor and has a high gettering-effect, the high-resistivity CZ silicon wafer manufactured by its method, a SOI wafer used with the high-resistivity CZ wafer as a base wafer.
    酸素ドナーの発生による抵抗率の低下を防ぎ、かつ高いゲッタリング効果を有する高抵抗率ＣＺシリコンウエーハを製造する方法、およびその方法により製造された高抵抗率ＣＺシリコンウエーハならびに、この高抵抗率ＣＺウエーハをベースウエーハとして用いて得られるＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁
  • Thus, a low defective area is formed near an interface of the CZ bulk substrate 10 and the gate insulating film 24.
    これにより，ＣＺバルク基板１０とゲート絶縁膜２４との界面付近に低欠陥領域が形成される。 - 特許庁
  • Or, the silicon crystal manufactured from the polycrystalline silicon raw material by a CZ method or a MCZ method is used.
    或いは、多結晶シリコン原料からＣＺ法又はＭＣＺ法により製造したシリコン結晶を使用する。 - 特許庁
  • A single-crystal silicon bulk is manufactured by growing single-crystal silicon in [100]-direction by the CZ method.
    ＣＺ法により、［１００］方向に単結晶シリコンを成長させて、単結晶シリコンのバルクを作製する。 - 特許庁
  • A wafer is obtained, by cutting a silicon single crystalline ingot obtained by a CZ method into thin discs (step S1).
    ＣＺ法により得られたシリコン単結晶インゴットを薄円板状に切り出してウェハを得る（ステップＳ１）。 - 特許庁
  • When a cut card CZ whose length is shorter than a normal card C is inserted together with the normal card C and the arm 11 is opened, the cut card CZ on the arm 11 can be dropped downward and recovered.
    正規より短い切断されたカードＣＺが正規のカードＣと共に挿入された場合、正規のカードＣの取り出しによって支持アーム１１が開くと、この支持アーム１１上の切断されたカードＣＺは、下方に落下回収できる。 - 特許庁
  • The sub CPU (81) carries out a performance based on a Sugoroku (a Japanese board game similar to "snakes and ladders") stage in the CZ from among a plurality of kinds of performance stages and then carries out a performance related to the Sugoroku stage in the CZ even when it moves to the high replay.
    そして、サブＣＰＵ（８１）は、複数種類設けた演出ステージのうち、ＣＺではスゴロクステージに基づく演出を行い、その後、高リプに移行したときも、ＣＺでのスゴロクステージに関連した演出を行う。 - 特許庁
  • To provide a silicon wafer formed by a CZ method and properly used for an IGBT, and to provide its manufacturing method.
    ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a silicon wafer formed by CZ method, which is suitably used in IGBT, and a manufacturing method of the wafer.
    ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The silicon wafer is a CZ-silicon wafer containing rod-shaped void defects and/or plate-like void defects in its inside.
    ＣＺシリコンウエーハであって、その内部に棒状の空洞欠陥および／または板状の空洞欠陥を含むシリコンウエーハ。 - 特許庁
1 2 3 4 5 次へ＞

例文データの著作権について