「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 51 52 53 54 55 56 57 58 59 .... 88 89 次へ＞- This storage device uses low 2 bits of a media sector address received from a host system as data corresponding to a column address in a sector of the flash memory.
記憶装置がホストシステムより受けるメディアセクタアドレスの下位２ビットを、フラッシュメモリのセクタ内のカラムアドレスに対応するデータとして使用する。 - 特許庁 - The application software relating to the wireless modem function is stored in the flash memory 20 in advance, which is made operational when needed.
そして、前記フラッシュメモリー２０に、前記無線モデム機能に関するアプリケーションソフトを予め格納しておき、必要に応じて使用可能とする。 - 特許庁 - To provide a floating gate electrode forming method of a flash memory element which restrains the generation of bridges between floating gate electrodes and increases a coupling ratio.
フローティングゲート電極間のブリッジ発生を抑制し、カップリング比を増加させるフラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法の提供。 - 特許庁 - The user sets the flash memory where the electronic contents, etc., are downloaded in a reading terminal 105 and then can browse the electronic book contents.
ユーザは電子書籍コンテンツ等がダウンロードされたフラッシュメモリを読書端末１０５にセットすることにより、電子書籍コンテンツを閲覧できる。 - 特許庁 - The light emitting element 9 displays an operation for writing the image data to the memory 124 and an operation for electrically charging the electronic flash through its blinking operation.
発光素子９は、その点滅動作によりメモリ１２４への画像データの書込み動作およびストロボ３のストロボ充電動作を表示する。 - 特許庁 - A portable device where power is supplied from a battery includes at least one of slots 22 and 24 for receiving a flash memory module in a housing 10.
携帯用の、バッテリにより電源供給される装置はハウジング１０にフラッシュメモリモジュールを受けるため１つ以上のスロット２２，２４を含む。 - 特許庁 - This NAND flash memory device comprises a data loading circuit loading program data in a page buffer having a first latch and a second latch.
本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は、第１ラッチと第２ラッチを有するページバッファにプログラムデータをローディングするデータローディング回路を含む。 - 特許庁 - To rewrite data practically by an address unit by utilizing a copying function even for a flash memory requiring the access of a bank unit.
バンク単位のアクセスを必要とするフラッシュメモリであっても、コピー機能を利用して実質的にアドレス単位でのデータの書替えを可能とする。 - 特許庁 - When the VEL controller inputs OFF information about the ignition switch from the ECM, it writes backup data to the flash memory.
前記ＶＥＬコントローラは、前記ＥＣＭから前記イグニッションスイッチのオフ情報を入力すると、フラッシュメモリに対するバックアップデータの書き込みを行う。 - 特許庁 - When erase/program verifying operation is performed, the NAND type flash memory device has wider internal data bus width than input/output width of data.
消去／プログラム検証動作が実行される場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置は、データの入／出力幅より広い内部データバス幅を有する。 - 特許庁 - Thus, the second operating system is stored in the AND type flash memory 5 which is programmable but not randomly accessible and becomes easily changeable.
これにより、第２オペレーティングシステムは、書き込み可能ではあるがランダムアクセスできないＡＮＤ型フラッシュメモリ５に格納され、変更が容易になる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element manufacturing method for stably forming a logic element, an EEPROM cell, and a flash memory cell in one chip.
ロジック素子、ＥＥＰＲＯＭセル及びフラッシュメモリセルを１つのチップ内に安定して形成できる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - When normal read-out operation is performed, a NAND type flash memory device has internal data bus width corresponding to input/output width of data.
正常な読み出し動作が実行される場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置は、データの入／出力幅に対応する内部データバス幅を有する。 - 特許庁 - The program stored in the flash memory is stored (downloaded) in a RAM, and the processing for the equipment is executed by the program stored in the RAM.
フラッシュメモリに格納されたプログラムをＲＡＭに記憶（ダウンロード）し、かつＲＡＭに記憶された前記プログラムによって機器の処理を実行する。 - 特許庁 - To easily update a system program by eliminating the need to manually replace a PROM and the need to mount a tool dedicated to flash memory writing.
ＰＲＯＭの手動交換、フラッシュメモリ書き込み専用工具の装着が不要となり、システムプログラムの更新を容易に行うことが可能となる。 - 特許庁 - When the predetermined signals are inputted the CPU 42 causes the log of operations stored in the RAM 43 to be stored in the flash memory 44.
ＣＰＵ４２は、所定の信号が入力された場合に、ＲＡＭ４３に格納されている動作ログをフラッシュメモリ４４に格納させる。 - 特許庁 - Only when they match each other, a tri-state buffer 4g enables the flash memory chip 6 to be read.
そして、コンペアレジスタ４ｆによる比較結果が一致した場合のみ、トライステイトバッファ４ｇによってフラッシュメモリチップ６に対する読み出しが許可される。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a flash memory element, capable of eventually improving the charge leakage characteristics and the retention characteristics.
本発明は、究極的に電荷漏洩特性及び保持特性を向上させることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A general purpose processor 20 is coupled to a flash memory 26 and coupled to the processor 16 and remote access data link devices 28 in two-way.
汎用プロセッサ２０は、フラッシュ・メモリ２６に結合され、プロセッサ１６及び遠隔アクセス用データ・リンク装置２８に双方向的に結合される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory with a short gate length for preventing punch-through leakage currents generated between cell joints.
短いゲート長を有しながらセル接合部間に発生するパンチスルー性漏洩電流を防止するフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁 - As shown by Fig.1, the storage device 10 is provided with a first connection part 14, a second connection part 16, a control part 18 and a flash memory 32.
図１に示すように、記憶装置１０は、第１の接続部１４、第２の接続部１６、制御部１８及びフラッシュメモリ３２を有する。 - 特許庁 - To provide a floating gate device with good data retention and electrical performance capable of downsizing NAND flash memory devices electrically and physically.
ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスを電気的、物理的に小型化し、良好なデータ保持と電気的特性を備えたフローティングゲートデバイスを提供する。 - 特許庁 - In some embodiment, each flash sector of the memory cell has a reference cell of itself for reading out a cell of a sector, the series of reference cells also exist for a whole memory chip operating as master reference.
ある実施例において、メモリセルの各フラッシュセクタは、セクタのセルを読み出すためのそれ自体の参照セルをもち、一連の参照セルもまた、マスタ参照として作用する全メモリチップ用に存在する。 - 特許庁 - To provide a program method of a flash memory device provided with first and second bit lines to which a plurality of memory cells for storing multi-bit data indicating one of a plurality of states are connected.
複数の状態のうちのいずれか１つを示すマルチビットデータを記憶するための複数のメモリセルが接続された第１及び第２ビットラインを具備したフラッシュメモリ装置のプログラム方法が提供される。 - 特許庁 - By way of example, a memory card 100 comprising a flash memory part 101, a card controller part 102 and a transmission/reception buffer part 103 further has a format function part 104 and a format switch 105.
例えば、フラッシュメモリ部１０１、カードコントローラ部１０２および送受信バッファ部１０３などを備えるメモリカード１００において、更に、フォーマット機能部１０４およびフォーマットスイッチ１０５を設ける。 - 特許庁 - The flash memory 20 built in a memory pack 20a freely attachable and detachable to/from a reception control part 3 by a connector 10 stores basic data in a first area and stores linked data in a second area.
コネクタ１９により受信制御部３に着脱自在なメモリパック２０ａに内蔵したフラッシュメモリ２０は、第１領域に基本データを記憶すると共に連動データを第２領域に記憶する。 - 特許庁 - A memory cell of an AND type flash memory is composed of a selector gate, a floating gate, a control gate functioning as a word line WL and an n-type semiconductor region (source/drain) functioning as a local bit line BL.
ＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルは、選択ゲート、浮遊ゲート、ワード線ＷＬとして機能する制御ゲート、ローカルビット線ＢＬとして機能するｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）で構成されている。 - 特許庁 - To provide a flash memory of which a particular partial block is not used and a block continuously recorded with data does not need to be managed by software, and to provide a method for rewriting the data in the memory.
本発明では、特定のブロックを偏って使用することなく、また、データが連続して記録されたブロックをソフトウェアで管理する必要がないフラッシュメモリ及びそのデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁 - The flash memory is provided with a plurality of pages having data areas and management areas corresponding to the data areas and further has a plurality of the pages and a plurality of memory blocks of deletion unit.
本発明は，データ領域とデータ領域に対応する管理領域とを有する複数のページを有し，更に，当該複数のページを有し消去単位のメモリブロックを複数有するフラッシュメモリである。 - 特許庁 - When the switch element S1 is opened to start a sense amplifier 6, the data read from the memory cell M02 to be stored in the bit line BL102 of the bottom array block is output to the outside of a flash memory.
スイッチ素子Ｓ１を開いてセンスアンプ６を起動すれば、メモリセルＭ０２から読み出されてボトムアレイブロックのビット線ＢＬ１０２に保持されているデータを、フラッシュメモリの外部に出力することができる。 - 特許庁 - To provide a program transferring method capable of making it unnecessary to store any program for start in a flash memory before assembling a substrate, and preventing any constraint from being generated to a rewritable memory area in a system.
基板組立以前に起動用プログラムをフラッシュメモリに格納しておくことなく、かつ、システムにおける書き換え可能なメモリ領域に制約を生じさせることのない、プログラム転送方法を提供する。 - 特許庁 - To automatically delete data in a plurality of serially arranged memory block areas in block by simple address specification without specifying all target addresses in an NOR type flash memory.
ＮＯＲ型フラッシュメモリにおいて、シリアルに並んだ複数のメモリブロック領域のデータ消去を、対象アドレスの全てを指定することなく簡単なアドレス指定によって自動的に一括消去する。 - 特許庁 - To provide a memory system which, when data is stored in a flash EEPROM nonvolatile memory, detects a border between a data storage area and a data non-stored area by detecting an erased page.
フラッシュEEPROM型不揮発性メモリにデータを保存する際、消去ページを検知することにより、データ格納領域とデータ未格納領域との境界を検知することが可能なメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - The one recording medium (primary recording medium) 46 is a high-speed accessible and rewritable flash memory, and the other recording medium (secondary recording medium) 48 is an inexpensive, bulk and non-rewritable write-once-memory.
一方の記録媒体（一次記録媒体）４６は、高速アクセスできる書換可能なフラッシュメモリであり、他方の記録媒体（二次記録媒体）４８は、安価で大容量の書換不能なライトワンスメモリとする。 - 特許庁 - The deletion table is managed by the RAM 11, whereby the rewriting frequency of a flash memory 3 involved by updating of the deletion table is dispensed with, and the stress to the memory cell can be significantly reduced.
消去テーブルをＲＡＭ１１によって管理することにより、該消去テーブルの更新に伴うフラッシュメモリ３の書き換え回数を不要とし、メモリセルへのストレスを大幅に低減することができる。 - 特許庁 - The image pickup device includes a first nonvolatile memory (NAND flash 5) whose access for writing/reading image data is sequential, and a second nonvolatile memory (MRAM 4) whose access for writing/reading image data is random.
画像データの書き込み／読み出しのアクセスがシーケンシャルな第１の不揮発メモリ（ＮＡＮＤフラッシュ５）と、画像データの書き込み／読み出しのアクセスがランダムな第２の不揮発メモリ（ＭＲＡＭ４）とを備える。 - 特許庁 - When an extension memory card is set on a card slot 200, a microcomputer 30 for control can add an extension module read from the subject special card to a predetermined region of a flash memory 31.
カードスロット２００に拡張メモリカードが装着された場合に、制御用マイコン３０は、当該専用カードから読み込んだ拡張モジュールを、フラッシュメモリ３１の所定の領域に追加することができる。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory device having a multi-plane structure, capable of simultaneously copyback-programming a cell connected to an even bit line and a memory cell connected to an odd bit line within one page.
一つのページ内のイブンビットラインに接続されたセルとオッドビットラインに連結されたメモリセルとを同時にコピーバックプログラムすることが可能な、マルチプレーン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁 - When the power is supplied, a control part (8) reads a necessary program from a flash memory (13) for file storage to transfer the program to an RAM (12), and uses the RAM as an instruction memory to perform processing.
制御部（８）は、電源投入時には、ファイルストレージ用フラッシュメモリ（１３）から必要なプログラムを読出してＲＡＭ（１２）へ転送し、ＲＡＭを命令メモリとして利用して処理を実行する。 - 特許庁 - To provide a flash memory element for preventing a cell from being erased excessively and making uniform the threshold voltage distribution of a memory cell array by preventing an electric charge from being centered in the cell.
電荷がセル内に集中することを防止することにより、セルの過消去を防止してメモリセルアレイのしきい値電圧分布を均一にすることができるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁 - A flash memory 10 executes a memory cell check and data replacement processing to a redundant cell as the background operation of the normal operation, according to internal addresses formed independently from external addresses.
フラッシュ・メモリ装置１０は、通常動作のバックグランド動作として、外部アドレスと独立して生成された内部アドレスに従って、メモリ・セル・チェック及び冗長セルへのデータ置換処理を実行する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device such as a NAND type flash-memory device or the like capable of preventing occurrence of a short circuit failure between gate electrodes SG even though a dummy contact is formed by an auxiliary pattern.
補助パターンでダミーコンタクトが形成されてもゲート電極ＳＧとの間で短絡不良が発生するのを防止できるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置等の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Afterwards, the FTP server for the AV server 3 writes the software data written in the RAM 43 in a flash memory 44, in response to a request for writing in a memory from the FTP client of the personal computer 1.
その後、パーソナルコンピュータ１のＦＴＰクライアントからのメモリへの書き込み要求により、ＡＶサーバ３のＦＴＰサーバは、ＲＡＭ４３に書き込まれたソフトウェアデータをフラッシュメモリ４４に書き込む。 - 特許庁 - Specifically, reading speed is improved by employing a structure where a memory gate electrode 22a is formed only on a sidewall at one side of a control gate electrode 14a as a structure for the code flash memory cell.
具体的には、コードフラッシュメモリセルの構造としてコントロールゲート電極１４ａの片側の側壁にだけメモリゲート電極２２ａが形成された構造を採用して読み出し速度の向上を図る。 - 特許庁 - The CPU executes the transfer control program to transfer the rewriting control program to the random access memory, and further executes the transferred rewriting control program to write prepared data into the flash memory.
ＣＰＵは、転送制御プログラムを実行して、書換え制御プログラムを前記ランダムアクセスメモリへ転送し、さらに、転送された前記書換え制御プログラムを実行して、用意されたデータをフラッシュメモリへ書き込む。 - 特許庁 - After received image data are transferred from an image memory 80 to a flash memory 90, the communication terminal transmits an MCF (Message Confirmation) signal in response to an MPS (Multi-page) signal from the transmitter side to the transmitter side as the succeeding processing.
受信画データを頁単位で画像メモリ８０からフラッシュメモリ９０に転送した後、次の処理として送信側からのＭＰＳ信号に応答してＭＣＦ信号を送信側に送出している。 - 特許庁 - In a video storage device, voice data are temporarily stored in a buffer memory 2 for writing so as to be temporally matched with the writing operation of a storage part 1 configured of an NAND flash memory.
映像蓄積装置において、音声データは、ＮＡＮＤフラッシュメモリにより構成された蓄積部１の書き込み動作との時間的な整合を取るため、書き込み用バッファメモリ２に一時保持される。 - 特許庁 - The image processor stores the program in a nonvolatile storage device such as a hard disk or the like, and the program is automatically written into a nonvolatile rewritable memory such as a flash memory or the like by turning off/on the power supply.
画像処理装置はプログラムをハードディスクなどの不揮発性記憶装置に記憶し、電源のＯＦＦ／ＯＮにより自動的にフラッシュメモリ等の不揮発性の書き換え可能なメモリに書き込まれる。 - 特許庁 - When a mobile phone is powered on, a control unit (8) reads a required program for a file storage flash memory (13), transfers it to a RAM (12) and utilizes the RAM as an instruction memory to carry out processing.
制御部（８）は、電源投入時には、ファイルストレージ用フラッシュメモリ（１３）から必要なプログラムを読出してＲＡＭ（１２）へ転送し、ＲＡＭを命令メモリとして利用して処理を実行する。 - 特許庁 - Recorded information of the memory 12 is transferred to a flash memory 13 by actuation of a collision sensor 2, and the image information immediately before an accident is played back by taking it out from an output terminal 15 through an encoder 14.
衝突センサ２の作動によりメモリ１２の記録情報をフラッシュメモリ１３に転送し、エンコーダ１４を介して出力端子１５より取り出して、事故直前の画像情報を再生する。 - 特許庁
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