「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 47 48 49 50 51 52 53 54 55 .... 88 89 次へ＞- To realize low operating voltage and high operating speed of a flash memory easily while enhancing the information charge retaining characteristics.
フラッシュメモリの動作電圧の低電圧化および動作の高速化を容易にすると共に、情報電荷の保持特性を向上させる。 - 特許庁 - To facilitate the rewriting operation of data in a specified size, which is frequently rewritten, and to prevent the life of a flash memory chip from being shortened.
頻繁に書き換えられる特定サイズのデータの書き換え動作を簡易にし、また、フラッシュメモリチップの寿命が短くなるのを防止する。 - 特許庁 - The imaging apparatus is equipped with a zoom lens 11, a CCD image sensor 12, a power source 21, a power source controller 20, a controller 15 and a flash memory 17.
ズームレンズ１１とＣＣＤイメージセンサ１２と電源２１と電源コントローラ２０とコントローラ１５とフラッシュメモリ１７とを備える。 - 特許庁 - To improve an interference phenomenon between word lines to implement a robust high-speed device with respect to a method of fabricating a flash memory device.
フラッシュメモリ素子の製造方法に関するものであり、ワードライン間の干渉効果を改善し、ロバスト(robust)なハイスピード(high speed)素子を具現する。 - 特許庁 - To provide a facsimile machine that employs a compact flash memory so as to simply load an updated version of a program.
コンパクトフラッシュメモリを使用して、簡単にバージョンアップロードすることができるファクシミリ装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - To read flash memory data whose reading to the outside is inhibited by an internal CPU without erasing in a microcomputer or the like.
マイクロコンピュータ等において、外部への読み出しが禁止されたフラッシュメモリのデータを、消去することなく内部のＣＰＵで読み出す。 - 特許庁 - To provide a write method for shortening a write time at the time of writing the photographic image of a digital camera in a flash memory.
ディジタルカメラの撮影画像をフラッシュメモリに書込む場合等において、書込時間の短縮が可能な書込方法を提供する。 - 特許庁 - Electronic equipment 10 stores data with redundant data capable of modifying the error of the data in the NAND-FLASH memory 21.
電子機器１０は、ＮＡＮＤ−ＦＬＡＳＨメモリ２１に対してデータ誤り修正できる冗長データを付加してデータを記憶させる。 - 特許庁 - To use not only low voltage but high voltage even for a word line drive of low voltage specifications without any trouble with respect to a flash memory.
フラッシュメモリにおいて、低電圧仕様のワード線ドライバでも、低電圧だけでなく高電圧をも問題なく取り扱えるようにする。 - 特許庁 - After the end of a series of processing of all the control, recovery information stored in a RAM 43 is saved in a flash memory 44.
すべての制御について一連の処理が終了すると、ＲＡＭ４３に記憶されるリカバリ情報をフラッシュメモリ４４へ退避する。 - 特許庁 - Since a flash memory group can be accessed in a block unit, plural program codes corresponding to different processing routines can individually be accessed.
フラッシュメモリ群はブロック単位でアクセス可能なので、異なる処理ルーチンに対応した複数のプログラムコードは個別にアクセス可能となる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flash memory element which prevents influence on the uniformity of the quality and of the thickness of a tunnel oxide film.
トンネル酸化膜の質及び厚さの統一性に影響を及ぼすことを防止するフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide high-speed write concerning a semiconductor disk device using a flash memory with which the speed of write is low in comparison with that of read.
読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速な書き込みを提供する。 - 特許庁 - When it determines that it is not recorded in the flash memory 305, the transmission of the image file is requested to the camera 200.
一方、フラッシュメモリ３０５に記録されていないと判定した場合には、カメラ２００に対して画像ファイルの送信を要求する。 - 特許庁 - The CPU 1 controls an LCD 14 to display a prescribed pattern based on data read from a flash memory 7.
ＣＰＵ１は、フラッシュメモリ７から読み出したデータに基づいた所定のパターンの表示をＬＣＤ１４に行なわせるように制御する。 - 特許庁 - In taking pictures with a digital camera 1, an image file is generated on the basis of photographed image data, and the image file is recorded in a flash memory 13.
デジタルカメラ１で撮影を行なうと、該撮影された画像データに基づいて画像ファイルを生成してフラッシュメモリ１３に記録させる。 - 特許庁 - The NAND flash memory device and the programming method thereof capable of improving a program speed during a MLC programming operation are provided.
ＭＬＣプログラム動作時にプログラム速度を速くすることができるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法が開示される。 - 特許庁 - To provide a flash memory device to reduce ratio of invalid pages to valid pages and thus, to increase storable data quantity.
有効なページに対する無効なページの割合を低減し、それにより記憶可能なデータ量を増大したフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a flash memory element which can achieve stable decrease of the size of contact holes, improving the reliability of the element.
コンタクトホールのサイズの安定した減少を実現でき、素子の信頼性を向上させるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When a response true "1" is received, the flash memory determines that the code set concerned is the one of usable kind (Sequence 3).
応答ｔｒｕｅ“１”が得られた場合、フラッシュメモリがそのコードセットを使用可能な種類であると判断して決定する（シーケンス▲３▼）。 - 特許庁 - A flash memory 242 is configured to hold a correction coefficient table E used to electrically correct distortion aberration produced by an optical system.
フラッシュメモリ２４２は、光学系により生じる歪曲収差を電気的に補正するための補正係数テーブルＥを格納している。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE HAVING UNIFORM THRESHOLD VALUE VOLTAGE DISTRIBUTION WITHOUT HAVING NON-PROGRAMMED CELL AND OVER-PROGRAMMED CELL AND ITS PROGRAM VERIFICATION METHOD
未プログラムのセル及び過プログラムのセルなしに、均一のしきい値電圧分布を有するフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法 - 特許庁 - The internal high voltage pump circuit is used for erasing a flash memory cell on a circuit board by a user after assembling is finished.
内部の高電圧ポンプ回路は、組み立てが終わった後で、ユーザによって回路ボード上でフラッシュ・メモリ・セルを消去するのに用いられる。 - 特許庁 - The CPU 24 encrypts the data supplied from the computer devices 2a, 4a by the encryption engine 25 and writes them into the flash memory 14.
そして、コンピュータ装置２ａ，４ａから供給されるデータを暗号エンジン２５によって暗号化してフラッシュメモリ１４に書き込む。 - 特許庁 - A flash memory 2000 includes a bank 2100 for data including a plurality of banks, a bank 2200 for merge and a bank 2300 for updated data.
フラッシュメモリ２０００は、複数のバンクを含むデータ用バンク２１００と、マージ用バンク２２００と、更新データ用バンク２３００とを含む。 - 特許庁 - To provide a flash memory cell manufacturing method preventing a smiling phenomenon of an ONO dielectric film by a re-oxidation process.
再酸化工程によるＯＮＯ誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - An actual data block 223 having a plurality of data blocks respectively having a plurality of data write areas is formed in a flash memory 6.
フラッシュメモリ６に、それぞれ複数のデータの書込領域を有する複数のデータブロックを有する実データブロック２２３を形成する。 - 特許庁 - To provide a NAND flash memory device capable of selectively controlling the data input/output units by utilizing the address control.
アドレス制御を利用してデータ入出力単位を選択的に制御することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - Reception data from the Internet are stored in the RAM (12) and then stored in the file storage flash memory under control of the control unit.
インターネットからの受信データは、制御部の制御の下に、ＲＡＭ（１２）に格納された後ファイルストレージ用フラッシュメモリに格納する。 - 特許庁 - (1) Wear leveling groups WDEVs (W00-W30) collecting the plurality of flash memory modules PDEVs (P00-P35) are defined.
（１）複数のフラッシュメモリ・モジュールＰＤＥＶ（Ｐ００〜Ｐ３５）をまとめたウエアレベリング・グループＷＤＥＶ（Ｗ００〜Ｗ３０）を定義する。 - 特許庁 - BIDIRECTIONAL SPLIT GATE NAND FLASH MEMORY STRUCTURE, ARRAY, PROGRAMMING METHOD OF THE SAME, ERASING METHOD, READOUT METHOD AND MANUFACTURING METHOD
双方向分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造及びアレイ、そのプログラミング方法、消去方法及び読み出し方法、並びに、製造方法 - 特許庁 - On the other hand, the fingerprint authentication template used for the fingerprint authentication is eliminated from the flash memory 14 when negative (step 218).
一方、否定された場合は指紋認証に用いられている指紋認証テンプレートをフラッシュメモリ１４から除外する（ステップ２１８）。 - 特許庁 - A first interlayer insulation film 10 is formed on a flash memory cell formed in a storage element region on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００上の記憶素子領域形成されたフラッシュメモリセル上に第１の層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage element which is further miniaturizable compared with a flash memory of a conventional structure, and using a dipole by a fullerene.
従来構造のフラッシュメモリと比べてはるかに微細化可能な、フラーレンによるダイポールを利用した半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁 - A content management database 191 stored in a built-in HDD 19 is copied in a flash memory 12 as a content management database 121.
内蔵ＨＤＤ１９に記憶されたコンテンツ管理データベース１９１は、フラッシュメモリ１２にコンテンツ管理データベース１２１としてコピーされる。 - 特許庁 - To store data to be held even in a state of power source off in the same flash memory together with a program, for example.
電源断の状態でも保持しなくてはならないデータを例えばプログラムなどと共に同一のフラッシュメモリ内に格納可能にすること。 - 特許庁 - To provide electronic equipment having a function of OSD displaying a use state of a memory such as a flash ROM and a DRAM.
フラッシュＲＯＭやＳＤＲＡＭなどのメモリの使用状況をＯＳＤ表示させることができる機能を有する電気機器を提供する。 - 特許庁 - To reduce a sensing error on a read operation in a flash memory device by reducing a signal interference between sensing lines each other.
フラッシュメモリ装置において、センシングライン相互間の信号干渉を減少させることにより、読出し動作におけるセンシング誤りを減らす。 - 特許庁 - To provide a program verifying method for reducing the threshold voltage variation of a program cell in a NAND type flash memory device.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置において、プログラムセルのしきい値電圧バラツキを狭く調節するためのプログラム検証方法を提供する。 - 特許庁 - Moreover, the controller chip 120 simultaneously accesses the flash memory chip 130 and the IC chard chip 150 in response to a request from a host.
さらに、コントローラチップ１２０は、フラッシュメモリチップ１３０とＩＣカードチップ１５０の両方にホストからの要求に応じて同時にアクセスする。 - 特許庁 - The specified cause is recorded in a flash memory 74, so that it is read in repairing so as to enable prompt response.
さらに特定された原因をフラッシュメモリ７４に記録するので、修理時にそれらを読み出すことで迅速な対応が可能となる。 - 特許庁 - The MP3 player is provided with a storage part for storing a USB flash memory and a USB jack body axially supported turnably by a hinge in the storage part.
MP3プレーヤには、USBフラッシュメモリを収納する収納部と、該収納部内のヒンジにて回動可能に軸支されるUSBジャック体とを設ける。 - 特許庁 - A control program and a control data of an engine 10 are recorded in a non-volatile flash memory which can be rewritten in the ECU 20.
エンジン１０の制御プログラムおよび制御データはＥＣＵ２０内の書き換え可能で不揮発性のフラッシュメモリに記録されている。 - 特許庁 - A flash memory device includes a refresh management table and occasionally stores and updates the number of times for reading data by physical block and the number of erasing times.
フラッシュメモリデバイスにリフレッシュ管理テーブルを設け、物理ブロック毎のデータ読み出し回数、消去回数を随時記憶、更新する。 - 特許庁 - The digital camera transmits the image data in the flash memory to the DVD burner, and the DVD burner writes the image data into a DVD-RW.
デジタルカメラはフラッシュメモリ内の画像データをＤＶＤバーナへ送信し、ＤＶＤバーナは画像データをＤＶＤ−ＲＷに書き込む。 - 特許庁 - A WB correction coefficient computing section 161 corrects the color temperature estimation limit range previously stored in a Flash memory 116.
ＷＢ補正係数算出部１６１は、Ｆｌａｓｈメモリ１１６に予め記憶された色温度推定制限範囲を修正する。 - 特許庁 - The state quantity computing unit 12 comprises a CPU 16 as an operation part, having a built-in flash memory 17 being a storage part.
上記状態量演算器１２を、演算部であるＣＰＵ１６に、記憶部であるフラッシュメモリ１７を内蔵して成るものとする。 - 特許庁 - Consequently, a CPU 104 does not have to download file data from the flash memory 8 to the main memory 1a or 1b, and the nonvolatile memory of large capacity can be connected without lowering the processing speed of the system.
したがって、ＣＰＵ１０４がフラッシュメモリ８から主メモリ１ａまたは１ｂにファイルデータをダウンロードする必要がなくなり、システムの処理速度を低下させずに、大容量の不揮発性メモリを接続することが可能となった。 - 特許庁 - After the rewriting program is downloaded, the rewriting program is executed, an update program from the server is stored in the memory of the mobile telephone set, and the update program in the memory is outputted to the multi-function machine and written to the flash memory of the multi-function machine.
書換プログラムのダウンロードが終了すると、書換プログラムを実行し、次にサーバから更新プログラムを携帯電話機のメモリに記憶し、そのメモリの更新プログラムを複合機に出力し、複合機のフラッシュメモリに書き込む。 - 特許庁 - The data of a customer transferred from the PC 3 to the USB memory 1 are encrypted inside the USB memory 1 by using a cryptographic key provided from the PC 2 which is present in an office in initialization, and the encrypted data are stored in a flash memory.
PC３からUSBメモリ１に転送された顧客のデータは、初期設定のときにオフィスにあるPC２から提供された暗号鍵を用いてUSBメモリ１の内部で暗号化され、暗号化された状態でフラッシュメモリに記憶される。 - 特許庁
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