「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 .... 88 89 次へ＞- To provide a split-gate flash memory device preventing misalignment of active region and a floating gate electrode, and to provide its manufacturing method.
アクティブ領域及びフローティングゲート電極のミスアラインを防止することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Next, photographing is performed, while setting the irradiation angle of the flash light emitting device 200 to a wide-side and a resultant image (image signal) is stored in the internal memory (ST7).
次に、閃光発光装置２００の照射角度をワイド側にして撮影し、得られた画像（画像信号）を内部メモリに記憶する（ST７）。 - 特許庁 - Next, the storage device stores the data stored in the cache memory into the disk device according to input of flash requirement transmitted from the program.
次に、前記プログラムから送られたフラッシュ要求の入力に応じて前記キャッシュメモリに格納されたデータを前記ディスク装置に格納する。 - 特許庁 - To provide a double-interface SD flash memory card which has both SD interface and USB interface transmitting functions and is portable and small-sized.
ＳＤインターフェース及びＵＳＢインターフェース伝送機能を同時に具える携帯可能で小型のダブルインターフェースＳＤフラッシュメモリカードを提供する。 - 特許庁 - The initial calibration data being set in the flash memory FM at the time is input into an AFE communication module ACM without going through a bus controller 102.
この際のフラッシュメモリーＦＭに設定される初期較正データはバスコントローラ１０２を超えてＡＦＥ通信モジュールＡＣＭに入力される。 - 特許庁 - To provide a configuration allowing reduction of an invalid data area generated in data writing processing to a flash memory, and allowing reliable data holding.
フラッシュメモリに対するデータ書き込み処理において発生する無効データ領域の削減、確実なデータ保持を可能とする構成を提供する。 - 特許庁 - The wireless LAN device 1 transfers and installs a file for installation from the flash memory 2 recognized as a USB keyboard device, to the personal computer 5.
そして、無線ＬＡＮデバイス１は、ＵＳＢキーボードデバイスとして認識させたフラッシュメモリ２からインストール用ファイルをパソコン５に転送してインストールさせる。 - 特許庁 - To improve efficiency of access processing to a flash memory when a host system continuously gives an access instruction in which access areas continue.
ホストシステムからアクセス領域が連続するアクセス指示が連続して与えられた場合に、フラッシュメモリに対するアクセス処理の効率を向上させる。 - 特許庁 - To provide a flash memory device capable of decreasing an amount of charges trapped by an oxide film between a control gate and a channel region in cycling it.
サイクリングの際にコントロールゲートとチャネル領域間の酸化膜にトラップされる電荷量を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子の提供。 - 特許庁 - The card type electronic device 1 comprises a mask ROM core 2, a rewritable flash memory core 3, a system part 4 and a power-on detection part 5.
このカード型電子機器１は、マスクＲＯＭコア２と、書き換え可能なフラッシュメモリコア３と、システム部４と、パワーオン検出部５とを具備する。 - 特許庁 - The system and device simplifies migration processes from ordinary storage device to the new storage device, which may include HDDs and FLASH memory units.
このシステムおよび装置は、通常の記憶装置から、ＨＤＤとフラッシュメモリユニットを含み得る新しい記憶装置への移行プロセスを簡単にする。 - 特許庁 - The CPU 24 performs the control to decrypt the data read from the flash memory 14 by the encryption engine 25 and to supply them to the computer devices 2a, 4a.
また、フラッシュメモリ１４から読み出すデータを暗号エンジン２５によって復号化してコンピュータ装置２ａ，４ａに供給する制御を行う。 - 特許庁 - Thereby, high voltage of 15 volt is applied to a source of a specified cell of the flash memory 1 by a frequency division time, normal program can be realized.
これより、フラッシュメモリ１の指定セルのソースに対し１５ボルトの高電圧が分周時間だけ印加され、正常なプログラムを実現できる。 - 特許庁 - To provide a program execution device which can perform another processing during rewriting a flash memory, irrespective of software.
ソフトウェア側で意識せずとも、フラッシュメモリの書き換え処理を行っている間に、他の処理を行うことができるプログラム実行装置を提供する。 - 特許庁 - A network authentication setting NAS for designating the validity/invalidity of the authentication procedures of each function is stored so as to be editable in a flash memory 121.
フラッシュメモリ１２１には、機能ごとの認証手続の要否を指定したネットワーク認証設定ＮＡＳが編集可能に記憶されている。 - 特許庁 - When a program module is transferred from the flash memory 101 to an instruction RAM 102, a module number register 201 holds the module number.
モジュール番号レジスタ２０１はフラッシュメモリ１０１から命令ＲＡＭ１０２にプログラムモジュールが転送される際にそのモジュール番号を保持する。 - 特許庁 - To realize an information processor for overwriting a flash memory by performing block movement only once per block when overwriting data.
データの上書きの際、ブロック移動を１ブロック当たり１回で済ますフラシュメモリの上書き方法が可能な情報処理装置の実現を課題とする。 - 特許庁 - Then a CPU 4 successively writes data obtained from the writer 1 in a flash memory 8 by using the firmware stored in the RAM 7.
しかる後に、ＲＡＭ１７へ格納されたファームウェアを使用してＣＰＵ４が順次フラッシュメモリ８へフラッシュライタ１からのデータを書込む。 - 特許庁 - To read and write data with high reliability and convenience, in a storage system using a storage device such as a flash memory of executing wear leveling processing.
ウェアレベリング処理を実行するフラッシュメモリ等の記憶デバイスを用いたストレージシステムで、高い信頼性と利便性を備えてデータを読み書きする。 - 特許庁 - To provide a highly reliable flash memory system which can access the contents of the whole system without any trouble even if the power source fails.
電源がフェイルした場合でも支障なくシステム全体の内容にアクセスすることができる、信頼性の高いフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - A search part 11 searches a usable block sequentially from the most significant address of the NAND flash memory at start-up of a reader writer device 1.
探索部１１は、リーダライタ装置１の起動時に、ＮＡＮＤフラッシュメモリの最上位のアドレスから順に使用可能なブロックを探索する。 - 特許庁 - To provide a simple file system with small overhead that copes with wear leveling (a method to distribute writing into blocks), in a flash memory.
フラッシュメモリにおいて（ブロックへの書き込みを分散させる手法）ウエアレベリングに対応したオーバーヘッドの小さい簡易なファイルシステムを提供する。 - 特許庁 - User data supplied to the flash memory is successively connected in a predetermined bite number unit, and the connected user data is cut out in a predetermined symbol length unit.
フラッシュメモリに供給されるユーザデータを所定のバイト数単位で順次連結し、連結したユーザデータを所定のシンボル長単位で切り出す。 - 特許庁 - To make the bug removal of a program to be efficient and to make the product of version-up into short TAT in a data processor incorporating a flash memory.
フラッシュメモリを内蔵するデータ処理装置におけるプログラムのバグ除去の効率化、及び、バージョンアップの製品の短ＴＡＴ化を図る。 - 特許庁 - To provide a maintenance system for a working machine, wherein an adjusting value is easily installed into a flash memory storing the adjusting value for work.
作業用の調整値を記憶するフラッシュメモリに対して容易に調整値をインストール可能な作業機の保守システムを提供すること。 - 特許庁 - A NOR-type flash memory 204 which is mounted on a substrate of electronic equipment is connected to an external device via a connector which is not illustrated.
電子機器の基板に実装されたＮＯＲ型フラッシュメモリ２０４は、図示しないコネクタを介して外部装置と接続されるようになっている。 - 特許庁 - To provide a data recovery system capable of recovering data even when an error beyond an error correction ability of own device occurs in a flash memory.
フラッシュメモリに、自装置が備えるエラー訂正能力を超えるエラーが発生した場合でも修復可能なデータ修復システムを提供する。 - 特許庁 - When connecting the USB connector 30 to a host computer PC, bus power is supplied to the USB flash memory 20 through the USB connector 30.
ＵＳＢコネクタ３０をホストコンピュータＰＣに接続すると、ＵＳＢコネクタ３０を介して、ＵＳＢフラッシュメモリ２０にバスパワー電源が供給される。 - 特許庁 - To shorten a test time by providing mechanism performing discriminating and adjustment of internal voltage inside of a chip in gate voltage adjustment of a flash memory.
フラッシュメモリのゲート電圧調整において、チップ内部で内部電圧判定と調整を行う機構を設けることにより、検査の時短を図る。 - 特許庁 - A reset timing determination program 61a stored in a head storage area 22a of a flash memory 22 starts when getting into a reset state.
リセット状態になった時点でフラッシュメモリ２２の先頭記憶領域２２ａに記憶されているリセット時判断プログラム６１ａが起動する。 - 特許庁 - If it is an application that has never been activated, a retrieval table of the flash memory 104 is referred to retrieve and assign an unused application ID.
一度も起動されたことのないアプリの場合は、フラッシュメモリ１０４の検索テーブルを参照し、空きアプリＩＤを検索して採番する。 - 特許庁 - A storage area selection section 15 selects either of the flash memory 16a or the RAM 16b under the control of a device control section 12.
記憶領域選択部１５は、デバイス制御部１２の制御の下でフラッシュメモリ１６ａ及びＲＡＭ１６ｂの何れか一方を選択する。 - 特許庁 - To solve the problem that it is necessary to spend a long time at the time of updating a program by rewriting program data stored in a flash memory.
フラッシュメモリに格納されているプログラムデータを書き換えてプログラムを更新する場合に、長時間を要するという問題を解決する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device such as a multilevel-flash memory or the like in which a processing time for setting write control information to a sense latch circuit can be shortened.
センスラッチ回路に書込み制御情報を設定する処理時間を短縮できる多値フラッシュメモリ等の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A refresh management table is provided in a flash memory device, and the number of times of data read and the number of times of data erasure are stored and updated at any time for each physical block.
フラッシュメモリデバイスにリフレッシュ管理テーブルを設け、物理ブロック毎のデータ読み出し回数、消去回数を随時記憶、更新する。 - 特許庁 - According to such a structure, the access to the flash memory can be more efficiently performed, and even if a power supply is suddenly off, the address conversion table can be easily restored.
よって、より効率的にフラッシュメモリにアクセス可能になり、且つ、突然電源がオフされてもアドレス変換テーブルを容易に復旧できる。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory in which a test time can be shortened by reducing largely a time for inputting data for test.
テスト用のデータを入力する時間を大幅に削減して、テスト時間の短縮を図ることが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To increase the transfer operation speed, to reduce the power consumption, to reduce the chip size, and to improve the sense margin in a multi-level flash memory and the like.
多値フラッシュメモリ等の転送動作の高速化及び低消費電力化を図るとともに、そのチップサイズを縮小し、センスマージンを高める。 - 特許庁 - To provide a NOR type flash memory for warranting an equivalent high read speed in two modes, a WORD read mode and a BYTE read mode even when either of the two modes is selected.
NOR 型フラッシュメモリにおいて、WORD読みモードとBYTE読みモードとを切り換えた場合でも、２つのモードで同等の高速読み出し速度を保証する。 - 特許庁 - The content data saved in the write buffer 50 is re-output to an accumulation unit 80 and the content data is rewritten to the flash memory 81.
そして、書き込み用バッファ５０に保存された素材データを、蓄積部８０へ再出力させ、素材データをフラッシュメモリ８１へ再書き込みする。 - 特許庁 - To provide a method for forming a floating gate electrode for a flash memory device with which an irreducibly minimum coupling ratio required for driving the device can be ensured.
素子の駆動に必要な最小限のカップリング比を確保することができるフラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法の提供。 - 特許庁 - The expansion generates partitions in a flash memory 2 for the TRM 1 to assign them to the EC applications, while locating partition tables in the internal EEPROM 3.
この拡張は、内部EEPROM３内にパーティションテーブルを配置しつつ、TRM１フラッシュメモリ２にパーティションを生成してECアプリに割り当てるというものである。 - 特許庁 - A boot program, a control program, and the conforming data are written in storage areas 40, 50, 60 of a flash memory 30 of an ECU 10, respectively.
ＥＣＵ１０のフラッシュメモリ３０の記憶領域４０、５０、６０に、ブートプログラムと制御プログラムと適合データとがそれぞれ書き込まれている。 - 特許庁 - To realize a good element separation characteristic in a miniaturized NAND-type flash memory without lowering a processing yield of an element separation groove.
微細化されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、素子分離溝の加工歩留まりを低下させることなく、良好な素子分離特性を実現する。 - 特許庁 - To provide a flash EEPROM in which over erasion can be suppressed without performing over erasion for a memory cell already erased.
既に消去されたメモリセルに過剰な消去を行うことがなく、過消去を抑えることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for erasing data of a NAND-flash memory device, which reduces an erasing time without lowering reliability of the device.
消去時間を縮小させるとともに、素子の信頼性を低下させないＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のデータ消去方法を提供する。 - 特許庁 - The DVD recorder rewrites an existing firmware that is stored in a flash memory to a firmware on which the firmware related to reproducing function for MP3 is added.
レコーダではフラッシュメモリに記憶されている既存のファームウェアをＭＰ３の再生機能に関するファームウェアを追加したファームウェアに書き換える。 - 特許庁 - After a flash memory gate electrode 11 is formed, a thermal oxide film 12 is formed by thermal oxidation for protecting the gate electrode and stabilizing its characteristics.
そしてフラッシュメモリーのゲート電極１１を形成した後、ゲート電極の保護と特性安定化のための酸化膜１２を熱酸化形成する。 - 特許庁 - To provide an address line of flash memory for shortening the testing time, a testing method of a testing device, and the testing device.
試験時間の短縮化を図ったフラッシュメモリのアドレス線及び試験装置の試験方法及び試験装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The record data information STR indicates a head address in the flash memory 20 and a data length concerning latest data of each of the plurality of types of data.
記録データ情報ＳＴＲは、複数種のデータの各々の最新データに関して、フラッシュメモリ２０中の先頭アドレスとデータ長を示す。 - 特許庁
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