「CZ」を含む例文一覧(248)
＜前へ 1 2 3 4 5- Further, the Cz silicon wafer contains void defects in its inside and has a characteristic that in an optional rectangle which circumscribes the void defect image formed by projecting a void defect to optional {110} face, the maximum ratio (L1/L2) of length (L1) of the long side to the length (L2) of the short side of the rectangle is at least 2.5.
およびＣＺシリコンウエーハであって、その内部に空洞欠陥を含み、任意の{１１０}面に投影された該空洞欠陥像に外接する任意の長方形における、長い辺の長さＬ１と短い辺の長さＬ２との比（Ｌ１／Ｌ２）の最大値が２．５以上であるシリコンウエーハ。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of a dislocation with the movement to the straight body part and simultaneously removing an overhang at the upper end part of the straight body part, in growing a silicon single crystal having a specific resistance of 0.02 Ωcm or less by a CZ (Czochralski) method.
比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下であるシリコン単結晶をＣＺ法で育成するに際し、直胴部への移行に伴い転位の発生を防止し、同時に、直胴部の上端部分の張り出しをなくすことができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁 - At (b), the voltage is applied between the single crystal silicon ingot 14 to be grown and the silicon melting liquid when the single crystal silicon ingot 14 is pulled up from the silicon melting liquid by the CZ method after melting the silicon ingot 5b for the raw material grown by melting the silicon raw material 13.
また、（ｂ）においては、シリコン原料１３を溶融して育成した原料用シリコンインゴット５ｂを溶解した後、このシリコン溶融液からＣＺ法により単結晶シリコンインゴット１４を引上げる際に、育成される単結晶シリコンインゴット１４とシリコン溶融液間に電圧を印加する。 - 特許庁 - After the surface of a germanium melt 1a is partially or wholly covered with a melt 2a of boron oxide (B_2O_3) inside a crucible 10 made of quartz, glassy carbon or graphite, a germanium single crystal 4 is pulled and grown by Czochralski method (CZ method).
石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B_2O_3）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。 - 特許庁 - To provide an apparatus for growing a single crystal capable of making a cooling body function effectively with respect to a trend toward an increasingly higher pulling up speed in pulling up a single crystal by a CZ (Czochralski) method by using the cooling body and further capable of effectively preventing the crack of the single crystal due to excessive cooling of the single crystal.
冷却体を用いたＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、引上げ速度の高速化に対して冷却体を有効に機能させ、且つ、単結晶の過度の冷却による単結晶の割れを効果的に防止できる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁 - At (a), the crystal raw material 5a for manufacturing the single crystal silicon is manufactured by applying a voltage between the silicon ingot 5a to be grown and the silicon melting liquid 11 when a the silicon ingot 5a is grown from the melting liquid 11 by a CZ method after melting the silicon raw material 13 in a crucible 1a.
（ａ）において、シリコン原料１３をルツボ１ａ内で溶融した後、この溶融液１１からＣＺ法によりシリコンインゴット５ａを育成する際に、育成されるシリコンインゴット５ａとシリコン溶融液１１間に電圧を印加し、単結晶シリコン製造用結晶原料５ａを製造する。 - 特許庁 - To provide a method for guaranteeing the resistivity of a silicon single crystal substrate, by which the accurate resistivity of a silicon single crystal substrate for a product can be guaranteed in a CZ silicon single crystal substrate in which nitrogen is added, and to provide a method for manufacturing the silicon single crystal substrate, and a silicone single crystal substrate.
窒素添加のＣＺシリコン単結晶基板において、製品用シリコン単結晶基板の正確な抵抗率保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板を提供する。 - 特許庁 - To grow and pick up a single crystal bar in a dislocation-free and stable state without deforming and rupturing even when the single crystal bar has a high temperature diameter enlarged part and a weight of approximately 400 kg and a large diameter with constitution of holding the diameter enlarged part of the single crystal formed by CZ method.
ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下部を把持する構成において、径拡大部が高温であり、４００ｋｇ程度の大重量、大径の単結晶棒であっても変形、破断を生じさせず、無転位でかつ安定した状態で成長させ引き上げる。 - 特許庁 - (2) The single crystal pulling device for growing a single crystal 10 by the CZ method from a melt 5 in the crucible 2 is equipped with a heater 1 incorporated therein which is concentrically disposed outside the crucible 2, and heats the raw material supplied into the crucible 2 and retaining the material in a melt state.
（２）ルツボ２の外側に同心円状に配置され、ルツボ２内に供給される原料を加熱して溶融状態に保持するためのヒーター１を備え、ルツボ２内の溶融液５からＣＺ法により単結晶１０を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーター１が組み込まれている引上げ装置である。 - 特許庁 - To provide a semiconductor single crystal pulling apparatus in which the pulling speed is increased by improving the cooling efficiency of the pulled single crystal without complicating the apparatus configuration and moreover, a high-quality single crystal can be efficiently manufactured in the case of pulling a semiconductor single crystal such as silicon by a CZ method.
ＣＺ法によるシリコン等の半導体単結晶引上げにおいて、装置構成を複雑化することなく、引上げる単結晶の冷却効率を向上させることにより、引上速度を向上させ、ひいては、高品質の単結晶を効率よく製造することができる半導体単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for puling a silicon single crystal which is based on a CZ method and by which a high quality silicon single crystal free from distortions or defects in the crystal can be easily and reliably pulled with a high speed even when the crystal has a large diameter, and to provide a pulling device suitably used for the same.
ＣＺ法によるシリコン単結晶引上げにおいて、結晶歪みや欠陥等がない高品質のシリコン単結晶を、大口径の単結晶であっても、容易かつ確実に高速で引上げることができるシリコン単結晶引上方法、および、この方法に好適に用いられる引上装置を提供する。 - 特許庁 - When an Si single crystal ingot is manufactured by CZ method, the concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.
ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a silicon single crystal wafer consisting of an N-region where neither V-rich region nor I-rich region is present and the defect density is extremely low in the entire surface of the crystal produced by the CZ method, under the condition that can be controlled easily in a wide range, while maintaining high yield and high productivity.
制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるＮ−領域からなるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを、高歩留り、高生産性を維持しながら製造する方法を提供する。 - 特許庁 - By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.
ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing single crystals, by which a plurality of single crystals, each having a respectively desired crystal quality, can be manufactured without changing structures in a chamber of a single crystal production apparatus when the plurality of single crystals are grown in the production of the single crystals by a CZ method.
ＣＺ法による単結晶の製造において、複数の単結晶を育成する際に、単結晶製造装置のチャンバ内の構造物を取り替えることなく、各単結晶がそれぞれ所望の結晶品質を有するように単結晶を製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The silicon-crystal substrate contains the O-N-O complex at 50% or higher of the nitrogen content, in a CZ-silicon crystal added with nitrogen at a concentration range of 1×10^13 to 1×10^15 atom/cm3, and which can be manufactured by an appropriate heat treatment process and controlled for quality.
本発明のシリコン結晶基板は、窒素を１×１０^１３〜１×１０^１５ａｔｏｍ／ｃｍ^３ の範囲で添加したＣＺ−シリコン結晶中に、Ｏ−Ｎ−Ｏ複合体を含有窒素の５０％以上含有することを特徴とし、適当な熱処理工程により製造および品質管理することができる。 - 特許庁 - A sensory coil unit 43 having sensory coils Cx, Cy and Cz built in for electromagnetically detecting the position of a dwelling marker to be dwelled in the affected part or the like is detachably mounted at a grip part 41 of a hard endoscope 21 having an objective lens 62 at the tip part 40a of a hard inserting part 40.
硬性の挿入部４０の先端部４０ａに対物レンズ６２を設けた硬性内視鏡２１における把持部４１には、患部等に留置される留置マーカの位置を電磁的に検出するセンスコイルＣｘ，Ｃｙ，Ｃｚを内蔵したセンスコイルユニット４３が着脱自在に装着される。 - 特許庁 - To provide a method for measuring the quake of an ingot in a CZ type semiconductor single crystal pulling device, wherein the method uses a dummy ingot, enables the accurate measurement of the quake width of the ingot by the use of numerical values, and further enables the separated measurements of the quake characteristics at respective processes with the growth of the ingot, and to provide the device therefor.
ＣＺ式半導体単結晶引上装置において、インゴットの振れ幅を数値によって正確に測定することができるとともに、インゴットの成長に伴った各工程における振れ特性を個別に測定可能とした、ダミーインゴットを用いたインゴットの振れ測定方法とその装置を提供する。 - 特許庁 - A silicon single crystal ingot 20 which does not include COP (Crystal-Originated Particles) and dislocation clusters is grown by a CZ (Czochralski) method, a silicon wafer is cut out from the silicon single crystal ingot 20, and the silicon wafer as-grown is subjected to reactive ion etching, thus a grown-in defect including silicon oxide is actualized as a projection on an etching face.
ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a single crystal, by which the control of the diameter of the single crystal and the ratio V/G can be stably performed, and the single crystal having a predetermined crystal diameter and a desired defect area can be easily manufactured at a high yield when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.
ＣＺ法により単結晶を育成する際に、単結晶の直径制御とＶ／Ｇの制御とを安定して行うことができ、所定の結晶直径と所望の欠陥領域を有する単結晶を簡便にかつ高歩留まりで製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the single crystal 4 is pulled from a silicon melt 3 by using the regenerated quartz crucible 1a subjected to the regeneration treatment after being used for growing a silicon single crystal by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible in an amount of 1-70 ppm by mass based on the silicon raw material.
ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成に使用した後、再生処理を施した再生石英ルツボ１ａを用い、シリコン溶融液３から単結晶４を引き上げるに際し、石英ルツボ内のシリコン原料に、ＢａＣＯ_3粉末を、シリコン原料に対する質量比で、１〜７０ｐｐｍ添加する。 - 特許庁 - The objective CZ-type single crystal ingot production apparatus calculates the temperature gradient at the G1 region of a single crystal pulling ingot 17 based on the data obtained from a temperature sensor detecting the radiation heat emitted from the single crystal pulling ingot and controls the following factors based on the calculated temperature gradient.
単結晶引き上げインゴットからの輻射熱を検出する温度センサから得られたデータを用いて前記単結晶引き上げインゴット１７のＧ１領域の部分の温度勾配を算出し、算出された温度勾配に基づいて以下のものを制御するＣＺ法単結晶インゴット製造装置及び方法。 - 特許庁 - To provide a silicon crystal material which is manufactured by the CZ method, used for a material rod for the manufacture of silicon single crystals by the FZ method and has a support part with which the material is fitted in the crystal growth furnace of the FZ method without the need for machining.
ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of growing silicon single crystal applicable for CZ method, as well as for MCZ method which doesn't need to adopt a contraction part with specific shape while adopting large diameter contraction part, without operation of considerable skill and experience, and the length of contraction part can be shortened to the utmost.
太い径の絞り部を採用しながら、特殊な形状を有する絞り部を採用する必要もなく、また、かなりの習熟と経験が必要とされる操作をも必要としない、絞り部の長さをできるだけ短くすることができる、ＣＺ法は勿論のこと、ＭＣＺ法にも適応可能なシリコン単結晶の成長方法の提供。 - 特許庁 - The method of thermally treating a silicon wafer, wherein the method is of thermally treating silicon wafer of low oxygen concentration obtained from silicon of single crystal manufactured by CZ process, high temperature oxidation thermal treatment is performed to form a region of high oxygen concentration inside the surface of the wafer, and oxygen deposit aging treatment is then performed.
ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶から得られた低酸素濃度シリコンウェーハを用いて熱処理する方法であって、前記ウェーハの表面内部に高酸素濃度領域を形成する高温酸化熱処理を行い、その後、酸素析出物形成熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法である。 - 特許庁 - To be concrete, the solar battery cell is manufactured by forming a gallium-doped region 49 in the single crystal silicon substrate 41 formed by working a boron-doped single crystal silicon crystal pulled up by the CZ method by diffusing gallium in the substrate 41 from the first main surface side of the substrate 41 and forming a p-n junction section 48 in the region 49.
具体的には、ＣＺ法によりボロンを添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を加工したシリコン単結晶基板４１に第一主表面側からガリウムを拡散してガリウム添加領域４９を形成し、そのガリウム添加領域４９にｐ−ｎ接合部４８を形成して太陽電池セルとなす。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a single crystal without generating metal pollution and deformation of a cooling cylinder, and capable of raising the single crystal rapidly and stably within the desired defect range, in manufacturing the single crystal by CZ method raising from a feed melt liquid, and its manufacturing unit.
ＣＺ法により単結晶を原料融液から引上げて製造する際に、単結晶の冷却を効果的に行って、金属汚染を生じさせず、また冷却筒の変形を生じさせずに単結晶の引上げを所望の欠陥領域で高速でかつ安定して行うことのできる単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁 - The first-third conversion factors α1-α3 for converting the first-third infrared absorption line peak intensities corresponding to the first-third impurity nitrogen components contained in a sample into the respective concentration of the first-third impurity nitrogen components are estimated in the one sample cut out from a silicon ingot manufactured by the CZ method.
ＣＺ法で作製されたシリコンインゴットから切り出された１の試料で、当該試料に含まれる第１〜第３の不純物窒素成分に対応する第１〜第３の赤外吸収線ピーク強度を、前記第１〜第３の不純物窒素成分のそれぞれの濃度に換算する第１〜第３の換算係数α１〜α３を求める。 - 特許庁 - A silicon single crystal is manufactured by a CZ method under the conditions that the rotation speed of the crucible is controlled to ≤4 min^-1 and that the single crystal is pulled while an inert gas introduced into a growing apparatus to pass over the silicon melt surface is blown to the melt surface to produce a rotating flow along the surface of the single crystal.
（１）ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、るつぼの回転速度を４ｍｉｎ^-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect area can be efficiently manufactured in a short time at a high yield by controlling the ratio V/G by controlling change of the crystal temperature gradient G during pulling the single crystal without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.
ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずに結晶引上げ中の結晶温度勾配Ｇの変化を制御することによりＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に、かつ高い歩留まりで製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect area can be efficiently manufactured in a short period of time by controlling the ratio V/G by controlling a change in the crystal temperature gradient G during pulling the single crystal without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.
ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずに引上げ中の結晶温度勾配Ｇの変化を制御することによりＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.
ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁 - In a process of pulling up silicon single-crystal to which nitrogen and carbon are added by a CZ method and working the silicon single-crystal before forming an epitaxial layer to a wafer, a silicon single-crystal layer is deposited by an epitaxial method on the surface of a silicon single-crystal wafer to which heat treatment is carried out for one hour to three hours at 750°C to 850°C.
ＣＺ法により窒素と炭素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、エピタキシャル層を形成する前のシリコン単結晶をウェーハに加工する工程の中で７５０℃以上８５０℃以下の温度で、１時間以上３時間以下の熱処理を行ったシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積させる。 - 特許庁 - The monitor wafer for contamination detection detects the presence/absence of the contamination of the heat treating furnace with a metal impurity, the monitor wafer for contamination detection is characterized in that non-doped single-crystal thin films are vapor-phase grown on both principal surfaces of the semiconductor single-crystal substrate manufactured by slicing a single-crystal ingot grown by the CZ method.
熱処理炉の金属不純物汚染の有無を検出するための汚染検出用モニターウェーハであって、ＣＺ法により育成された単結晶インゴットからスライスして製造された半導体単結晶基板の両主表面に、ノンドープの単結晶薄膜が気相成長されたものであることを特徴とする汚染検出用モニターウェーハ。 - 特許庁 - When the intermittent supply of a primary DC voltage is stopped and an output voltage Vn becomes less than a predetermined voltage and the phototransistor 9b of the second photocoupler 9 is turned off, a terminal voltage Vx of the input terminal T2 is increased up to a threshold while gradually requiring a time at a time constant determined by the capacity of the capacitor Cz and a resistance value of the resistor R2.
間欠的な一次直流電圧の供給が停止され、出力電圧Ｖｎが許容電圧未満になって、第２フォトカプラ９のフォトトランジスタ９ｂがオフされると、入力端子Ｔ２の端子電圧Ｖｘを、コンデンサＣｚの容量と抵抗Ｒ２の抵抗値で決まる時定数で緩やかに時間を要して閾値まで上昇させる。 - 特許庁 - The SOI wafer 1 consists of a support substrate 11 of a CZ (Czochralski zone) wafer, a separated oxide film 12 having an opening 4 narrower than a blade width within a dicing line 2 on this support substrate 11, a silicon active layer 13 arranged on the separated oxide film 12, and a connection part 14 formed of silicon which buries the opening 4 to connect with the active layer 13.
ＳＯＩウェハ１は、ＣＺウェハの支持基板１１と、この支持基板１１上にダイシングライン２内でブレード幅より狭い開口部４を有する分離酸化膜１２と、分離酸化膜１２上に配置されるシリコンの活性層１３と、開口部４を埋め、活性層１３と接続するシリコンで形成された接続部１４とで構成される。 - 特許庁 - To provide a method for detecting the diameter of a single crystal capable of improving the measurement accuracy of a large, heavy crystal and achieving improvement in the yield of the single crystal and reduction of quality variation thereof in a method for detecting the diameter of a single crystal grown by the CZ process, and to provide a single crystal pulling apparatus.
ＣＺ法により育成される単結晶の直径を検出する方法において、大口径、高重量結晶の直径の測定精度を向上し、単結晶の歩留まりの向上と品質ばらつきの低減を達成することができる単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for controlling the driving part of a single crystal manufacturing apparatus, by which a single crystal free from defects can be stably grown and the yield and productivity of the single crystal can be improved by controlling the driving part of the single crystal manufacturing apparatus with digital signals when a silicon single crystal is manufactured by a CZ(Czochralski) method using a single crystal manufacturing apparatus.
ＣＺ法により、単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶を製造する際に、単結晶製造装置の駆動部をデジタル信号で制御して、無欠陥結晶を安定して育成し、単結晶の歩留まりと生産性を向上させることができる単結晶製造装置の駆動部の制御方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a growing apparatus and method, by which a larger-diameter silicon single crystal ingot larger than 200 mm as well as a middle or small diameter silicon single crystal ingot having a uniform oxygen concentration in a longitudinal direction can be produced based on a Czochralski method and the flower phenomenon generated on the growth of a single crystal can be completely controlled; and to provide wafers produced from the ingot.
チョコラルスキCZ法において、中、小口径だけでなく、200mm以上の大口径のシリコン単結晶インゴットの長手方向に酸素濃度が均一で、また単結晶の成長時に発生するフラワ現象を完全に制御することができる成長装置、成長方法及びそのインゴットから製造されたウエハを提供する。 - 特許庁 - When pulling and growing single crystal 4 from a silicon molten liquid 3 in a quartz crucible 1a by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible at a mass ratio against the silicon raw material of 0.5-35 ppm when the inner wall of the crucible is a synthesized quartz layer and of 1-70 ppm when that is a natural quartz layer.
ＣＺ法により、石英坩堝１ａ内のシリコン溶融液３から単結晶４を引上げて成長させるに際し、石英坩堝内のシリコン原料に、ＢａＣＯ_3粉末を、坩堝の内壁が合成石英層である場合には、シリコン原料に対する質量比で０．５〜３５ｐｐｍ添加し、天然石英層である場合には１〜７０ｐｐｍ添加する。 - 特許庁 - To provide a single crystal substrate that has high quality essential to growing a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal by liquid-phase epitaxial growth, has lattice constant and thermal expansion coefficient values close to those of a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film and has a composition formula that can be grown by the industrially advantageous CZ method.
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。 - 特許庁 - This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.
ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁 - To stably grow a single crystal rod without damaging the crystal habit line of the single crystal rod, causing deformation and delamination due to the weight of the rod, even when it is as heavy as 400 kg and causing dislocation due to the damage of the crystal habit line in a constitution where the bottom of the bulged portion of the single crystal rod formed by CZ method is supported.
ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下端を把持する構成において、単結晶の晶癖線に損傷を与えずかつ、単結晶の荷重が４００ｋｇ程度の大重量であっても、加わる荷重により、変形や層間剥離などを生ぜす、安定した状態で、かつ晶癖線の損傷による転位を生じることなく成長させる。 - 特許庁 - In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.
(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁 - The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.
石英るつぼに収容された半導体メルト（ｍｅｌｔ）にシード（ｓｅｅｄ）を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを０.６〜１.５ｒｐｍの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁 - To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.
主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus for manufacturing a silicon single crystal of a high quality without any iron contamination by solving the following problem: the single crystal to be pulled is apt to dislocate when a cylinder made of quartz (quartz cylinder) for covering the inner wall of a graphite cylinder is provided in order to obtain anticontamination effect for a long period of time in the apparatus for manufacturing the silicon single crystal by a CZ method.
ＣＺ法によるシリコン単結晶製造装置において、長期間の汚染防止の効果を得るために、黒鉛製円筒の内壁を覆う石英製の筒（石英筒）を設置した場合に、引き上げる単結晶の有転位化が発生しやすくなるという問題を解決し、鉄汚染のない高品質のシリコン単結晶を効率よく製造できるシリコン単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁 - The single crystal pulling device 1 for pulling a single crystal 32 from a source melt 31 in a crucible 30 by CZ (Czochralski) method is equipped with a cooler 10 for cooling a single crystal 32 during being pulled, wherein the cooler 10 includes a cooling piping system where cooling water is circulated and the cooling piping system is divided into a plurality of lineages along the pulling direction of the single crystal 32.
ＣＺ法によりるつぼ３０内の原料融液３１から単結晶３２を引上げる単結晶引上げ装置１であって、引上げ中の単結晶３２を冷却するクーラー１０を備える単結晶引上げ装置１において、クーラー１０は、冷却水が流通する冷却配管系を含み、かつ冷却配管系を単結晶３２の引上げ方向に複数の系統に分割して構成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
