「CZ」を含む例文一覧(247)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- The method for manufacturing a silicon single crystal includes a process of forming an ingot by a Czochralski method (CZ method), in which a melt 12 of phosphorus-doped polycrystalline silicon is used as a raw material, and the crystal growth rate V is increased as pulling of the ingot 1 advances.
チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。 - 特許庁 - To provide a single crystal pulling apparatus capable of making the convex shape of a tail part of ingot small, when a single crystal is grown up from a raw material melt by the CZ method, a method for pulling a single crystal and a produced single crystal.
ＣＺ法により原料融液から単結晶を成長させる際、インゴットの尾部の凸形状を小さくすることができる単結晶引き上げ装置、単結晶引き上げ方法及び製造された単結晶を提供する。 - 特許庁 - In the growing method of a silicon single crystal by CZ method, in the necking process where the seed diameter is reduced, rotation number of a crucible is set not higher than 0.1 rpm in the normal or reverse direction to the direction of the rotation of the seed crystal.
ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成方法において、シード直径を減少させる絞り工程で、ルツボ回転数を、前記種結晶の回転方向に対して正方向または逆方向に０．１ｒｐｍ以下とする。 - 特許庁 - To dispel the fear that a crucible is broken and causes a raw material melt to leak out when the raw material melt remaining in the crucible is solidified to subject it to disposal or the like in producing a single crystal by the CZ method.
ＣＺ法により単結晶を製造する際に、ルツボ内に残存する原料融液を廃棄等するために固化しても、ルツボが割れて原料融液が漏れ出す恐れの少ない単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a silicon single crystal ingot, capable of solving unevenness of BMD density on a wafer surface caused by an OSF ring in pulling out the silicon single crystal ingot doped with nitrogen by CZ method.
ＣＺ法により窒素をドーピングしたシリコン単結晶インゴットの引上げにおいて、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消するシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently and surely designing conditions for pulling under which the solidification arising except on the growth interface of a grown single crystal hardly occurs during pulling of the single crystal in manufacturing the single crystal by a Czochralski (Cz) method.
チョクラルスキー法で単結晶を製造する際に、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化が発生しにくい引き上げ条件を、効率的かつ確実に設計する方法を提供する。 - 特許庁 - An improved CZ system based on the Czochralski method for continuous growth of a single crystal ingot includes an essentially flat crucible having a small aspect ratio and large diameter and having a selective weir encircling the crystal.
単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。 - 特許庁 - To provide a method capable of stably manufacturing a single crystal in which the total surface in a crystal diameter direction is a defect-free region over the total range of the crystal growth axis direction when the single crystal is grown by a CZ method.
ＣＺ法により単結晶を育成する際に、結晶成長軸方向の全域に渡って結晶径方向の全面が無欠陥領域となる単結晶を安定して製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To increase the productivity of a silicon single crystal and to avoid lowering in the quality of the single crystal, resulting from point defects (vacancies and interstitial silicon) when the silicon single crystal used as a base material, or the like, of a semiconductor device is grown by a CZ method.
半導体デバイスの素材などに用いられるシリコン単結晶をＣＺ法で育成するとき、シリコン単結晶の生産性を高めると同時に、点欠陥（空孔および格子間シリコン）に起因するシリコン単結晶の品質低下を避ける。 - 特許庁 - When an RT (replay time) working symbol 1 is displayed in a chance zone (CZ) or a special chance zone (SCZ), the main CPU (31) of the game machine (1) controls to make the replay shift to a high level RT (3 cherry) with a high probability of determining it as the internal lottery combination.
遊技機（１）のメインＣＰＵ（３１）は、チャンスゾーン（ＣＺ）又はスペシャルチャンスゾーン（ＳＣＺ）においてＲＴ作動図柄１が表示されると、リプレイが内部当籤役として決定される確率が高い高ＲＴ（３チェ）に移行する制御を行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of silicon single crystal, in which the optimum manufacturing condition to control the size and the density of grow-in defect caused by void to be a desired value is precisely obtained at the time of growing silicon single crystal using the CZ method.
ＣＺ法を用いてシリコン単結晶を育成する際に、空孔起因のグローンイン欠陥のサイズならびに密度を所望の値とする最適製造条件を的確に求めることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of melting raw material silicon which is capable of providing liquid splashing during melting of the raw material silicon when the lumpy or granular raw material silicon is melted in a crucible in pulling up a single crystal by a CZ process.
ＣＺ法によって単結晶引上げを行う際に、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内で融解をするにあたって、原料シリコン融解時における液ハネを防止することができる原料シリコンの融解方法を提供する。 - 特許庁 - The screw for resin extrusion having a feed zone FZ, a compression zone CZ, and a metering zone MZ has a heating zone HZ for heating a resin while suppressing mixing of a resin at the part from the metering zone MZ to the tip section of the screw.
フィードゾーンＦＺ、コンプレッションゾーンＣＺおよびメータリングゾーンＭＺを有する樹脂押出用スクリュウにおいて、メータリングゾーンＭＺからスクリュウ先端部にかけて、樹脂のミキシングを抑制しながら、樹脂を加熱するためのヒーティングゾーンＨＺを有する。 - 特許庁 - When the silicon single crystal is manufactured by a CZ process, a crucible (C/C crucible) consisting of a carbon fiber reinforced carbon material having an ash content of ≤1 ppm is used as the crucible for housing the quartz crucible and the silicon single crystal is pulled up at a pulling up speed of 0.3 to 0.5 mm/min.
ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する場合に、石英坩堝を収容する坩堝として、灰分1ppm以下の炭素繊維強化炭素材からなる坩堝（Ｃ／Ｃ坩堝）を使用し、0.3〜0.5mm／minの引き上げ速度でシリコン単結晶を引き上げる。 - 特許庁 - To produce using CZ method under stable conditions a silicon single crystal wafer having OSF or OSF nuclei on the whole crystal surface or the whole crystal surface except the outer peripheral part when subjected to thermal oxidation treatment and having gettering ability as well.
熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にＯＳＦまたはＯＳＦの核が存在し、かつゲッタリング能力を有するＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁 - The first silicon substrate 14 is formed by slicing an ingot wherein there exists no aggregate of a hole type point defect and a silicon type point defect between lattices that are grown by CZ method in an inactive atmosphere containing hydrogen.
第１シリコン基板１４は、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成される。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped silicon single crystal by the Czochralski method (CZ method) capable of suppressing raw material procurement cost by sufficiently decreasing the used amount of a high-priced raw material of a nitrogen dopant and capable of improving manufacturing efficiency.
高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して原料調達コストの抑制を実現でき、生産効率を向上させることが可能なチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon single crystal production process which enables growth of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the growth direction of the single crystal being grown, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method.
横磁場を印加するＣＺ法において、成長単結晶の成長方向の格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶棒を高生産性、高歩留りで育成できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When winning the cherry in the normal game state, an AT winning suggestion performance is executed irrespective of whether a navigation stock number is acquired; and when the navigation stock number is acquired, an AT winning announcement performance is executed after transited to CZ.
通常遊技状態においてチェリーが当選した場合には、ナビストック数を獲得したか否かに関わらず、ＡＴ当選示唆演出を実行し、ナビストック数を獲得している場合には、ＣＺに移行した後にＡＴ当選告知演出を実行する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect region can be efficiently manufactured in a short period of time by controlling the ratio V/G without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.
ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずにＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a molding room 8A and between an IN port table 9A for forming a taking-in zone and an OUT port table 10A for forming a taking-out zone, there are arranged a heating zone HZ, a molding zone MZ, and a cooling zone CZ, each directed to the left side.
成形室８Ａ内において、取り入れゾーンを形成するＩＮポートテーブル９Ａと取り出しゾーンを形成するＯＵＴポートテーブル１０Ａとの間には、左方に向けて、加熱ゾーンＨＺ、成形ゾーンＭＺ、冷却ゾーンＣＺがそれぞれ配置されている。 - 特許庁 - To provide a silicon single crystal production process which enables production of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the direction of the growth axis of the single crystal, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method, and also to provide a device for the production process.
横磁場を印加するＣＺ法において、単結晶の成長軸方向の格子間酸素濃度の均一性が高い単結晶棒を高生産性、高歩留りで製造できるシリコン単結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a device, with which airtightness in the peripheral direction of a pipe is carried out simply by using a CZ-character type rubber ring (2) and airtightness is improved by removing rubber-ring crossing sections in the axial direction and the peripheral direction, while enhancing the workability of assembly.
この発明は、Ｃ乙字型ゴムリング（２）を使用して，パイプの周方向の気密を簡単に行え，軸方向と円周方向のゴムリング交錯部を無くして気密性を高めると共に 組み立ての作業性を向上させる装置に関するものである。 - 特許庁 - The apparatus for growing the single crystal from a raw material melt by the CZ method is provided with an annular cooling body so as to encircle the single crystal grown from the raw material melt.
チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を育成する単結晶育成装置において、原料融液から育成される単結晶を包囲するように環状の冷却体を設け、該冷却体を冷却体内部を流通する気体により冷却する。 - 特許庁 - To provide a silicon single crystal-producing method which enables production of a grown crystal having a resistivity distribution equivalent to that of the single crystal product obtained by a conventional FZ method even when a silicon crystal having been pulled by a CZ method is used.
ＣＺ法により引き上げられたシリコン結晶を原料素材としても、従来のＦＺ法で得られる製品単結晶と同等の抵抗率分布を有する成長結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an apparatus for producing a semiconductor single crystal in which vaporized substances or reaction products from a melt, or the like, can be discharged to the outside of a furnace without bringing them into contact with a graphite crucible or a heater when the single crystal is pulled by a CZ method and which has an inexpensive structure.
ＣＺ法による単結晶の引き上げにおいて、融液などからの蒸発物や反応生成物を黒鉛るつぼ、ヒータに触れることなく炉外に排出させることが可能で、安価な構造の半導体単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, a zoom controller CZ is provided for controlling an optical zoom magnification of an imaging unit on the basis of the segmentation region set by the segmentation region setting section 62, and the optical zoom magnification is controlled in such a way that an angle of field of the input image becomes proper.
また、切り出し領域設定部６２で設定された切り出し領域に基づいて、撮像部の光学ズーム倍率を制御するズーム制御部ＣＺが備えられ、入力画像の画角が適正なものとなるように、光学ズーム倍率の制御が行われる。 - 特許庁 - In this method, in a manufacturing method of an oxide single crystal with a crystal composition different from the melt solution composition by the Cz method, a part of a pulled crystal is melted and the crystal is separated from the melt solution.
本発明は、Ｃｚ法による融液組成と結晶組成の異なる単結晶の製造に際して、直胴部育成が終了した段階で、引上げ結晶の一部を溶融して結晶を融液から切り離すことを特徴とする単結晶の製造方法である。 - 特許庁 - To manufacture a silicon single crystal wafer with the CZ method under stable condition which is capable of improving in electric performance such as oxidation high withstanding voltage surely without belonging to a hole rich V region, an OSF region, and a between lattice silicon rich I region.
空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ域のいずれにも属さず、かつ確実に酸化膜耐圧等の電気特性を向上させることができるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁 - The band pass filter is configured by a multiple stages of cascade connection of full differential operational amplifiers OP1i-OP3i, OP1q-OP3q and a plurality of low pass filters, composed of resistors R1-R3 and capacitors C1-C3, Cz connected in parallel between the inputs and the outputs of the operational amplifiers.
全差動オペアンプＯＰ１ｉ〜ＯＰ３ｉ、ＯＰ１ｑ〜ＯＰ３ｑと、その出力と入力との間に並列に接続された抵抗Ｒ１〜Ｒ３および容量Ｃ１〜Ｃ３、Ｃｚからなるローパスフィルタを、複数段縦続接続してバンドパスフィルタを構成する。 - 特許庁 - An initial silicon wafer used for the production is manufactured from a single crystal silicon ingot pulled and grown by a CZ (Czockralski) method for instance, and an inter-grating oxygen concentration [Oi] within a crystal is 1.0 to 1.8×10^18 atoms/cm^3 for instance.
作製に使用される初期のシリコンウェーハは、例えばＣＺ法により引上げ育成した単結晶シリコニンゴットから製造されたものであり、結晶内の格子間酸素濃度［Ｏｉ］が例えば１．０〜１．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のものである。 - 特許庁 - In a step of filling polycrystalline silicon of a CZ (Czochralski) method, small-sized polycrystalline silicon chunks S1 are not used as polycrystalline silicon chunks S to be supplied, only middle-sized polycrystalline silicon chunks S2 and large-sized polycrystalline silicon chunks S3 are used.
ＣＺ法の多結晶シリコンの充填工程において、供給される多結晶シリコン塊Ｓとしてスモールサイズ多結晶シリコンＳ１は用いられておらず、ミドルサイズ多結晶シリコン塊Ｓ２とラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３のみが用いられている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by which a CZ silicon single crystal containing oxygen of low concentration, in particular, of an extremely low concentration of ≤15 ppma(ASTM'79) or further of an ultra-low concentration of ≤10 ppma can be stably supplied.
低酸素濃度、特に１５ｐｐｍａ（ＡＳＴＭ’７９）以下の極低酸素濃度、さらには１０ｐｐｍａ以下の超低酸素濃度のＣＺシリコン単結晶を安定的に供給することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce the dispersion to a target value of the resistivity and to manufacture high resistivity silicon single crystals having uniform resistivity in a method for stably manufacturing the high resistivity silicon single crystals having resistivities of 100-2,000 ohm-cm by a CZ method after melting a silicon raw material.
シリコン原料を溶解してＣＺ法により抵抗率が１００〜２０００Ωｃｍの高抵抗シリコン単結晶を製造する方法において、抵抗率の狙い値に対するバラツキを軽減し、抵抗率が揃った高抵抗シリコン単結晶を安定に製造する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a silicon single crystal where the success rate of non-dislocation at a diameter-enlarged part is enhanced and where a single crystal rod having a large diameter of 300 mm or more is efficiently grown in the method that the silicon single crystal rod is pulled by a CZ (Czochralski) method.
ＣＺ法（チョクラルスキー法）によりシリコン単結晶棒を引き上げてシリコン単結晶を製造する方法において、拡径部の無転位化の成功率を向上し、直径３００ｍｍ以上の大直径の単結晶棒を効率的に育成するシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A grip part 41 in a rigid endoscope 21 having an objective lens 2 at a distal end 40a of a rigid insertion part 40 is detachably mounted with a sense coil unit 43 incorporating sense coils Cx, Cy and Cz electromagnetically detecting the position of an indwelled marker indwelled in the affected part or the like.
硬性の挿入部４０の先端部４０ａに対物レンズ６２を設けた硬性内視鏡２１における把持部４１には、患部等に留置される留置マーカの位置を電磁的に検出するセンスコイルＣｘ，Ｃｙ，Ｃｚを内蔵したセンスコイルユニット４３が着脱自在に装着される。 - 特許庁 - This method of manufacturing the silicon single crystal by a Czochralski(CZ) process comprises doping carbon to the silicon single crystal in such a manner that the carbon concentration in the silicon single crystal to be grown attains 0.18×10^16 to 0.61×10^16 atoms/cm^3 (New ASTM).
チョクラルスキー（ＣＺ）法によるシリコン単結晶の製造方法において、育成されるシリコン単結晶中の炭素濃度が０．１８×１０^１６〜０．６１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ）となるように、シリコン単結晶に炭素をドープするシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁 - In the CZ method based single crystal pulling-up equipment, a touch sensor is installed between the cooler 19 and other members order to detect immediately and precisely the clash between them and then to immediately retreat the cooler 19 from a risky area.
例えばクーラー１９と他の部材との間でタッチセンサを形成することによってそれらの間の衝突を迅速かつ適確に検知し、当該迅速かつ適確な検知に基づいてクーラー１９を危険箇所から迅速に退避させるようなＣＺ法単結晶引上げ装置とする。 - 特許庁 - The facing edges of a bottom BE between a lateral surface Wa and the other lateral surface Wz of the bag B are attached with bar-shaped buffer material Ca, Cz which are thick enough to keep the bottom from the ground when the bag B keeps goods inside and is placed down.
また、バッグＢの一方の外側面Ｗａおよび他方の外側面Ｗｚ間の底面ＢＥの対向する縁部に、バッグＢに物品を収容して下に置いたときにも上記底面が接地しない太さの棒状の緩衝部材Ｃａ，Ｃｚをそれぞれ配置した。 - 特許庁 - This endoscope, using the information, detects the relative positional relation between the indwelled marker and the position P of the distal end 40a by the detection of the indwelled marker by the sense coils Cx, Cy and Cz and easily guides the distal end 40a to a position such as the affected part indwelled with the indwelled marker.
その情報を利用し、センスコイルＣｘ，Ｃｙ，Ｃｚによる留置マーカの位置の検出によりその留置マーカの位置と先端部４０ａの位置Ｐとの相対的な位置関係を検出し、留置マーカが留置された患部等の部位に先端部４０ａを導き易くする。 - 特許庁 - In the method for growing the silicon single crystal by a CZ method (Czochralski method), the concentration of oxygen in the silicon single crystal is made to be ≤9×10^17 atoms/cm^3 and nitrogen is doped in a concentration of nitrogen in the crystal of 1×10^12 to 5×10^15atoms/cm^3.
ＣＺ法（チョクラルスキー法）によってシリコン単結晶を育成する方法において、単結晶中の酸素が９×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下の濃度であり、窒素が１×１０^12ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜５×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の濃度でドープする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor single crystal in which the optimal pulling condition can be simply obtained in a semiconductor single crystal pulling by a CZ method, and the equalization of a crystal characteristic is attained in not only the inside of a single crystal ingot but also in between the ingots.
ＣＺ法による半導体単結晶引上げにおいて、最適な引上げ条件を簡便に求めることができ、単結晶インゴット内のみならず、各インゴット間においても、結晶特性の均一化を図ることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a single crystal under gripping the enlarged-diameter portion of the single crystal formed by CZ method, intended to grow and pull it in dislocation-free and stable state without causing its deformation or rupture even if the enlarged-diameter portion stands at high temperatures and the corresponding single crystal rod has a weight of as heavy as about 400 kg with large diameter.
ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下部を把持する構成において、径拡大部が高温であり、４００ｋｇ程度の大重量、大径の単結晶棒であっても変形、破断を生じさせず、無転位でかつ安定した状態で成長させ引き上げる。 - 特許庁 - The method for growing the silicon single crystal by a CZ method comprises adding a dopant so that the resistivity in the crystal becomes 0.025-0.008 Ωcm in an inert atmosphere containing hydrogen and at the same time, adding carbon, and then pulling the silicon single crystal.
ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、水素を含む不活性雰囲気中で結晶中の抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍとなるようにドーパンドを添加するとともに、炭素を添加してシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成方法とする。 - 特許庁 - When the navigation stock number is not acquired, a high-probability winning suggestion performance is executed in the CZ after the finish of the normal game state; and when the control of the high-probability mode is determined, a high-probability middle performance is executed when transited to the normal game state once again after the determination of the control.
ナビストック数を獲得していない場合には、通常遊技状態終了後のＣＺにおいて高確率当選示唆演出を実行し、高確率モードの制御が決定されている場合には、その後、再び通常遊技状態に移行した際に、高確率中演出を実行する。 - 特許庁 - To produce a silicon single crystal wafer which has extremely low defect density throughout the whole surface region of the crystal and particularly from which small pits are eliminated and which has excellent oxide film dielectric strength characteristics, under high-rate production conditions having wide control width and easy controllability, while maintaining high productivity, by using a CZ(Czochraliski) method.
高速下に制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、結晶の全面の領域において極低欠陥密度で、特に小ピットを排除した、酸化膜耐圧特性に優れたＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを高生産性を維持して製造する。 - 特許庁 - A silicon lump 8 remaining in a crucible which is not used as a raw material for producing a silicon single crystal is then supplied to a residual silicon melt 3a remaining in the quartz crucible 1a and melted to produce a melt 9, from which a raw material silicon ingot 10 is pulled by the CZ process.
その後、石英ルツボ１ａ内に残存している残存シリコン融液３ａに、シリコン単結晶製造用の原料として使用されないシリコン原料であるルツボ残シリコン塊８を供給して溶融し、この融液９からＣＺ法により原料シリコンインゴット１０を引き上げる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a single crystal which minimizes damages by dealing with such accidents that are caused from flowing out of a melt from a crushed crucible caused from the large swinging and dropping of the single crystal that has been subjected to a vibration of an earthquake or the like during pulling up of the single crystal by CZ (Czochralski) method.
ＣＺ法(チョクラルスキー法)で単結晶を引上中に地震などの振動を受けて、単結晶が大きく揺れて落下し、ルツボが破壊して融液が流出する事故が起こる等の事故に対処して、被害を最小にする単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁 - The position of the dwelling marker is detected with the sensory coils Cx, Cy and Cz utilizing the information to find a relative positional relationship between the position of the dwelling marker and the position P of the tip part 40a, thereby facilitating the guiding of the tip part 40a to the site such as the affected part where the dwelling marker is dwelled.
その情報を利用し、センスコイルＣｘ，Ｃｙ，Ｃｚによる留置マーカの位置の検出によりその留置マーカの位置と先端部４０ａの位置Ｐとの相対的な位置関係を検出し、留置マーカが留置された患部等の部位に先端部４０ａを導き易くする。 - 特許庁 - Further, the Cz silicon wafer contains void defects in its inside and has a characteristic that in an optional rectangle which circumscribes the void defect image formed by projecting a void defect to optional {110} face, the maximum ratio (L1/L2) of length (L1) of the long side to the length (L2) of the short side of the rectangle is at least 2.5.
およびＣＺシリコンウエーハであって、その内部に空洞欠陥を含み、任意の{１１０}面に投影された該空洞欠陥像に外接する任意の長方形における、長い辺の長さＬ１と短い辺の長さＬ２との比（Ｌ１／Ｌ２）の最大値が２．５以上であるシリコンウエーハ。 - 特許庁
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