「In Isolation」を含む例文一覧(3114)
＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 .... 62 63 次へ＞- Moreover, a GaN layer 103 is grown in the AlGaN layer 102 at about 1,000°C, so that crystallization can be progressed and phase isolation can be generated in the InAlN layer 101, and a nitride semiconductor in which an In-rich region and an Al rich region coexist can be formed.
さらに、ＡｌＧａＮ層１０２上にＧａＮ層１０３を約１０００℃の温度で成長させることにより、ＩｎＡｌＮ層１０１の層中で結晶化を進行させるとともに相分離を発生させ、Ｉｎリッチ領域とＡｌリッチ領域とが混在する窒化物半導体を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor device which is kept high in dielectric strength shortening a distance between elements can be designed, a trench isolation film can be reduced in space factor itself, and as a result, a semiconductor device high in the breakdown voltage and enhanced in degree of integration can be manufactured.
所要の絶縁耐圧を確保しながらも素子間の寸法を縮小した半導体装置の設計が可能となり、かつトレンチ分離膜の占有面積自体の縮小が可能となり、結果として高耐圧でかつ高集積化を実現した半導体装置を製造することが可能となる。 - 特許庁 - A load receiving device 1 bearing vertical load and horizontal load of the superstructure 5 in a using state is set in a space between the superstructure 5 and a lower structure 6 divided into up and down in a state to connect it to the supersurface or the lower surface of the base isolation device 4 in series.
上下に区分される上部構造５と下部構造６との間の空間に、使用状態で上部構造５の鉛直荷重と水平荷重を負担する荷重受け装置１を免震装置４の上面、もしくは下面に直列に接合した状態で設置する。 - 特許庁 - To prevent the formation of a shadow in a light transmitting part by a shading resin material and to suppress the occurrence of a sink in the surface of a resin product when an isolation part isolated from a main body part is formed in a shading part in the resin product comprising the light transmitting part and the shading part.
透光部と遮光部とからなる樹脂製品において、遮光部に本体部分から隔離された隔離部分を設ける場合に、遮光性樹脂材による影が透光部にできないようにし、しかも、樹脂製品の表面にヒケが発生するのを抑制する。 - 特許庁 - In the lithography which utilizes an electron emission by a ferroelectric substance switching performed in the ferroelectric substance emitter like this, more uniform electron emission is guaranteed regardless of an interval of the mask pattern, and even in a pattern formed in isolation with a donut-like shape.
このような強誘電体エミッタで行なわれる、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーにあっては、マスクパターンの間隔によらず、さらにドーナツ状に孤立して形成されたパターンでも、より均一なエレクトロンエミッションが保証されるようになる。 - 特許庁 - In the patterning process of the gate, a polycrystalline silicon film 16a which constitutes the floating gate 6 is left in the element formation area 12, and besides in condition that the element isolation film 14 is exposed, the etching is stopped once, and a groove is made in the surface of the element isolating and insulating film 14.
ゲート部のパターニング工程では、浮遊ゲート６を構成する多結晶シリコン膜１６ａが素子形成領域１２に残され、且つ素子分離絶縁膜１４が露出した状態で一旦エッチングを止めて、素子分離絶縁膜１４の表面に溝２３を加工する。 - 特許庁 - In the culture after isolation, in addition to a product obtained by adding a small amount of serum to a serumless medium, a specific cell adhesion factor is added to the stem cells inherently low in adhesion spreadability, and furthermore two kinds of growth factors effective for proliferating the stem cells in particular are added, thus carrying out the culture.
分離後の培養には、無血清培地に小量の血清を添加した物に加え、本来接着伸展性の低い幹細胞に対し特定の細胞接着因子を添加し、さらに特に幹細胞の増幅に効果的な２種類の成長因子を加えて培養する。 - 特許庁 - To remarkably improve the workability of an isolator 5 of a vibration isolation system wherein a coil spring 8 is accommodated in upper and lower two spring cases 7, 6, by sliding and moving the isolator on a frame 10, when its position is adjusted in installation work, while keeping the stability in its attitude in an installed state same as that in a conventional one.
上下２つのばねケース７，６内にコイルばね８を収容してなる防振台のアイソレータ５において、設置状態での姿勢安定性を従来までと同等のものとしながら、設置作業時に位置を調整するときにはフレーム１０上を滑らせて移動できるようにして、その作業性を大幅に向上する。 - 特許庁 - A first and a second reactor water supply system branch lines 20 and 21 are connected in branch between the manual check valves 7 and 8 and the PCV outside check valves 9 and 10 and a first and a second isolation valves 22 and 23 are provided in these branch lines 20 and 21.
手動逆止弁７，８とＰＣＶ外側逆止弁９，10との間から分岐し第１および第２の原子炉給水系分岐ライン20，21を接続し、この分岐ライン20，21に第１および第２の隔離弁22，23を設ける。 - 特許庁 - The isolation process comprises the steps of causing a plurality of liquids having different electric conductivities to flow through the micro channel 12 having a plurality of passages, applying an electric field to make sub-micron particles of an object to be collected in one of them by an interface electro-kinetically driven flow in the micro channel.
複数の流路を有するマイクロチャンネル１２に、導電率の異なる複数の液体を流し、電界をかけて、マイクロチャンネル内における界面動電駆動流により、目的とするサブミクロン粒子８をいずれかに寄せる。 - 特許庁 - Crystal defects are repaired by RTA without affecting an impurity profile, and a reduction is made in interface level through an interface level reduction treatment, whereby a leakage current occurs less in an element isolation insulating film.
ＲＴＡにより不純物プロファイルに影響を与えることなく結晶欠陥を修復し、かつ界面準位低減処理による界面準位の低減とあいまって、素子分離絶縁膜におけるリーク電流を低減する。 - 特許庁 - To provide a base-isolation supporting device for a crane capable of absorbing the remor of earthquake efficiently while the stability of the crane is enhanced in a simple structure and without installing any ballast etc. at all and embodying in a compact construction with the overall height suppressed.
簡単な構造で且つバラスト等を一切搭載せずに、クレーンの安定性を高めつつ地震の揺れを効率良く吸収し得、更に全体の高さ寸法を抑えてコンパクト化を図り得るクレーンの免震支持装置を提供する。 - 特許庁 - Circuit elements 52A and 52B, which are respectively decided to constitute each circuit device, are respectivey mounted on the paths 51A and 51B and the circuit devices are individually covered with an insulative resin 50 in such a way that the circuit devices are respectively filled in the isolation grooves 61.
各回路装置を構成することになる各回路素子５２Ａ・５２Ｂを導電路５１Ａ・５１Ｂ上にそれぞれ実装し、分離溝６１に充填されるように各回路装置を絶縁性樹脂５０で個別に被覆する。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor device, a silicon nitride film 112 in which a region corresponding to an element isolation region is opened is used as a mask, and a part of a silicon oxide film 111 and a semiconductor silicon substrate 110 is removed by sequential etching to form a trench 114.
素子分離領域に対応する領域が開口されたシリコン窒化膜１１２をマスクとしてシリコン酸化膜１１１および半導体シリコン基板１１０の一部を順次エッチングにより除去してトレンチ１４を形成する。 - 特許庁 - To reduce the number of components and assembling man hour by simplifying the constitution, in a sensor device that has, in a case, a mounting substrate mounted with a sensor element and has a vibration isolation structure for preventing external vibration from transferring to the mounting substrate.
センサ素子を実装した実装基板をケース内に備えると共に、外部の振動をその実装基板に伝えなくするための防振構造を備えるものにあって、構成を簡単化して部品点数や組付工数の削減を図る。 - 特許庁 - In a process for filling an isolation trench with an insulation film, a silicon oxide film deposited by HDP-CVD and a silicon oxide film deposited by SOG are laid in layer thus preventing the generation of void and enhancing yield.
素子分離用の溝の内部に絶縁膜を埋め込む工程において、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜とＳＯＧ法によるシリコン酸化膜とを積層させることにより、ボイドの発生を防止し歩留まりを向上させる。 - 特許庁 - To form magnetic isolation in a perpendicular magnetic recording medium using a high Ku material as a recording layer over the entire surface of the perpendicular magnetic recording medium to reduce noise in the perpendicular magnetic recording medium and a perpendicular magnetic recording apparatus.
垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録装置に関し、高Ｋｕ材を記録層として用いた垂直磁気記録媒体における、磁気的孤立化を垂直磁気記録媒体全面にわたり形成し、ノイズを低減する。 - 特許庁 - A lower silicon substrate 21 and an upper silicon pattern 25a which is electrically isolated from the lower silicon substrate 21 by an isolation layer 33a buried in the hole of an inverted T-shape, which is form in the lower silicon substrate 21, are included.
下部シリコン基板２１と、下部シリコン基板２１に形成された逆Ｔ字状のホールに埋没された分離絶縁層３３ａによって下部シリコン基板２１と電気的に分離された上部シリコンパターン２５ａとを含む。 - 特許庁 - To provide a method and a system for supporting a maintenance operation plan, by which an isolation operation can be readily planned, in a short period, in plant maintenance operation, and furthermore, man-power saving and accuracy improvement of operation can be attained.
プラントの保守作業において、短時間で容易にアイソレーション作業の計画立案を実現でき、更に業務の省力化と精度向上が図ることができる保守作業計画支援方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - An actuator group is disposed so as to apply a control force to the supporting object in the respective directions of six degrees of freedoms, and vibration isolation feedback control is performed so as to generate the control force at least proportional to the speed in each direction of the degrees of freedom.
被支持体に対し６自由度の各方向に制御力を付加するようにアクチュエータ群が設けられ、各々の自由度方向に少なくとも速度に比例する制御力を発生するよう除振フィードバック制御される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a toner by which coarse particles in a toner are removed to prevent occurrence of image defects such as voids, isolation of an external additive in a screening step is suppressed, and satisfactory throughput can be ensured.
トナー中の粗粒を除去することで、柿種等の画像不良を防止し、かつ篩分け工程で生じる外添剤の遊離を極力軽減し、十分な処理能力を確保できるトナーの製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - A plurality of isolation regions 4 are formed in the SOI layer 2 on an SOI substrate and a gate electrode 5b is formed through a gate insulation film after desired impurities are implanted in the body part of an Si active layer region 2a.
ＳＯＩ基板のＳＯＩ層２に複数個の素子分離領域４を形成し、Ｓｉ活性層領域２ａのボディ部に対して所望の不純物を注入してから、ゲート絶縁膜を介してゲート電極５ｂを形成する。 - 特許庁 - To prevent the mutual oscillation of an elevator box on a basement side and the elevator box on a ground floor side during earthquake in the case of installing the elevator running between a basement and a ground floor in a base-isolation supported housing with the basement.
免震支持された地下室付きの住宅に地下室と地上階とに跨るエレベータを設ける場合において、地下室側のエレベータボックスと地上階側のエレベータボックスが、地震の際に相互に揺れることがないようにしたものである。 - 特許庁 - To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.
本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an array antenna which can suppress the disorder of excitation distribution in a predetermined spatial domain or an angle direction to the minimum, in a feed structure which omits isolation and permits the generation of multiple reflection wave.
本発明は、アイソレーションを省略し多重反射波の発生を許容する給電構造において、所定の空間領域又は角度方向における励振分布の乱れを最小限に抑えることができるアレーアンテナを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor apparatus in which insulation films are practically equally high in the element isolation region, which has multiple single crystal semiconductor layers with different film thicknesses, and which has a structure enabling easy minute wiring, and to provide its manufacturing method.
素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Contact holes 3 and 13 are formed, in such a way that the forming positions of the holes 3 and 13 are made to deviate by the forming deviations of etching masks, and the edge sections of isolation oxide films 21 are etched, and in addition, caused over-etching.
コンタクトホール３および１３は、エッチングマスクの形成ずれになどによって、コンタクトホールの形成位置がずれ、分離酸化膜２１の端縁部をエッチングするようにコンタクトホールが形成され、さらにオーバーエッチングを起こしている。 - 特許庁 - To provide a base isolation and water cut-off structure of a vertical shaft joint part and a tunnel to prevent a ground state from being changed by an earthquake in a joint part of a segment and a pit mouth after a shield machine passes in the pit mouth of start and arrival vertical shaft of the shield tunnel.
シールドトンネルの発進及び到達立坑の坑口で、シールド機械通過後のセグメントと坑口の接合部において、地震など地盤変状によるトンネルと立坑接合部の免震及び止水構造を提供する。 - 特許庁 - To obtain a joint device for a base isolation building or the like capable of being automatically restored to an initial state and directly covering the joint device without impairing the joint device even if a joint section is expanded in the vertical direction and is shifted in different right and left directions.
目地部が上下方向に伸縮したり、異なる左右方向にずれた場合でも損傷することなく、自動的に元の状態に戻すことができ、直接目地部を覆うことができる免震ビル等の目地装置を得る。 - 特許庁 - To provide trench-cutting equipment of polygonal electronic components, wherein an operation tact is short, irregularities in characteristics can be reduced and stabilized, isolation, transfer and centering to a work axis are enabled in spite of fine size, and stable holding is made possible.
動作タクトが短く、特性バラツキを小さくかつ安定にでき、微小サイズでも分離、移載しかつ加工軸に対してセンタリングされ、安定して保持できる多角形電子部品の溝切装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A vibration isolation bush 8 which is provided on the tip end of a stay comprising a manual shift link mechanism is fixed between a pair of opposed support faces 11 and 12 which are provided in a bracket 10 fixedly provided in a transmission casing by means of a bolt 15.
変速機ケースに固設されているブラケット１０に設けられている対向一対の支持面１１，１２間にマニュアルシフトリンク機構を構成するステーの先端に設けられている防振ブッシュ８がボルト１５により固定されている。 - 特許庁 - A power supply isolation type electronic device has: a housing; a power supply circuit part 180 having a substantially rectangular parallelepiped shape and being housed in the housing removably; and an amplifier 190 being housed in the housing and to which a power is fed from the power supply circuit part 180.
筐体と、略直方体形状を有して筐体に着脱可能に収納される電源回路部１８０と、筐体に収納され、電源回路部１８０から給電される増幅部１９０とを備える。 - 特許庁 - According to the anchor mounting method, a vertical hole 1a is bored in the pier 1, for embedding the anchor 11, and then the anchor 11 is inserted, followed by arranging the base plate 15 of the base isolation device over the pier, followed by matching an anchor hole 16 formed in the base plate 15 with an anchor location.
橋脚１にアンカー１１を埋設する縦穴１ａを開けてアンカー１１を挿入し、橋脚の上方に免震装置のベースプレート１５を配置し、ベースプレート１５のアンカー穴１６をアンカー位置に合わせて配置する。 - 特許庁 - To provide a filter circuit in which a cutoff property is improved by considering a parasitic component for the filter circuit where GND-wire isolation is deteriorated by having a parasitic inductance component in a GND pad inside a semiconductor package.
半導体パッケージ内のＧＮＤパッドが、寄生インダクタンス成分を有する事によるＧＮＤワイヤ間アイソレーション悪化のフィルタ回路に対し寄生成分を考慮した回路とする事で、カットオフ特性を良くしたフィルタ回路の提供。 - 特許庁 - To form an uniform element isolation region and positively increase the parasitic resistance of a transistor, without increasing man-hours by reducing the difference in polishing rates caused by difference in the areas of diffused layer patterns.
本発明は、拡散層パターンの面積差に起因する研磨レートの差を低減し均一な素子分離領域を形成すること、工程数を増やすことなくトランジスタの寄生抵抗を積極的に大きくすることを課題とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element having an element isolation film in a trench structure that prevents formation of voids due to a high aspect ratio while controlling leakage current associated with decrease in spaces between elements.
素子間の間隔が狭くなることに伴う漏れ電流を抑えつつ、同時に高い縦横比によるボイドの発生を防止できるトレンチ構造の素子分離膜を有する半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To prevent the thickness of an element isolation film from decreasing in a method for manufacturing a stack-type non-volatile semiconductor storage with a contact electrode that is connected in self alignment manner between stack cell electrodes.
スタックセル電極同士の間に不純物拡散層と自己整合的に接続されるコンタクト電極を有するスタック型不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、素子分離膜の膜減りを防止できるようにする。 - 特許庁 - In the semiconductor device and its manufacturing method, defects such as penetration dislocation existing in a crystal layer due to selection growth are set to be element isolation surfaces, thus manufacturing the semiconductor device where a flat element separation surface is formed easily.
本発明では、選択成長によって結晶層中に内在する貫通転位などの欠陥を素子分離面とすることによって容易に、且つ平坦な素子分離面を形成された半導体素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a base-isolation structure for a building, suitable for a low-rise building, simple in structure and easy in construction, supporting the weight of the building, and stable against external forces such as typhoon, strong wind or the like except earthquake.
低層建造物に適して構造が簡単で施工が容易、建造物の重量を支持できる免震構造であって、地震以外の例えば台風、強風などの外力に対しては安定している免震構造を提供する。 - 特許庁 - To achieve a three-dimensional base isolation in the horizontal direction and in the vertical direction with a simple constitution using a disc spring, as a vertical seismic isolator, having a nonlinear spring characteristics which can prolong the a natural period of a building.
建物の固有周期の長周期化が可能となる非線形のばね特性を備えた皿ばねを上下免振装置として用いることにより、水平方向および上下方向の３次元免振を簡単な構成をもって達成する。 - 特許庁 - To provide a rock device of a base isolation building making the most of a merit of a granular body chamber type lock device, being excellent in operational reliability, capable of obtaining a sufficient locked state and hardly generating an impulsive sound and vibration in operation.
粒状体チャンバ式のロック装置の長所を活かした、動作信頼性に優れ、充分なロック状態を得ることができ、動作に際しての衝撃音や振動の発生の少ない免震建物のロック装置を得ること。 - 特許庁 - To provide a base isolation device which has a simple structure while it is still effective against vibration in the biggest earthquake, and is manufactured at low costs and built in a lower portion of a supported object without restriction as it has low vertical bulk.
超大型の地震による震動に対しても有効でありながら構造が簡単で設作コストが安価となり、上下の嵩が低く被支持物下部への組込みに制約を受けることが少ない免震装置を提供する。 - 特許庁 - The gate electrode 9a is composed of an H-shaped plane pattern as a whole, whose gate length in the border region of the active region L and element isolation groove 2 is larger than that in the center section of the active region L.
このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。 - 特許庁 - In an upper surface of a low-density P-type semiconductor substrate 101, an element isolation layer 102 and a conductivity type layer 103 are formed and on the upper surface thereof, an inter-wiring-layer insulating film 104 and the inductor 105 in a spiral shape are laminated.
低濃度P型の半導体基板101の上面内には素子分離層102および導電型層103が形成されており、また、その上面上には配線層間絶縁膜104およびスパイラル形状のインダクタ105が積層されている。 - 特許庁 - To mainly inexpensively manufacture in a short time a high hardness curved arc face thin plate for supporting a ball bearing or a roller bearing, and furthermore, inexpensively manufacture in a short time a supporting member with high performance for a base isolation device.
主に、ボールベアリングまたはローラベアリング受け用高硬度曲弧面薄板を高精度で安価かつ短時間に製作する、延いては免震装置の高性能の支承部材を短時間に安価に製作することを課題とする。 - 特許庁 - A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a p-type well region 2 and an element isolation region 3 in a p-type silicon substrate 1 in a transistor forming region for the memory, and then a step of forming a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 on an active region.
メモリ用トランジスタ形成領域におけるＰ型シリコン基板１にＰ型ウェル領域２及び素子分離領域３を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜４及びゲート電極５を形成する。 - 特許庁 - Although Bakufu-issued ordinances on isolation policies were implemented consistently, the Matsumae Domain, the Tsushima Domain and the Satsuma Domain, all of which were dealt with as special domains, carried out a variety of illegal trades (also called Nukeni in Japanese), making transactions in excess of the tolerable amount set by the Bakufu.
鎖国政策は、江戸幕府の法令のなかでは徹底された部類ではあったが、特例として認められていた松前藩、対馬藩や薩摩藩では、幕府の許容以上の額を一種の密貿易（抜荷）としておこなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - To secure insulation without enlarging the capacity of an isolation transformer in the case of supplying power to each gate driving unit which corresponds to semiconductor switching elements being connected in plural numbers separately for each arm of power converters.
電力変換器の各アーム毎に複数個直列接続される半導体スイッチング素子対応の各ゲート駆動装置に電力を供給する場合に、絶縁トランスの容量を大きくすることなく絶縁を確保できるようにする。 - 特許庁 - To provide a highly reliable non-volatile memory element and a manufacturing method thereof, in which the generation of a leakage current between cells is prevented by suppressing the generation of a void in a device isolation layer when forming a conductive layer for a floating gate.
フローティングゲート用導電膜の形成時に、素子分離膜内のボイドの生成を抑制することで、セルとセル間の漏れ電流を防止して信頼性の高い不揮発性メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This base isolation device 1 is provided by filling the filling material 6 in this cavity part 5, by arranging the cavity part 5 in the laminated rubber 4 formed by alternately sticking a plurality of hard plate 2 having rigidity and the soft plate 3 having a viscoelastic property.
複数個の剛性を有する硬質板２と粘弾性的性質を有する軟質板３とを交互に貼り合わせてなる積層ゴム４に空洞部５を設け、この空洞部５に充填材料６を充填した免震装置１。 - 特許庁
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