「CZ」を含む例文一覧(248)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- During growing the silicon single crystal having a diameter of 450 mm by CZ method, the height h (height in a shoulder part 11) from a neck part 9 to a body part 12 is controlled to 100 mm or more.
ＣＺ法による直径４５０ｍｍのシリコン単結晶の育成時に、ネック部９からボディ部１２に至る間の高さ（肩部１１の高さ）ｈを１００ｍｍ以上とする。 - 特許庁 - During the CZ game condition having a high replay bonus, in addition to the 6-choice reply bonus where the game state shifts stepwise, a 6-choice reply bonus transiting from a pre-stage to the current stage is decided as an internal winning symbol combination.
ＣＺ高リプでは、遊技状態が段階的に移行する６択リプレイに加え、前段階から現段階に移行する６択リプレイも内部当籤役として決定する。 - 特許庁 - In the manufacturing method, p-type high resistance wafer obtained through CZ method is employed to effect heating treatment for the purpose of oxygen outward diffusion of 1-5 hours at 1,100-1,250°C in a tuning atmosphere.
製造方法はＣＺ法によるｐ型の高抵抗ウェーハを用い、調整雰囲気中にて１１００〜１２５０℃で１〜５時間の酸素外方拡散を目的とした加熱処理をおこなう。 - 特許庁 - The SOI substrate comprises a CZ base 1, and a semiconductor layer region 3 made of an FZ single-crystal which is laminated on the base 1 and laminated via an oxide film 2.
ＳＯＩ基板は、ＣＺ基材１と、このＣＺ基材１上に貼り合わせ酸化膜２を介して貼り合わされたＦＺ単結晶からなる半導体層領域３とで構成される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a good silicon single crystal with twin crystal defects suppressed, in manufacturing a non-defect silicon single crystal by a CZ method.
ＣＺ法による無欠陥シリコン単結晶の製造方法において、双晶欠陥が抑制された良質なシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To easily and economically manufacture a polycrystalline silicon which can prevent a processing crack in machining when used as a raw material for additional charge for manufacturing a silicon single crystal with CZ method (Czochralski method).
ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造に追チャージ原料として使用するための機械加工における加工割れを防止できる多結晶シリコンを簡単かつ経済的に製造する。 - 特許庁 - The transmittance to infrared rays at the bottom part B of a quartz crucible 10, which is used for growing the single crystal by the CZ method, is reduced to a value lower than 30% by heating the bottom part B.
ＣＺ法による単結晶育成に使用される石英ルツボ１０の底部Ｂを熱処理して、その低部における赤外線透過率を３０％未満に低減する。 - 特許庁 - To substantially reproduce a pattern of all minute defects observed in a silicon signal crystal grown by a CZ method with a couple of model constants against practical growth conditions.
ＣＺ法により成長したシリコン単結晶に観察される全ての微小欠陥のパターンを実際の成長条件に対して、一組のモデル定数で実質的に再現する。 - 特許庁 - To provide a method by which a long single crystal free of dislocations can be grown in a method for growing a silicon single crystal using a continuous charge CZ process (Czochralski process).
連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a CZ method base single crystal pulling-up equipment provided, with a cooler and a heat shield in a furnace, and capable of smoothly performing additional charge and recharge of raw materials.
ＣＺ炉内にクーラー及び熱遮蔽体を備えると同時に、特に原料の追いチャージやリチャージの動作を円滑に行うことができるＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - The method for preparing concrete comprises a step of mixing the admixture A with a concrete material CZ containing cement CM and water at the least.
さらに、本発明に係るコンクリートの製造方法は、前記混和剤Ａと、少なくともセメントＣＭ及び水を含むコンクリート材料ＣＺとを混合させることを特徴としているものである。 - 特許庁 - At the time when silicon single crystals 21 are grown in a hydrogen-containing inert atmosphere by a CZ (Czochralski) method, a gaseous mixture of gaseous hydrogen and an inert gas is introduced from a gas source 12 into a pull furnace.
水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法によりシリコン単結晶２１を育成する際に、水素ガスと不活性ガスの混合ガスをガス源１２から引上げ炉内に導入する。 - 特許庁 - In the CZ game condition having a high replay bonus, a six-choice replay bonus which shifts a game state from a preceding step to a current step is also determined as an internal winning combination besides the six-choice replay bonus which shifts a game state stepwise.
ＣＺ高リプでは、遊技状態が段階的に移行する６択リプレイに加え、前段階から現段階に移行する６択リプレイも内部当籤役として決定する。 - 特許庁 - The silicon wafer that is cut out of the silicon single crystal pulled up by the CZ method is mirror-polished to provide a silicon single crystal wafer that has ≤120 particles detected on the main surface with ≥0.083 μm particle size and/or ≤80 particles with ≥0.090 μm and has a diameter of ≥300 mm, when it is washed with ammonia washing solution.
本発明は、CZ法により引き上げられたシリコン単結晶より切り出したシリコンウエーハを鏡面加工し、アンモニア系の洗浄液で洗浄した際、主表面上に検出される０．０８３μｍ以上のパーティクルが１２０個以下、及び／又は０．０９０μｍ以上のパーティクルが８０個未満である、直径が３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハの提案する。 - 特許庁 - In this production, at the time of growing a silicon single crystal by a CZ method, the single crystal is pulled up while doping the crystal with nitrogen under conditions such that the whole crystal surface of any of the resulting single crystal wafers becomes an N-region.
ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁 - To provide a method for measuring the surface position of a melt during pulling up a single crystal in a process for pulling up the single crystal, being used as a material for a semiconductor, from the melt by a CZ method.
ＣＺ法によって半導体の材料となる単結晶を融液から引き上げる工程において、単結晶を引き上げ中の融液の液面位置を測定する方法を提供すること。 - 特許庁 - Under a quick air conditioning mode, the control device 60 utilizes the calculated heat capacity Cz to set the quantity of heat to be supplied to each of the rooms, namely, an opening rate Q of switch valves 31-34.
そして、制御装置６０は、急速空調モードのとき、算出した熱容量Ｃｚを利用して各部屋へ供給すべき熱量すなわち開閉弁３１〜３４の開放率Ｑを設定する。 - 特許庁 - The manufacturing process of a CZ silicon single crystal is controlled by a preliminary test wherein resistivity of the grown single crystal from a silicon melt is measured, followed by growing the silicon single crystal from the melt.
予めシリコン融液よりシリコン結晶を成長して抵抗率を測定した後、前記シリコン融液よりシリコン単結晶を成長するＣＺシリコン単結晶製造工程の管理方法。 - 特許庁 - Meanwhile, when a RT working symbol 2 is displayed in the CZ or SCZ, the main CPU (31) controls to make the replay shift to a low level RT with a low probability of determining it as the internal lottery combination.
他方、メインＣＰＵ（３１）は、ＣＺ又はＳＣＺにおいてＲＴ作動図柄２が表示されると、リプレイが内部当籤役として決定される確率が低い低ＲＴに移行する制御を行う。 - 特許庁 - To provide a screw made of 2D-carbon fiber reinforced carbon composite material, having sufficient strength as the screw used for fastening each component of a heat treating furnace or a CZ furnace and capable of smoothly fastening each component.
熱処理炉やＣＺ炉等の各構成部品の締結に用いられるネジとして十分な強度を有し、かつ、各構成部品をスムーズに締結することができる２ＤのＣ／Ｃ材製ネジを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a high quality long single silicon crystal having a large diameter, making it possible to obtain by CZ method a wafer in which defects such as rearrangement clusters and IR light-scattering sites are reduced as much as possible.
ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる、大径長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。 - 特許庁 - When a silicon single crystal is grown in accordance with the CZ method, the method for producing the silicon single crystal wafer comprises pulling the silicon single crystal while doping nitrogen under such a condition that the entire surface of the crystal becomes the N-region.
ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁 - To provide a method for forming a shoulder, by which the occurrence of dislocation is suppressed in a step of forming the shoulder and yield and productivity can be increased when growing a silicon single crystal by CZ method.
ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、肩形成工程での有転位化を抑制して歩留りを向上させ、生産性を高めることができる肩形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for pulling a silicon single crystal accurately controllable of a growth rate of a silicon single crystal as well as controllable of a gap upon pulling a silicon single crystal by CZ (Czochralski) method.
ＣＺ法によりシリコン単結晶を引上げる際に、ギャップの制御とともにシリコン単結晶の育成速度をより高精度に制御し得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a seed crystal for pulling up silicon single crystals which can prevent a slip from occurring in a diameter-reduced portion of the seed crystal in a method for pulling up silicon single crystals by Czochralski method (CZ method).
チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の引上げ方法において、種結晶の縮径部にスリップが入ることを予防し得るシリコン単結晶引上げ用の種結晶を提供する。 - 特許庁 - To provide a device for feeding a silicon melt stably feeding the silicon melt into a crucible for pulling a silicon single crystal when the single crystal is grown by a continuous charge CZ process.
連続チャージＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、単結晶引き上げ用ルツボにシリコン融液を安定して供給することができるシリコン融液の供給装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a high-quality single crystal having a large diameter and long length, capable of collecting a wafer having grown-in defects such as metastasis dislocation cluster and infrared scatter reduced as much as possible by a CZ method.
ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる、径の大きい長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor single crystal by a CZ method capable of controlling the resistivity and the oxygen concentration of a silicon single crystal and improving the yield of the single crystal.
シリコン単結晶の抵抗率と酸素濃度を制御し、かつ、単結晶収率を向上させることが可能なＣＺ法による半導体単結晶製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method for producing a silicon wafer comprises growing a silicon single crystal rod doped with nitrogen by CZ method while controlling a nitrogen concentration, an oxygen concentration and a cooling rate and processing the silicon single crystal rod into a wafer.
ＣＺ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、窒素濃度、酸素濃度、及び冷却速度を制御しつつ育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工するシリコンウエーハの製造方法。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped silicon single crystal by Czochralski method (CZ method) capable of suppressing cost of manufacturing by sufficiently reducing the used amount of an expensive raw material for a nitrogen dopant.
高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して、製造コストの抑制を実現できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a high-quality single crystal capable of providing a wafer having minimized Grown-in defects such as dislocation clusters and infrared scatterers, and having a large diameter and a long length by a CZ(Czochralski) method.
ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる大径長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。 - 特許庁 - To stably pull a single crystal at a high pulling speed while controlling the deformation degree of the single crystal to a target value and suppressing the density of grow-in defects to be not more than an upper limit value when the single crystal is pulled by a CZ method.
ＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、結晶変形率を目標値に制御し、且つgrown-in欠陥の密度を上限値以下に抑制しつつ、可及的に速い引上げ速度で安定な引上げを行う。 - 特許庁 - In the process of growing a carbon-doped silicon single crystal by the CZ (Czochralski) method from a silicon melt to which carbon is added, a quartz crucible having an aluminum low concentration layer with aluminum concentration of ≤0.1 ppm on the inner surface is used.
炭素が添加されたシリコン溶融液からＣＺ法により炭素ドープシリコン単結晶を育成するに際し、内表面側にアルミニウム濃度が０．１ｐｐｍ以下のアルミニウム低濃度層を有する石英ルツボを用いる。 - 特許庁 - When inputting the element composition of steel, a critical cooling time prediction part 12 consisting of a learned neural network predicts the critical cooling time Cz', Cp', Cf', Ce'(critical cooling time obtained at the time of slowly cooling the steel so as not to form each of bainite, pearlite, ferrite, and bainite) of the steel from its composition.
学習済のニューラルネットワークからなる臨界冷却時間予測部１２は、鋼材の元素組成が入力されると、その組成から鋼材の臨界冷却時間Ｃｚ’、Ｃｐ’、Ｃｆ’、Ｃｅ’を予測する。 - 特許庁 - To provide a method of producing a siliceous glass crucible, by which the siliceous glass crucible free from defects described and known from the level of technology when a single crystal, preferably a Si single crystal is grown by a CZ method can be formed.
ＣＺ法を用いて単結晶、好ましくはＳｉ単結晶を引き上げる際に、記載された及び技術水準から公知の欠点を有しないるつぼを生じさせる、ケイ酸ガラスるつぼの製造方法。 - 特許庁 - To enable the use of an inexpensive crucible and control the distortion of a growing crystal by reducing the temperature gradient of the melt in the crucible in a single crystal pulling apparatus based on the Czochralski (Cz) method.
チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げ装置において、安価なるつぼの使用を可能とするとともに、るつぼ内の融液の温度勾配を緩くして、成長させた単結晶の歪みを抑制する。 - 特許庁 - To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt.
チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。 - 特許庁 - A p-type CZ wafer(face orientation<100>, resistivity 0.01 to 0.02 Ωcm) is immersed into the obtained alkali solution for 10 min., mixing its solution, thereafter, the silicon wafer is rinsed in flowing water by 5 min.
得られたアルカリ溶液中に、Ｐ型のＣＺウェーハ（面方位〈１００〉、比抵抗０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）を１０分間、この溶液を攪拌しながら浸漬し、その後、流水中で５分間だけシリコンウェーハをリンスした。 - 特許庁 - To provide a method for pulling a silicon single crystal capable of improving yield by preventing exfoliation of cristobalitized crystallized layer and its mingling into the single crystal in particular in producing the silicon single crystal by a CZ process.
ＣＺ法によるシリコン単結晶を製造する際、特に、クリストバライト化した結晶化層の剥離と、単結晶中への混入を防止して、歩留まりを向上させ得るシリコン単結晶の引上方法を提供する。 - 特許庁 - A phase transformation diagram pattern prediction part 16 similarly consisting of a learned neural network predicts a phase transformation diagram pattern based on the critical cooling time Cz', Cp', Cf', Ce' outputted from the prediction part 12.
同様に学習済のニューラルネットワークからなる相変態図パターン予測部１６は、臨界冷却時間予測部１２から出力される臨界冷却時間Ｃｚ’、Ｃｐ’、Ｃｆ’、Ｃｅ’に基づいて相変態図パターンを予測する。 - 特許庁 - A liquid crystal cell has the color filter having the CX, CY and CZ equal to one another within 10% error.
カラーフィルタ等のＣＸ等は、カラーフィルタ等をパラレルニコル状態及びクロスニコル状態の当該一対の偏光板の間に挟んだ状態で光を照射して得られるそれぞれの三刺激値等を用いて、所定のモデル式で定義される。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an oxide single crystal without forming a tail and having no crystal defect in its straight body part by Cz method using a feed material having a crystal composition different from the melt solution composition.
融液組成と結晶組成が異なる原料を用いて、Ｃｚ法によって、テール形成を形成することなく、直胴部に結晶欠陥のない酸化物の単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The silicon wafer is cut out from the silicon single crystal grown by the CZ method and doped with the nitrogen, and generates the oxidation-induced stacking faults in a density of ≥103/cm2 on the surface, when a high temperature oxidation treatment is applied.
(2) ＣＺ法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、高温酸化処理を施した場合にその表面に10^3/cm^2以上の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコンウェーハである。 - 特許庁 - The method for growing the n-type silicon single crystal of P-dope by CZ method is characterized by using a raw material melt having at least one of Ga, In or Al initially added as the secondary dopant to P as a main dopant.
ＣＺ法によりＰドープのｎ型シリコン単結晶を育成する際に、主ドーパントであるＰに対する副ドーパントとしてＧａ、Ｉｎ又はＡｌの少なくとも１種を初期添加した原料融液を使用する。 - 特許庁 - To provide a CZ method-based single crystal pulling device having a mechanism for lifting/lowering a heat shielding body with which the efficiency of work can be surely improved, and which is able to endure the marked increase in the load of the work.
確実に作業効率を向上させることができ、かつ、作業負担の著しい増大にも耐えることができるような熱遮蔽体昇降機構を備えたＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - The method for producing a silicon single crystal by using the FZ method includes using a P-type silicon crystal formed by a CZ method as a raw material rod, and then forming an N-type silicon single crystal by performing gas-doping with an N-type impurity.
ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＣＺ法により形成されたＰ型のシリコン結晶を原料棒とし、Ｎ型の不純物をガスドープして、Ｎ型のシリコン単結晶を形成する。 - 特許庁 - The silicon epitaxial wafer 100 is manufactured by a CZ method, and a silicon epitaxial layer 2 is formed on a silicon single crystal substrate 1 wherein boron has been doped so that resistivity reaches not more than 0.018 Ωcm.
シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。 - 特許庁 - A sub CPU (81) of the game machine 1 notifies players to avoid the shift to a lower level RT (replay time) when the value of a number of AT (assist time) games counter exceeds 1 in a chance zone (CZ) or a special chance zone (SCZ).
遊技機（１）のサブＣＰＵ（８１）は、チャンスゾーン（ＣＺ）又はスペシャルチャンスゾーン（ＳＣＺ）において、ＡＴ遊技数カウンタが１以上である場合には、低ＲＴに移行することを回避する報知を行う。 - 特許庁 - To provide a charging method for single crystal raw material where an additional charge of a semiconductor single crystal rod is performed in a short time, without contaminating a device, without causing breakage of a seed crystal, and without generating dislocation of a crystal, using a Czochralski(CZ) method.
ＣＺ法において、装置を汚染することなく、短時間でかつ、種結晶の折損、結晶の有転位化をを引き起こすことなく半導体単結晶棒の追加チャージを行う方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for determining the temperature of a single crystal under pulling, a means therefor and a method of single crystal growth using these techniques, each intended to stably produce a high-quality silicon single crystal with grown-in defects diminished to a minimum by CZ method.
ＣＺ法にてGrown-in欠陥をできるだけ少なくした、高品質シリコン単結晶を安定して製造するための、引き上げ中単結晶の温度計測方法、計測手段およびそれらを用いた育成方法の提供。 - 特許庁
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