「Defect」を含む例文一覧(18306)

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  • To provide an optical disk reproducing method and an optical disk drive which can improve the reproduction compatibility between various optical disk drives by enabling the correction of the substantial changes in defect transition decision thresholds even when reproducing an optical disk recorded in another optical disk drive by using a format having an optical disk defect control function.
    光ディスクの欠陥管理機能を有するフォーマットで記録された光ディスクを、記録された光ディスク装置以外で再生する場合であっても、欠陥遷移判定基準閾値の実質的な変化を補正することが可能となり、光ディスク装置間の再生互換性を向上させる光ディスク再生方法および光ディスク装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A semiconductor laser 50 related to this invention comprises a laminated body 38 including: an active layer 34 on the surface of a GaN single crystal substrate 30; a defect cluster 14a on the rear surface of the GaN single crystal substrate 30; and an electrode 44 electrically connected to the defect cluster 14a on the rear surface.
    本発明に係る半導体レーザ50は、GaN単結晶基板30の表面に活性層34を含む積層体38が形成されると共に、GaN単結晶基板30の裏面に欠陥集合部14aが形成され、且つ、裏面の欠陥集合部14aと電気的に接続されるように電極44が形成されている。 - 特許庁
  • Even when a defect is developed by a reaction with a metal component derived from sources other than the hydrogen permeation membrane 14 at any one of the hydrogen permeation membranes 14, the reaction or the defect can be prevented from having an effect on the other hydrogen permeation membrane 14 because the hydrogen permeation membranes 14 are separated from each other by the porous layer 15 made of components that are not reacted with the hydrogen permeation membranes 14.
    水素透過膜14同士を水素透過膜14と反応しない成分で構成される多孔質層15にて隔てたので、いずれかの水素透過膜14で、水素透過膜14以外から由来した金属成分との反応による欠陥が発生しても、この反応又は欠陥が他の水素透過膜14に影響するのを防止できる。 - 特許庁
  • To provide a silicon wafer imparting gettering ability of an epitaxial wafer and without producing crystal defect on an epitaxial growth layer of a surface by providing a place near a device active area as a gettering site due to the crystal defect and high concentration injection atom layers by ion implantation immediately under the epitaxial layer.
    デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピタキシャル層直下のイオン注入による結晶欠陥と高濃度注入原子層により、ゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。 - 特許庁
  • Further, the crystal defect generated nearby the silicon wafer surface due to the injection energy in the silicon injection stage S2 can be removed by removing a surface layer portion where the defect is generated owing to the ion injection energy.
    また、洗浄・熱処理(工程S3)により評価対象元素であるFeもウェハ中へ均一に拡散させた後、イオン注入エネルギーにより欠陥が生じた表層部分を除去する(工程S4)ことにより、イオン注入工程S2において注入エネルギーによりシリコンウェハ表面近傍に生じた結晶欠陥を除去することができる。 - 特許庁
  • The above carboxylic acid compounds and their salts exhibit excellent improving effect on a corneal disorder model and are useful as therapeutic agents for keratoconjunctive disorders such as dry eye, corneal ulcer, keratitis, conjunctivitis, superficial punctate keratopathy, corneal epithelial defect, conjunctive epithelial defect, xerotic keratoconjunctivitis, superior limbic keratoconjunctivitis and filamentous keratitis.
    上記カルボン酸化合物またはそれらの塩はいずれも、角膜障害モデルにおいて優れた改善効果を発揮し、ドライアイ、角膜潰瘍、角膜炎、結膜炎、点状表層角膜症、角膜上皮欠損、結膜上皮欠損、乾性角結膜炎、上輪部角結膜炎、糸状角膜炎などの角結膜障害の治療剤として有用である。 - 特許庁
  • An installation defect detection unit 242 of the observation device 200 is configured to compare a reinstallation focus position, which shows a focal axis position obtained when being focused on the object to be observed after reinstalling the container on the XY stage, with the appropriate focus position stored in the memory 243, and thereby detect the installation defect of the container in the optical axis direction.
    観察装置200の設置不備検出部242が、容器がXYステージに再設置された後に観察対象物に焦点が合ったときのフォーカス軸位置を示す再設置合焦位置を、メモリ243に記憶されている適正合焦位置と比較することによって、光軸方向における容器の設置不備を検出する。 - 特許庁
  • To provide a method capable of performing defect detection even when design data can not be obtained since importance of a defect can be determined by prior art while taking relative relation with a formation such as wiring on a wafer into consideration by using design data, but the determination can not be made without the design data.
    従来の技術においては、設計データを用いることにより、ウェーハ上の配線等の構成物との相対関係を考慮し、欠陥の重要度の判定は可能であるが、設計データが無い場合は、判定ができなかったので、設計データが入手できない場合についても欠陥検出の実施を可能とする方法を提供する。 - 特許庁
  • In the extraction of planning pattern data, a predetermined range of respective X and Y including defect coordinates is calculated at every defect by a control calculator 110 and a cluster or cell data wherein the origin is present within a predetermined range is subsequently extracted from the planning pattern data read from a first magnetic disk drive 109a to form an output file.
    設計パターンデータの抽出は、欠陥一つ毎に、制御計算機110が欠陥座標を包含するX、Yそれぞれの所定範囲を算出し、次いで、第1の磁気ディスク装置109aから読み出した設計パターンデータから、所定範囲内に原点が存在するクラスタまたはセルデータを抽出して出力ファイルを作成する。 - 特許庁
  • To provide an accurate and efficient defect detection method, along with a program and device, by suppressing effect of allowable expansion, contraction or deformation of an inspecting object on a detection result when a defect on a contour of the inspecting object is detected using an image processing technology.
    画像処理技術を用いて検査対象物の輪郭線上の欠陥を検出するにあたり、検出結果に対する、前記検査対象物の許容される膨張、収縮、或いは変形の影響を抑制し、かつ、計算処理量を少なくすることで、高精度かつ効率的な欠陥検出方法、プログラム、及び装置を提供する。 - 特許庁
  • In the manufacturing method of a SOI wafer, before the oxide film forming process, a reactive ion etching (RIE) defect annihilation process is performed in which a defect is annihilated that exists in a region having at least up to 5 μm depth from a surface being a bonding surface of a prepared silicon substrate and that is detected by an RIE method by applying a rapid thermal treatment to the prepared silicon substrate.
    酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の貼り合わせ面となる表面から5μmの深さまでの領域に存在するRIE法により検出される欠陥を消滅させるRIE欠陥消滅工程を行うSOIウェーハの製造方法。 - 特許庁
  • The defect detection portion 32 determines detection of defect of these sensors 24, 26 in case, when the fuel gas flow channels 14 each on the upstream side and the downstream side of the pressure reducing valve 20 for high pressure are communicated with each other through the bypass passage 28 by opening the bypass valve 30, a difference of pressure detection values detected by the first and second pressure sensors 24, 26 exceeds a predetermined value.
    異常検出部32は、バイパス弁30の開弁によりバイパス路28を通じて高圧用減圧弁20の上流側と下流側の燃料ガス流路14を連通させたときに、第1及び第2圧力センサ24,26により検出される圧力の検出値の差が所定値以上の場合、これらのセンサ24,26の異常を検出する。 - 特許庁
  • To provide a method for producing coating liquid for an electrophotographic sensitive body having no defect of a coating film, excellent in coating property and showing good stability, and also to provide an electrophotographic sensitive body having no defect of the coating film, excellent in the coating property and showing the good stability by using the coating liquid for the electrophotographic sensitive body.
    塗膜欠陥がなく、塗工性に優れてかつ良好な安定性を示す電子写真感光体用塗工液の製造方法を提供すると共に、上記したような優れた性質を有する電子写真感光体用塗工液を使用して、塗膜欠陥がなく、塗工性に優れてかつ良好な安定性を示す電子写真感光体を提供する。 - 特許庁
  • In an image processing device 4, two-dimensional fast Fourier transformation processing is executed by a two-dimensional fast Fourier transformation processing part 10, relative to an original image imaged by the image input device 3, and existence of a defect of the rolled film is discriminated by a defect discrimination part 15, based on the processing result of the two-dimensional fast Fourier transformation processing part 10.
    そして、画像処理装置4が、その2次元高速フーリエ変換処理部10によって画像入力装置3により撮像された原画像に対して2次元高速フーリエ変換処理を行ない、欠陥判別部15によって2次元高速フーリエ変換処理部10の処理結果に基づいてロール状フィルムの欠陥の有無を判別する。 - 特許庁
  • This semiconductor crystal screening method is equipped with steps of: inducing a defect in the imperfect portion of the semiconductor crystal by applying an electron beam or light to the semiconductor crystal; and then, performing defect inspection on the semiconductor crystal by a cathode luminescence method or photoluminescence method to screen the semiconductor crystal based on a result thereof.
    本発明の半導体結晶のスクリーニング方法は、半導体結晶に電子線又は光を照射することによって半導体結晶の不完全部分での欠陥を誘起し、その後、カソードルミネッセンス法又はフォトルミネッセンス法により半導体結晶の欠陥検査を行い、その結果に基づいて半導体結晶のスクリーニングを行う工程を備える。 - 特許庁
  • A disk physical distortion correction signal generating means 11 outputs a signal by which a phase compensation signal S8 is obtained through an LPF in a normal period as a disk physical distortion correction signal S11 and outputs an output signal of the LPF, sampled at a defect detection start as the signal S11 during the defect detection period.
    ディスク物理的歪補正信号発生手段11は、通常期間に位相補償信号S8がLPFを介して得られる信号をディスク物理的歪補正信号S11として出力し、欠陥検出期間は欠陥検出開始時にサンプリングしたLPFの出力信号をディスク物理的歪補正信号S11として出力する。 - 特許庁
  • To provide the method for forming a full color image capable of preventing local transfer defect (worminess) being generated at the transferring time and the image reproducibility defect owing to a toner dust, and the toner for the full color electrophotography adopted therefor and manufacture thereof, and an intermediate transfer body adopted for the image forming method, in the method for image forming applying the intermediate transfer method.
    中間転写方式を用いた画像形成方法において、転写時に発生する局所的な転写不良(虫喰い)や、トナーのチリによる画像の再現性不良が防止されたフルカラー画像形成方法、それに用いるフルカラー電子写真用トナー及びその製造方法、並びに該画像形成方法に使用する中間転写体を提供すること。 - 特許庁
  • The inspection control device 10 is equipped with a panel alignment means for performing alignment between the inspection panel 2 and the reference panel 5 by moving the table 3, and a defect inspection means for imaging the inspection panel 2 by the CCD camera 6 by lighting the inspection panel 2 and the reference panel 5 and inspecting a displayed defect of the inspection panel 2 based on the imaged image.
    検査制御装置10は、テーブル3を移動させて検査パネル2および基準パネル5の位置合わせを行うパネル位置合わせ手段と、検査パネル2および基準パネル5を点灯させてCCDカメラ6で検査パネル2を撮像し、その撮像画像に基づいて検査パネル2の表示欠陥を検査する欠陥検査手段とを備える。 - 特許庁
  • A wafer chuck rotatable 360° and an X-Y stage with a movable distance which is a half of the diameter of a semiconductor wafer are provided, and the regions provided by dividing a semiconductor wafer 1 into four is rotated with a wafer chuck, according to wafer's defect position coordinate and the four regions are observed sequentially with a fixed microscope 2, for defect review on the entire wafer surface.
    360度回転可能なウェハチャックと半導体ウェハ直径の半分の可動距離をもつX−Yステージとを有し、半導体ウェハ1を4分割した領域をウェハの欠陥位置座標に応じてウェハチャックを回転して、この4つの領域を順次固定された顕微鏡2により観察して、ウェハ全面の欠陥レビューを行うようにしている。 - 特許庁
  • An EEPROM 118 is managed by dividing into two storage areas such as first and second, only read is performed for the first storage area in which the initial defect data is stored and the defect data detected by a detect data detecting part 112c are written in the second storage area separate from the first storage area.
    EEPROM118は第1および第2の2つの記憶領域に分けて管理されており、初期欠陥データが記憶されている第1の記憶領域については読出しのみが行なわれ、欠陥データ検出部112cによって検出された欠陥データは第1の記憶領域とは別の第2の記憶領域に書き込まれる。 - 特許庁
  • To provide a charged particle beam device having a little degradation of resolution even in image shifting beyond ±75 μm and a defect inspection device having a CAD navigation function interlocking with image shifting function, in a defect inspection device combining a plurality of probes measuring electrical property of samples including minute circuit wiring patterns with a charged particle ray device.
    微細な回路配線パターンを含む試料の電気特性を測定する複数のプローブと荷電粒子線装置とを組み合わせた不良検査装置において、±75μm以上のイメージシフトでも分解能の劣化の少ない荷電粒子線装置と、イメージシフト機能に連動したCADナビゲーション機能を有する不良検査装置の提供する。 - 特許庁
  • An organic layer forming part 110 forming an organic layer, a second electrode forming part 120 forming a boundary layer and a second electrode, and a defect inspection part 130 inspecting defect in vacuum or in an inert gas atmosphere are combined through a middle chamber 140 and a base plate transferring mechanism 160 without being exposed in the air.
    有機層を形成する有機層成膜部110と、界面層および第2電極を形成する第2電極成膜部120と、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で欠陥検査を行う欠陥検査部130とが、中間室140および基板授受機構160を介して大気開放せずに結合されている。 - 特許庁
  • To solve the problem that leakage in extraction and omission of check of quality defect information in relation to circuit data occur in designing in partly reuse of circuit data, since linking of the information such as quality defect of products which becomes clear after the completion of design and a circuit block or a circuit module of low order hierarchy which constitute the circuit has not been made.
    製品の品質不良などの設計完了後に明確になる情報と、回路を構成する下位階層の回路ブロックや回路モジュールとはリンク付けがされておらず、回路データを部分的に再利用した設計時に、再利用する回路データに関連する品質不良情報の抽出漏れおよび確認抜けが発生する。 - 特許庁
  • Since data is divided into blocks having a predetermined size and is repeatedly recorded the predetermined number of times when recorded on a recording medium, data which cannot be recovered due to a defect in one block can be recovered by using another block, so that recorded data has a robust defect resistance.
    これにより、記録方法は記録媒体にデータを記録するに当って所定サイズを有するブロック単位に分割し、これを所定回数だけ反復して記録することによって、1ブロックで欠陥によりデータが復旧できなくなっても、他のブロックにより復旧可能にし、記録されたデータが強靭な欠陥抵抗性を有するようにする。 - 特許庁
  • The method for repairing a substrate includes the steps of: injecting a restoration agent 140 onto the substrate 112 including a defect, the restoration material covering the defect; hardening the restoration agent 140; and abrading the hardened restoration agent 140 such that the hardened restoration agent 140 and the substrate 112 are flat.
    欠陥のある基板112上に、前記欠陥を覆うように復元剤140を注入する段階と、前記復元剤140を硬化させる段階と、前記硬化された復元剤140と前記基板112とが平坦になるように前記硬化された復元剤140を研磨する段階とを含むことを特徴とする基板欠陥の修理方法の提供。 - 特許庁
  • In a wobble PLL circuit 22, a detector for the defect and modulation 223 is arranged in which variation between adjacent cycles or the variation for one cycle interval in output of a phase comparator 222 is measured, and when its value exceeds a set threshold NOIDETLVL, the value is regarded as a modulated area or the defect, and feedback for the phase comparator output to VCO is masked.
    ウォブルPLL回路22に、位相比較器222の出力の隣接サイクル間の変動または1サイクル間隔の変動を計測し、その値が設定しきい値NOIDETLVLを越えた場合には、変調領域あるいはディフェクトとみなしてVCOへの位相比較器出力のフィードバックをマスクする変調およびディフェクト検出器223を設ける。 - 特許庁
  • To form a sealing member in which there is little unevenness of a cut surface of the sealing member in which a resin layer and a sealing substrate are pasted together, seal a spontaneous light emitting part formed on a panel substrate with high precision by a simple process, and prevent connection defect and display defect due to formation of the resin layer on an extraction wiring.
    樹脂層と封止基板が貼り合わされた封止部材の切断面の凹凸が少ない封止部材を形成すること、パネル基板上に形成された自発光部を簡単な工程により高精度に封止すること、引出し配線上に樹脂層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止すること、等。 - 特許庁
  • When performing detection/automatic classification of a defect of the inspection object 1 having a repeated pattern such as a liquid crystal display device or a semiconductor wafer, the repeated pattern is divided beforehand into a plurality domains, and databases 71, 72, 73 for automatic classification differentiated by a domain on the repeated pattern to which a defect portion detected from an inspection image belongs are created.
    液晶表示装置や半導体ウェハ等の繰り返しパターンを持つ検査対象物1の欠陥を検出・自動分類する際、繰り返しパターンを予め複数の領域に分割し、被検査画像から検出された欠陥部位が上記繰り返しパターンのどの領域に属するによって異なった自動分類用データベース71,72,73を作成しておく。 - 特許庁
  • To provide an inexpensive method for manufacturing a mask blank substrate with a high yield, by which even when a surface defect occurs in the mask blank substrate, the surface defect of the mask blank substrate can be easily corrected without adversely influencing a flatness degree and surface roughness of the substrate, and to provide a method for manufacturing a mask blank and a transfer mask.
    マスクブランク用基板に表面欠陥が発生した場合でも、簡便にかつ基板の平坦度及び表面粗さに悪影響を及ぼすことなくマスクブランク用基板の表面欠陥を修正することのできる、低コストかつ高い歩留まりのマスクブランク用基板の製造方法、並びにマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • It is determined by a defect decision means 12 whether the luminance is uneven of pixels in a photographed image with light projected thereon by the first light source 4 while it is determined whether the luminance is uneven of pixels in a photographed image with light projected thereon by the second light source 5, thereby determining whether any defect exists as to various types of defects.
    欠陥判定手段12は、第1光源4が光を照射した状態で撮影された画像中の画素の輝度が不均一であるか否かを判定するとともに、第2光源5が光を照射した状態で撮影された画像中の画素の輝度が不均一であるか否かを判定して、複数種類の欠陥について欠陥の有無を判定する。 - 特許庁
  • With a reception waveform obtained in the defect section region of a specimen as a measurement raw signal and with a reception waveform obtained in the sound section region of a specimen as a reference signal, a differential signal waveform is taken out by performing the substraction processing of the measurement raw signal and the reference signal, thus performing the defect flaw detection or material characteristic evaluation of the specimen.
    被検体の欠陥部領域で得られる受信波形を計測生信号とし、被検体の健全部領域で得られる受信波形を参照信号として、前記計測生信号と前記参照信号を減算処理することで差分信号波形を取り出し、被検体の欠陥探傷あるいは材料特性評価を行う。 - 特許庁
  • The information recording medium is provided on which when a spare area for a replacement block for replacing a defect block created in a predetermined area of the information recording medium is enlarged or newly allocated during use of a disk, defect status information of the block within the enlarged or newly allocated spare area is changed and recorded.
    情報記録媒体の所定の部分に発生した欠陥ブロックを代替する代替ブロックのためのスペア領域が、ディスクの使用中に拡張されるか、または新たに割り当てられた場合に、拡張されるか、または新たに割り当てられたスペア領域内にあるブロックの欠陥状態情報が変更されて記録される情報記録媒体。 - 特許庁
  • The optical pickup using three beams is so constituted that a disk defect portion is discriminated by the output from a photodetection region of a photodetector irradiated with +lst order light or-1st order light or both thereof and that, in case of the presence of the disk defect, a focusing error signal or tracking error signal is held in a hold circuit.
    上記の課題を解決する手段として、3ビームを用いた光ピックアップにおいて、+1次光あるいは−1次光もしくは両方が照射される光検出器の受光領域からの出力によりディスク欠陥部分を判別し、ディスク欠陥があった場合にはフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号をホールド回路によりホールドするようにする。 - 特許庁
  • This defect detection device 1 for detecting an internal defect of the molding 2 is characterized by being provided with a drill part 3 for penetrating the molding 2, and a viscometer 4 for measuring the viscosity generated in company with operation of the drill part 3 when the drill part 3 penetrates the molding 2, and calculating the viscosity as a torque by using a proper operation expression.
    成形体2の内部欠陥を検出する欠陥検出装置1において、成形体2に貫入するドリル部3と、ドリル部3が成形体2に貫入したときに、ドリル部3の作動に伴って生ずる粘度を測定し、その粘度を適宜の演算式を用いてトルクとして算出する粘度計4とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect.
    全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはIG効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥(BMD)が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁
  • To provide a technique to make a satisfactory image obtainable even in image formation employing art of any of a sequential development/sequential fixing system and a sequential development/batch fixing system by elucidating the fixing conditions to prevent an image defect and fixing defect from arising when the image is formed by simultaneously using a plurality of flash fixing color toners.
    複数のフラッシュ定着用カラートナーを同時使用して画像形成する場合に関して画像欠陥や定着不良を生じさせない定着条件を明らかにすることで、逐次現像・逐次定着方式、逐次現像・一括定着方式の何れの方式を採用する画像形成においても、良好な画像が得られる技術を提供する。 - 特許庁
  • The ingot thus pulled is sliced into zones V rich in vacancy containing each vacancy mass at the center and a plurality of semi-zero defect wafers W_1 to W_4 having a zero defect zone P free from a vacancy mass and an interstitial mass though being positioned between the zone V rich in vacancy and the edge part of the wafers.
    このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域Vと、べーカンシー豊富領域Vとウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域Pを有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハW_1乃至W_4にスライシングされる。 - 特許庁
  • To provide a solder bonding device, a solder bonding part and a solder bonding method that suppress occurrence of a bridge defect or icicle defect between adjacent electrodes when an electronic component having an electrode lead is mounted on a printed wiring board by soldering the electronic component to a through hole electrode of the printed wiring board, and to provide a method of manufacturing printed wiring board.
    電極リードを有する電子部品をプリント配線板のスルーホール電極にはんだ付けしてプリント配線板に電子部品を実装するとき、隣り合う電極の間にブリッジ不良またはツララ不良が発生することを抑制するはんだ接合装置、はんだ接合部、はんだ接合方法、およびプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • This method comprises a process to compare relative isotope intensity of the measured isotope peaks (A+1, A+2, ... A+n) with calculated relative isotope intensity of the isotope ion proposed in the experimental formula, and a process to compare relative mass defect of the measured isotope peaks with calculated relative mass defect of the isotope ion proposed in the experimental formula.
    当該方法は、測定同位体ピーク(A+1、A+2、・・・A+n)の相対同位体強度を、実験式案の同位体イオンの算出相対同位体強度と比較すること、並びに測定同位体ピークの相対質量欠損を、実験式案の同位体イオンの算出相対質量欠損と比較することを包含する。 - 特許庁
  • To provide an internal defect inspection device capable of inspecting an internal defect in the depth inside a tunnel lining and easily connecting images, which are obtained by inspecting divided inspection parts of the tunnel lining, together into a final expansion plan in a short time.
    本発明は、トンネル覆工内の深い内部欠陥の検査が可能であり、トンネル覆工の検査部を分割して検査することにより得られたそれぞれの画像を結合して最終的な展開図にする際に、短時間で容易に画像を結合することが可能なトンネル覆工の内部欠陥検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the color filter includes the processes of: forming a conductive layer 19 on a substrate 3; forming a color filter layer 4 on the conductive layer 19; removing a defect part 15 if the formed color filter layer 14 has the defect part 15; and forming a color filter layer again at the removed place by electrodeposition.
    本発明のカラーフィルタの製造方法は、基板3上に導電層19を形成する工程と、該導電層19上にカラーフィルタ層14を形成する工程と、形成したカラーフィルタ層14に欠陥部15があった場合に、該欠陥部15を除去する工程と、該除去した箇所に対し電着法にてカラーフィルタ層を再形成する工程とを含む。 - 特許庁
  • To improve quality by determining the quality in a card base sheet state that a plurality of inlets are aligned and arranged in a card manufacturing intermediate process including a connection defect between an IC chip and an antenna, the mixing of a defective IC chip, and a defect of an antenna sec tion such as severance of wire even when the makers and types of the IC chips mounted for manufacturing a card differ.
    カードの製造で実装されるICチップのメーカ、型式が異なる場合でも、ICチップとアンテナとの接続不良、不良ICチップの混入、断線等のアンテナ部の不良、などをカード製造中間工程であるインレットが複数整列配置されたカード基材シート状態で良否判定できるようにし、品質を向上させる。 - 特許庁
  • A write once type recording medium (100) has a data area (108) for recording recording data, and shared areas (104, 105) for temporarily recording defect management information (120) including save data as recording data that are to be recorded or have been recorded in a place where a defect exists in the data area, and a saved address and a saving address of the save data.
    追記型記録媒体(100)は、記録データを記録するデータエリア(108)と、データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき又は記録された記録データである退避データと、退避データの退避元アドレス及び退避先アドレスを含んでなるディフェクト管理情報(120)と、を一時的に記録する共用エリア(104、105)とを備える。 - 特許庁
  • The correcting method for a photomask to correct a white defect in a photomask is characterized in that: a deposition film 11 is formed at a white defect portion C by a FIB-CVD (focused ion beam chemical vapor deposition) system; if the film protrudes a desired pattern, the protruding portion 2 is shaved off with a needle; and the needle is preferably a probe of a scanning probe microscope.
    フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク修正方法において、白欠陥部CにFIB−CVD方式でデポジション膜11を形成し、膜の形状が所望の形状よりはみ出た場合、はみ出た部分2を針で削りとり、好ましくは前記針は、走査プローブ顕微鏡の探針であることを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a method for casting molten stainless steel using a vertical-bending type continuous caster with which a cast slab excellent in the quality can stably be produced at high speed casting by preventing defect caused by blow holes and inclusion produced on the surface of the cast slab and inclusion defect in the inner part of the cast slab when the molten stainless steel is cast by using the vertical-bending type continuous caster.
    垂直曲げ型の連続機を用いてステンレス溶鋼を鋳造する際に鋳片の表面に生じる気泡や介在物に起因する欠陥と、鋳片の内部の介在物欠陥を防止して品質に優れた鋳片を高速鋳造で安定して製造することができる垂直曲げ連鋳機を用いたステンレス溶鋼の鋳造方法を提供する。 - 特許庁
  • The preserving device of the image (called 'the defective image') to be inspected and decided to include a defect by a comparison inspection of the image to be inspected with a reference image comprises a reference image preserving means, a defective part extracting means, a defective part preserving means, a defect coordinate preserving means, and a positional deviation amount preserving means.
    基準画像と検査対象画像との比較検査により欠陥を含むと判定された検査対象画像(欠陥画像と呼ぶ)の保存装置であって、基準画像保存手段と、欠陥部分抽出手段と、欠陥部分保存手段と、欠陥座標保存手段と、位置ずれ量保存手段とから成るようにした欠陥画像保存装置。 - 特許庁
  • A data path from a defect DQ line to a corresponding DQ buffer is switched to a data path to the DQ buffer from the spare DQ line and the memory cell where the defect occurs is replaced with the spare memory, so that even if the memory cell becomes defective owing to secular change after the memory cells are built in the system, the memory cell can be relieved without causing the system itself to become defective.
    不良DQ線から対応するDQバッファへのデータパスを、スペアDQ線からDQバッファへのデータパスに切り替えて不良が発生したメモリセルをスペアメモリセルに置換することにより、システムに組み込んだ後で、経年変化等によってメモリセルに不良が発生した場合でもシステムそのものを不良にすることなく救済が可能となる。 - 特許庁
  • In inspection of the bare silicon type semiconductor wafer, the semiconductor wafer is evaluated by classifying a projecting defect from a recessed defect by using a laser surface inspection device equipped with one low-angle incident system and two light receiving systems, to thereby enable to evaluate the semiconductor wafer by classifying accurately the adhering particles from the COP on the bare silicon type semiconductor wafer.
    ベアシリコン半導体ウエーハの検査において、1つの低角度入射系と、2つの受光系とを備えたレーザー表面検査装置を用い、凸状欠陥と凹状欠陥を分類して半導体ウエーハを評価することにより、ベアシリコン半導体ウエーハの付着パーティクルとCOPを正確に分類して半導体ウエーハを評価することができる。 - 特許庁
  • To solve the problem that an electric charge is not recovered in a signal line repaired by using a spare wiring line connected to an output terminal of a spare driving buffer used when a disconnection defect and a shortcircuit defect are repaired when charge distribution aimed at low power consumption is performed on a source bus wiring line in a vertical direction in a liquid crystal display device.
    液晶表示装置において、低消費電力化を目的とした電荷配分が垂直方向のソースバス配線に対し実施される場合、断線不良や短絡不良を修復した場合に使用される予備の駆動バッファの出力端子に接続される予備の配線で修復された信号線に関しては電荷回収が行われない。 - 特許庁
  • To prevent a gear disposed at the rear of a game board from limiting a layout when loading an LED and an electronic component, etc., loaded on a printed board in a gear mechanism for transmitting driving force to a movable board surface component, to visually confirm the attaching defect of the gear easily, and to facilitate a work for eliminating the attaching defect.
    可動盤面部品に駆動力を伝達するためのギヤ機構において、遊技盤の後方に配置されたギヤがプリント基板上に搭載されたLED、電子部品等を搭載する際のレイアウト制限をもたらすことを防止すると共に、ギヤの取付け不良を目視で容易に確認したり、取付け不良を解消するための作業を容易化する。 - 特許庁
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