「CZ」を含む例文一覧(248)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- To feed a polycrystalline silicon raw material without lowering working efficiency in disassembly, cleaning and assembly of a CZ furnace, without causing an increase in the manufacturing cost of the CZ furnace and without lowering the quality of a single crystal silicon.
ＣＺ炉の分解、清掃、組立作業時の作業効率を損なうことなく、またＣＺ炉の製造コストを上昇させることなく、また単結晶シリコンの品質を低下させることなく、多結晶シリコン原料を供給できるようにする。 - 特許庁 - To provide a CZ method based single crystal pulling-up equipment provided with a safety mechanism which enables to detect precisely the clash between a cooler movable in a CZ furnace and other members in the furnace and to immediately avoid the risk.
ＣＺ炉内を移動するクーラーを備えると共に、ＣＺ炉内におけるクーラーその他の炉内部材の衝突を適確に検出して迅速に危険を回避するような安全機構を備えたＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - The main CPU (31) of the game machine (1) moves to a low replay winning probability condition (low replay) from a CZ, when stopped symbols are not the symbols corresponding to an internal winning combination irrespective of internally winning red bells or blue bells but otherwise moves to a high winning probability condition from the CZ, during 30 games after the chance zone (CZ) is started.
遊技機（１）のメインＣＰＵ（３１）は、チャンスゾーン（ＣＺ）の開始後３０ゲームの間に、赤ベル又は青ベルのいずれかに内部当籤したにも関わらず、停止した図柄が内部当籤役に対応する図柄でない場合には、ＣＺからリプレイ当籤確率低確率状態（低リプ）に移行する一方で、その反対である場合は、ＣＺからリプレイ当籤確率高確率状態（高リプ）に移行する。 - 特許庁 - To provide a silicon wafer formed by a CZ method suitably available for substrates for IGBT also, and to provide a method of manufacturing the same.
ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal having reduced dislocation density and a crystal axis orientation of [110] by a CZ method.
転位密度を低減した、ＣＺ法による結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する方法を提供する。 - 特許庁 - A region to be irradiated with light is divided into four zones: a ring zone RZ, an edge zone EZ, a middle zone MZ, and a center zone CZ.
光を照射する領域をリングゾーンＲＺ、エッジゾーンＥＺ、ミドルゾーンＭＺ、センターゾーンＣＺの４つに分割する。 - 特許庁 - A Si epitaxial layer 14 is then formed on the surface of the CZ substrate 11 using Si material, thus providing an epitaxial substrate.
その後はＣＺ基板１１の表面にＳｉ材料を用いてＳｉエピタキシャル層１４を形成し、エピタキシャル基板を得る。 - 特許庁 - The epitaxial wafer manufacturing method comprises epitaxially growing a carbon-doped CZ silicon wafer at low temperatures lower than 1000°C A.
炭素がドープされたＣＺシリコンウエーハに１０００℃未満の温度でエピタキシャル成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁 - To provide a split heater in a cylindrical form and to provide a single crystal pulling device by a CZ method using the heater.
円筒形状をなす分割式ヒーター、およびこのヒーターを用いたＣＺ法による単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - In preset detection timing, a control device 60 calculates a heat capacity Cz for each of a plurality of rooms A-D.
制御装置６０は、予め設定された検出時期になると、複数の部屋Ａ〜Ｄについてそれぞれ熱容量Ｃｚを算出する。 - 特許庁 - To provide a silicon wafer by a CZ (Czochralski) method, suitably used as a substrate for an IGBT (insulating gate bipolar transistor), and to provide a method for producing the silicon wafer.
ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The silicon crystal material manufactured by the CZ silicon crystal manufacturing method has a support part 3 formed in the CZ silicon crystal manufacturing method and serving for growing a single crystal in a crystal manufacturing apparatus by the FZ method as well as shoulder 5, straight body 2, tail 6.
ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。 - 特許庁 - In the CZ method-based single crystal pulling device having a heat shielding body being made vertically movable in a CZ furnace, a chamber 11 constituting the outer shell of the device is divided into the lowest stage chamber 11Z, the middle stage chamber 11Y and the highest stage chamber 11X and each of the chambers is made independently rotatable.
ＣＺ炉内を昇降する熱遮蔽体を備えるＣＺ法単結晶引上げ装置において、装置の外殻を構成するチャンバ１１を、下段チャンバ11Ｚ、中段チャンバ11Ｙ、上段チャンバ11Ｘと、それぞれ分離したものが個々に旋回するように構成する。 - 特許庁 - Upon the end of the bonus operation, when the combination of symbols corresponding to an RT (replay time) working symbol 2 is displayed in a chance zone (CZ) or a special chance zone (SCZ) with a shift to the CZ or SCZ, the main CPU (31) of the game machine (1) controls to make the shift to a low level RT disadvantageous for players.
遊技機（１）のメインＣＰＵ（３１）は、ボーナスの作動が終了すると、チャンスゾーン（ＣＺ）又はスペシャルチャンスゾーン（ＳＣＺ）への移行し、ＣＺ又はＳＣＺにおいてＲＴ作動図柄２に対応する図柄組合せが表示された場合には、不利な低ＲＴに移行する制御を行う。 - 特許庁 - The p-type silicon substrate 1 has been manufactured with the CZ method and obtains p-type characteristics by introducing boron as an impurity.
ｐ型シリコン基板１は、ＣＺ法によりシリコン基板の製造が行われ、また不純物であるボロンを導入し、ｐ型の特性を得ている。 - 特許庁 - To provide a long-lasting graphite crucible which shows excellent durability and inhibits deformation and damage that occur in CZ method operation.
ＣＺ法操業で発生する変形や破損を防止した耐久性に優れた長寿命の黒鉛ルツボとその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To produce a semiconductor substrate having a single crystal silicon layer in which defect, e.g. COP, caused by CZ bulk wafer is eliminated or suppressed drastically.
ＣＺバルクウエハに起因するＣＯＰ等の欠陥のない、あるいは、非常に少ない単結晶シリコン層を有する半導体基板を作製する。 - 特許庁 - An outer circumferential surface of a distal end of a cutter body 10 is provided with a plurality of spindles 30 in a direction perpendicular to a cutter rotation axis CZ.
カッターボディ１０の先端部の外周面には、カッター回転軸ＣＺに直交する方向に複数の支軸３０が設けられている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a CZ wafer having a nearly uniform and high resistance at a high yield without applying a neutron radiation thereto.
中性子線の照射を行うことなくほぼ均一な高抵抗を持つＣＺウェーハを高い歩留まりで作製可能な方法を提供する。 - 特許庁 - The epitaxial wafer is composed of a carbon-doped CZ silicon wafer to be a substrate and an epitaxial layer grown at low temperatures lower than 1000°C.
及び、炭素がドープされたＣＺシリコンウエーハである基板と、１０００℃未満の温度で成長されたエピタキシャル層からなるエピタキシャルウエーハ。 - 特許庁 - To obtain a wafer where the surface uniformity of BMD density is attained even if a ring shape OSF area is formed in lifting a single crystal by a CZ method.
ＣＺ法による単結晶引上時においてリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でもＢＭＤ密度の面内均一化を図ったウェーハを得る。 - 特許庁 - To provide an exhaust system and a dust treating method capable of treating generated combustible dust, in a silicon single crystal pulling apparatus by CZ method.
ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor substrate which contains no defects (such as FPD and COP) in a CZ(Czochralski) bulk wafer and has a suppressed Si active layer.
ＣＺバルクウエハに起因した欠陥（ＦＰＤ，ＣＯＰ等）のない、あるいは低減されたＳｉ活性層を有する半導体基材を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a carbon fiber-reinforced carbon composite material for a single crystal drawing-up unit by CZ method (Czochralski method) which is high in thermal efficiency.
熱効率の高いＣＺ法（チョクラルスキー法）による単結晶引き上げ装置用炭素繊維強化炭素複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A GUI screen 40 for inputting or displaying a detected scattering angle α or a number (Z contrast Cz) corresponding to the scattering angle is arranged to the electron beam device.
電子線装置に、検出散乱角αd又はこれに対応する数値（ＺコントラストＣz）を入力又は表示するためのＧＵＩ画面４０を設けた。 - 特許庁 - Power source noise can be reduced with capacitors Ca_1, Ca_2 comprising the wirings Ma, Mb, the capacitor insulation film CZ and the floating electrode FE.
この配線Ｍａ、Ｍｂ、キャパシタ絶縁膜ＣＺおよびフローティング電極ＦＥからなるキャパシタＣａ_1とＣａ_2により電源ノイズを低減することができる。 - 特許庁 - To facilitate improvement in efficiency of pulling work by reducing the damage and degassing of a crucible member in pulling and growing a silicon single crystal by a CZ method.
ＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げ育成において、ルツボ部材の損傷および脱ガスを低減させ、引上げ作業効率の向上を容易にする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by a CZ method for stably manufacturing a crystal with high yield and a higher collection rate of a defect-free portion.
ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、歩留まりよく安定して、無欠陥部分の採取率をより高くできる製造方法の提供する。 - 特許庁 - When a CZ ingot is pulled, the pure silicon wafer 11 controls the average value of a pull-up speed and an in-crystal temperature grade, and excludes grown-in effects.
ピュアシリコンウェーハは、ＣＺインゴットの引上の際、引上速度、結晶内温度勾配の平均値を制御し、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を排除している。 - 特許庁 - As a result of the thin barium-doped layer and the reduced bubble growth, the inner surface of the crucible is uniformly minimally textured during a CZ process.
バリウムドープされた薄い層及び減少した気泡成長の結果として、るつぼの内側表面は、ＣＺ工程の間に、均一に最小限に組織化される。 - 特許庁 - In a Pachinko-slot machine (1), during a CZ game condition having a high replay bonus, when a six-choice replay bonus is correctly performed, a game state is shifted stepwise to a final advantageous high RT condition.
パチスロ（１）は、ＣＺ高リプにおいて、６択リプレイに正解すると段階的に遊技状態が移行し、最終的に有利な高ＲＴへ移行する。 - 特許庁 - Power noise can be reduced by the capacitors Ca_1 and Ca_2 comprising the wiring Ma and Mb, the capacitor insulating film CZ and the floating electrode FE.
この配線Ｍａ、Ｍｂ、キャパシタ絶縁膜ＣＺおよびフローティング電極ＦＥからなるキャパシタＣａ_１とＣａ_２により電源ノイズを低減することができる。 - 特許庁 - The silicon single crystal grown by a CZ method has a crystal axis orientation [110] and a dislocation in the crystal length direction at the center part of the crystal.
ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶の結晶軸方位が［１１０］であり、結晶長さ方向に、かつ結晶の中心部に転位が存在する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for controlling oxygen concentration in a silicon single crystal when pulling up the crystal from silicon molten liquid by CZ method.
ＣＺ法によりシリコン溶融液からシリコン単結晶を引き上げる際に適用される、結晶中の酸素濃度制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - The CZ-character type rubber ring (2) is used for the airtight section of a joint, a rib holding down the rubber ring (2) is installed to a sleeve body (1), and the rubber ring is pushed against the pipe.
継手の気密部に，Ｃ乙字型ゴムリング（２）を使用して，スリーブ本体（１）に，Ｃ乙字型ゴムリング（２）を押さえるリブをつけ，ゴムリングをパイプに押し付ける。 - 特許庁 - To provide an apparatus suitable for pulling a single crystal having a large diameter by the CZ method, and a method for pulling the single crystal using the same.
ＣＺ法により大口径の単結晶の引き上げに適した単結晶引上げ装置、およびこれを用いた単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁 - A capacitor insulating film CZ is formed by depositing a silicon nitride film on wiring Ma to which a power supply potential (VDD) is applied and wiring Mb to which a ground potential (GND) is applied, and a floating electrode FE is formed by depositing a tungsten film on the capacitor insulating film CZ and etching it.
電源電位（ＶＤＤ）が印加される配線Ｍａおよび接地電位（ＧＮＤ）が印加される配線Ｍｂ上に窒化シリコン膜を堆積することによりキャパシタ絶縁膜ＣＺを形成し、このキャパシタ絶縁膜ＣＺ上にタングステン膜を堆積し、エッチングすることによりフローティング電極ＦＥを形成する。 - 特許庁 - A capacitor insulation film CZ is formed by accumulating a silicon nitride film on wiring Ma applying power source electric potential (VDD) and wiring Mb applying ground electric potential (GND), tungsten films are accumulated on the capacitor insulation film CZ, and a floating electrode FE is formed by etching.
電源電位（ＶＤＤ）が印加される配線Ｍａおよび接地電位（ＧＮＤ）が印加される配線Ｍｂ上に窒化シリコン膜を堆積することによりキャパシタ絶縁膜ＣＺを形成し、このキャパシタ絶縁膜ＣＺ上にタングステン膜を堆積し、エッチングすることによりフローティング電極ＦＥを形成する。 - 特許庁 - The silicon wafer and the silicon single crystal are produced by using a czochralski(CZ) furnace where an axial temperature gradient in a high temperature part approximate to the melting point of silicon becomes smaller than that in the central part of a crystal.
シリコン融点に近い高温部での結晶表面の軸方向温度勾配が結晶中心部の軸方向温度勾配より低くなるＣＺ炉を用いる。 - 特許庁 - A partition side 1a of an interprocess carrying area is deformed into a U-shape in the side of a clean zone CZ so that a dust discharge area 10 is provided along a prescribed height.
工程間搬送エリアの隔壁側面１ａをクリーンゾーンＣＺ側にコ字形上に変形することにより、粉塵排出エリア１０を所定の高さに沿って設ける。 - 特許庁 - In a Pachinko-slot machine (1), during a CZ game condition having a high replay bonus, when a 6-choice replay bonus is correctly performed, a game state is transited stepwise and finally, the state is transited to an advantageous high RT (replay time).
パチスロ（１）は、ＣＺ高リプにおいて、６択リプレイに正解すると段階的に遊技状態が移行し、最終的に有利な高ＲＴへ移行する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for pulling a silicon single crystal by a CZ method where the acquisition rate and its assurance of a fault-free crystal (perfect crystal) can be enhanced.
無欠陥結晶（完全結晶）の取得率とその確実性を向上させることができるようなＣＺ法シリコン単結晶引上げ装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - In the CZ method base single crystal pulling-up equipment, the cooler and the heat shield are lifted up and away from melted liquid surface when raw materials are additionally charged or recharged.
原料の追いチャージやリチャージの際には、クーラー及び熱遮蔽体が迅速に上昇して融液液面から遠ざかるようなＣＺ法単結晶引上げ装置とする。 - 特許庁 - A CZ-furnace in which the temp. gradient in the axial direction of the crystal surface at a high temp. part close to the melting point of silicon is smaller than that in the axial direction of the center part of the crystal is used.
シリコン融点に近い高温部での結晶表面の軸方向温度勾配が結晶中心部の軸方向温度勾配より低くなるＣＺ炉を用いる。 - 特許庁 - An optical path length control means 3 changes the number of times of reflecting the pixel display light by the mirror surface 511a of the reflector 51 according to the depth value Cz of the pixel.
光路長制御手段３は、画素表示光が反射体５１の鏡面５１１ａにて反射される回数を当該画素の奥行き値Ｃzに応じて変化させる。 - 特許庁 - When a silicon single crystal is grown by a CZ method in an inert atmosphere containing hydrogen, gaseous hydrogen is supplied into a single crystal pulling furnace in a concentration not higher than the concentration mentioned below.
水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、単結晶引上げ炉内に水素ガスを次記の濃度以下で供給する。 - 特許庁 - The silicon single crystal bar doped with nitrogen is pulled by the CZ method, the silicon wafer is made by slicing the single crystal bar, moreover, the wafer is hydrogen-annealed.
窒素をドープしたシリコン単結晶棒をＣＺ法により引上げ、この単結晶棒をスライスしてシリコンウェーハを作製し、更にこのウェーハを水素アニール処理する。 - 特許庁 - To grow a single crystal with the CZ method at a high speed without generating off specification by corresponding to vicinity of ceiling value of crystal deformation rate of the crystal.
ＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、スペック外れを生じることなく、結晶変形率の上限値近傍に対応する高速度で結晶育成を行う。 - 特許庁 - An NaOH solution of high concentration(51%) is heated at 80°C, and silicon(p-type CZ wafer, face orientation<100>, resistivity 0.005 to 0.01 Ωcm) is resolved to its solution.
高濃度ＮａＯＨ溶液（５１％）を８０℃に上昇させ、その溶液にシリコン（Ｐ型のＣＺウェーハ、面方位〈１００〉、比抵抗０．００５〜０．０１Ω・ｃｍ）を溶解した。 - 特許庁 - To provide a C/C member suitable as a member used at a high temperature, e.g. a supporting crucible for a quartz crucible, a heater, a shielding plate or the like, which is incorporated in a single crystal pulling device based on a CZ-method.
ＣＺ法による単結晶引上げ装置に使用される、例えば石英ルツボの支持ルツボやヒータ、遮蔽板などの高温部材として好適なＣ／Ｃ部材を提供すること。 - 特許庁
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