「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • The translucent isolation layer is selectable as a metal layer or an oxide film layer, and can effectively prevent any moisture or oxygen in the ambient air from moving into the organic light-emitting module through the color filter.
    該透光隔離層は、金属層或いは酸化膜層を選択可能で、外界の湿気或いは酸素が該カラーフィルターを通って該有機発光モジュールに侵入することを効果的に防止することができる。 - 特許庁
  • In a semiconductor device 1 for expressing a shallow trench isolation (STI) structure, an Si substrate 2 is etched to form a trench 3 with a depth A, and the trench 3 is filled with a high-density plasma oxide film (HDP 4a).
    シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造を表す半導体装置１で、Ｓｉ基板２をエッチングで深さＡのトレンチ３を形成し、高密度プラズマ酸化膜（ＨＤＰ４ａ）で当該トレンチ３を充填する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device that has a constitution capable of securing high quality and high reliability even when an aspect ratio in an element isolation region of an STI structure becomes high, and to provide its manufacturing method.
    ＳＴＩ構造素子分離領域のアスペクト比が高くなっても品質及び信頼性の高さを確保することが可能な構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device and a production method therefor, with which the generation of a void on an insulating film embedded in a trench for element isolation can be suppressed even when the aspect ratio of that trench becomes high.
    素子分離用トレンチのアスペクト比が高くなっても、そのトレンチ内に埋め込まれる絶縁膜にボイドが発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • On the other hand, since production amount of similar substances which have been a problem in conventional production methods is 1/10 to 1/100, the above production method makes purification and isolation of the objective compound extremely ready.
    一方、従来の生産方法において問題となっていた類似物質の生産量は、その１０分の１から１００分の１以下であり、目的化合物の精製・単離は極めて容易となる。 - 特許庁
  • As described above, since activation annealing is performed by use of the radiant heat, it is possible to reduce a difference in temperatures between an end of an activation region and an element isolation region, similarly to the case of using a diffusion furnace.
    このように、輻射熱を用いて活性化アニールが行われるため、活性領域端と素子分離領域との温度差は、拡散炉を用いた場合と同様に小さくすることができる。 - 特許庁
  • In this way, a side surface portion 12a of a field oxide film 12 constituting an element isolation region 12 is exposed and the recess portion 13a gets surrounded by the side surface portion 12a of the field oxide film.
    これにより、素子分離領域１２を構成するフィールド酸化膜１２の側面部分１２ａが露出し、凹部１３ａの周囲がフィールド酸化膜の側面部分１２ａで囲まれた状態となる。 - 特許庁
  • One of the upper and lower ends of a fire resistant panel arranged in the position surrounding the outer periphery of the base isolation device is attached to the structural body and the other end is assembled to be transferable along the plane of the fire-resistant board.
    前記免震装置の外周を取り囲む配置で設けた耐火パネルの上下の端部の一方を構造体へ取付け、他方の端部は前記耐火ボードの平面に沿って移動可能に組立てる。 - 特許庁
  • The floor receiving beam member 3 is directed to the direction to which the floor beam 1 is extended and arranged eccentrically sideward of the floor beam 1 in a state of opening the upper portion of the floor beam and supported by the floor beam 1 for vibration isolation.
    床受けビーム材３は、床梁１の延びる方向に向けられ、床梁１の上方を開放する態様で床梁１の側方に偏心して配置され、床梁１に防振支持されている。 - 特許庁
  • To provide a vibration isolation stand which changes the outer dimension according to the size of placing equipment at relatively low cost, and easily adjusts the position of a fitting bolt even in an equipment fitted state.
    載置する機器の大きさに合わせて外形寸法を比較的低コストで変更可能であり、機器を設置した状態でも取付ボルトの位置を容易に調整できる防振架台を提供する。 - 特許庁
  • To enable prevention of deterioration of reliability of a gate insulating film by inhibiting formation of a faucet at a near part of an element isolation insulating film in a semiconductor layer to become an active region of a MOS transistor.
    ＭＯＳ型トランジスタの活性領域となる半導体層における素子分離絶縁膜の近傍部分にファセットが形成されないようにして、ゲート絶縁膜の信頼性劣化を防止できるようする。 - 特許庁
  • A drain of the transistor 110 is separated from the transistor 110 by a second element isolation region 140 as an electrostatic protective circuit of this transistor 110, and first and second N-type diffused regions 114 and 150 are formed in the substrate 100.
    このＭＯＳトランジスタ１１０の静電気保護回路として、そのドレインが第２の素子分離領域１４０により分離され、第１，第２のＮ型拡散領域１１４，１５０が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a base isolation device covering the upper surface of a trench made for controlling the movement of the ground by an earthquake and capable of effectively preventing the opening of the trench even in the case the earthquake occurs.
    地震による地面の移動を抑制するために設けられている溝の上面を覆い、地震発生時にも溝が開口するのを効果的に防止することのできる免震装置を提供する。 - 特許庁
  • To grasp a packed condition of a filling material using an ultrasonic wave before the filling material is cured, in execution of a foundation for arranging a base isolation device or the like.
    免震装置等を配置する基礎の施工において、充填材が硬化する前に、超音波を用いて充填材の充填状況を把握することができる充填状況測定方法を提供する - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of lengthening a service life of a peripheral circuit element and preventing a crystal defect caused by heat treatment of a post step or the like from occurring in an element isolation groove part of a peripheral circuit region.
    周辺回路素子の寿命を長くすると共に、後工程の熱処理等により周辺回路領域の素子分離溝部分に結晶欠陥が発生することを防止する。 - 特許庁
  • More on the inner side of the inner surface side sheet 32, the isolation sheet 33b extended elastically so as to be expanded or contracted in the cross direction A and provided with a front opening and a rear opening is provided.
    内面側シート３２のさらに内側には、前後方向Ａへ弾性的に伸長・収縮可能に延びていて前方開口部と後方開口部とを有する隔離用シート３３ｂが設けられる。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a transistor which is formed in an SOI layer of an SOI substrate and has excellent transistor characteristics even when the SOI layer is isolated by an element isolation region.
    ＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層を素子分離領域によって分離しても、ＳＯＩ層に形成され、良好なトランジスタ特性を有するトランジスタを含む半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁
  • The printing head and the guide portion are moved from the reference position in an isolation direction from the platen roller, thereby setting a gap (gap width d) to the printing head or the guide portion.
    そして、この基準位置から前記印字ヘッド及び前記ガイド部を前記プラテンローラから離間方向に移動させ、前記印字ヘッド又は前記ガイド部にギャップ（ギャップ幅ｄ）を設定する構成である。 - 特許庁
  • To provide a technique for simply executing assembly of each vertical member, each lateral member, and each corner member for connecting the vertical member and the lateral member to each other with less manhours in a vibration isolation mount including the members.
    縦方向及び横方向部材とこれら両部材を連結するコーナー部材を備えた防振架台において、簡単に且つ少ない工数でこれらの部材の組み付けを行う技術を提供する。 - 特許庁
  • When the movable glass moves, the portions varying in the optical axis angles from each other of the respective polarizing pieces 12A and 12B of the first glass 10 and the second glass 11 intersect with each other, thereby producing the light attenuation and heat isolation effects.
    可動のガラスが動くとき、第１ガラス１０、第２ガラス１１の各偏光片１２Ａ、１２Ｂは互いに異なる光軸角度の部分が交差して、減光および隔熱効果を生じる。 - 特許庁
  • To provide a damping device capable of generating small damping with respect to normal seismic ground motion and of damping and avoiding resonance of a base isolation target M easily generated by in particular, long-period seismic ground motion.
    通常の地震動に対しては小さな減衰を発生し、特に長周期地震動によって生じ易い免震対象物Ｍの共振を、減衰して回避得る減衰装置を提供する。 - 特許庁
  • A preferred embodiment is the application to the buffering against the vibration of the transmission line in which the other end of the buffering body mounting part connected to an insulator for isolation and the tension loaded part is the transmission line.
    前記緩衝体取付部における他端部が絶縁用碍子に接続され、前記引張力負荷部が送電線であり、送電線の振動に対する緩衝に用いられる態様が好ましい。 - 特許庁
  • The N+ diffusion region 15a is formed in a part of the P-type well 4a located at the bottom of an opening 13 penetrating an element isolation film 3a, from a surface of the P-type well 4a to a predetermined depth.
    Ｎ＋拡散領域１５ａは、素子分離酸化膜３ａを貫通する開口部１３の底に位置するＰ型ウェル４ａの部分に、その表面から所定の深さにわたり形成されている。 - 特許庁
  • The first insulating film is then removed from above the mask film 13 and the first insulating film 14 located in the opening 13a is removed furthermore before filling the trench 1a with an isolation film 2.
    第１の絶縁膜をマスク膜１３上から除去し、さらに開口部１３ａ内に位置する第１の絶縁膜１４を除去することにより、溝１ａ内に素子分離膜２を埋め込む。 - 特許庁
  • To obtain a method for fabricating a semiconductor device including a capacitance element in which the capacitance thin film can be made thin without increasing the number of steps and an isolation region can be prevented from becoming thin.
    容量素子を含む半導体装置の製造方法において、工程を増加を招くことなく容量絶縁膜を薄膜化できるようにし、また、素子分離領域の膜減りを防止できるようにする。 - 特許庁
  • When the PIN-PD is made to function by reverse biasing a cathode region 66 formed in each region and the P-sub layer 80, the isolation region 64 is brought to ground potential together with the P-sub layer 80 and becomes the anode.
    各区画毎に形成したカソード領域６６と、Ｐ-sub層８０とを逆バイアスしてＰＩＮ−ＰＤを機能させる際、分離領域６４はＰ-sub層８０と共に接地電位とされアノードとなる。 - 特許庁
  • To provide an oil damper, which is assembled with an air spring in a vibration isolation device for forging or the like, and which produces low damping force when a piston descends and produces high damping force when the piston returns upward.
    鍛造用防振装置等に空気バネとともに組み込まれ、ピストン下降時の減衰力が小さく、ピストンの上方への戻り時に大きな減衰力を発生するオイルダンパを実現し提供する。 - 特許庁
  • To prevent wiring congestion around an external terminal caused by the insertion of an isolation circuit or the like in the test designing of a semiconductor integrated circuit device having a recovery memory capable of making redundancy recovery.
    冗長救済が可能な救済メモリを搭載した半導体集積回路装置のテスト設計において、アイソレーション回路の挿入等による外部端子周辺での配線混雑を回避する。 - 特許庁
  • To provide a vibrationproof member having an excellent vibrationproof performance as compared with conventional members because the vibratory isolation region becomes large due to a high heat insulating capacity and a low rigidity of the vibrationproof rubber, by forming hollow parts in the vibrationproof rubber.
    防振部材１において、対向する金属板２、２の間に弾性を有する高分子材料からなる構造体である防振ゴム３を配置し、防振ゴム３内に中空部４を設けたもの。 - 特許庁
  • A second cavity region 13b extends from the bottom part of the element isolation insulating film to the same depth as the first cavity region in the cross-section of the semiconductor substrate and surrounds the element region on the plane.
    第２空洞領域１３ｂは、半導体基板の断面において素子分離絶縁膜の底部から第１空洞領域と同じ深さまで延在し、且つ平面において素子領域を囲む。 - 特許庁
  • A groove of ≥1 μm width and ≥1 μm depth is formed on a silicon oxide film and the silicon oxide film is embedded in the groove, thereby realizing isolation, having breakdown voltage of ≥500 V, even on a substrate having crystal defects.
    シリコン酸化膜を１ｕｍ以上の幅で１ｕｍ以上に深い溝を作り、溝の中にシリコン酸化膜を埋め、結晶欠陥のある基板でも５００Ｖ以上に耐圧のあるアイソレイションを実現する。 - 特許庁
  • In order to improve a isolation between the amplifiers and suppress the dependence of an intermodulation(IM) characteristic of each amplifier on the other as much as possible, matching networks 26, 28 are provided and connected to the output of the amplifier.
    増幅器間の分離を改善し、各増幅器の相互変調（ＩＭ）特性の他方に対する依存性を極力抑えるために、整合ネットワーク２６、２８を設け、増幅器の出力に結合する。 - 特許庁
  • To prevent an electric field from concentrating locally on a recess so as to prevent a semiconductor device from deteriorating in withstand voltage, by a method where the recess is restrained from being produced at a boundary between an element isolation insulating film and an element forming region on the surface of a substrate.
    素子分離絶縁膜との境界部分の基板表面に窪みが生じ、電界集中により耐圧が低下するのを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide new polypeptides and nucleic acid molecules encoding polypeptides in relation to identification and isolation of new DNAs and recombinant production of these proteins encoded by the DNAs.
    新規なＤＮＡの同定及び単離、及び該ＤＮＡによりコードされる新規なポリペプチドの組換え生産に関して、新規なポリペプチド及びそれらのポリペプチドをコードする核酸分子を提供する。 - 特許庁
  • In the period of Iemitsu TOKUGAWA, the third Shogun, three major policies were established: the establishment of a feudal system, thoroughness of national isolation, and a ban against Christianity, which forced Christians to choose either martyrdom or renunciation.
    三代将軍徳川家光の時代には、封建制度の確立、鎖国の徹底、キリシタンの禁止が三大政策となり、キリスト教徒は殉教か棄教のいずれかを選択せざるを得なくなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • England became alarmed that Russia's southward expansion could clash with its own interests, abandoned the isolationist policy (Splendid Isolation) it had adhered to for many years, and decided to enter into an alliance with Japan in 1902 (Anglo-Japanese Alliance).
    ロシアの南下が自国の権益と衝突すると考えたイギリスは危機感を募らせ、1902年に長年墨守していた孤立政策（栄光ある孤立）を捨て、日本との同盟に踏み切った（日英同盟）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The relationship between Emperor Kotoku and Naka no Oe no Oji became inharmonious. An incident happened where Naka no Oe no Oji left Naniwanomiya Palace and returned to Asuka, with a large number of the retainers following him and Emperor Kotoku being left in complete isolation.
    孝徳天皇と中大兄皇子は不和となり、白雉4年（653年）に中大兄皇子が難波宮を引き払って飛鳥へ戻り、群臣もこれに従い、孝徳天皇は全く孤立した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Hoshosen regulations permitted foreign trade only to ships carrying a hosho countersigned by the roju, in addition to a traditional shuinjo, which was a transitional measure from shuinsen trade to national isolation.
    奉書船制度は、従来の朱印状に加えて、老中の連署により発行する「奉書」を携行する船にのみ貿易を許可したもので、朱印船貿易から鎖国への過渡的措置として行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The waste liquid disposal device or the hydrogen generator is so constituted that the neutralizing agent is stored in a manner isolated from a container containing the waste liquid, and the neutralization agent and the waste liquid are mixed when the isolation is released.
    この中和剤を、廃液を収納する収納部と隔離して収納し、その隔離を解除することで両者が混合されるように廃液処理装置あるいは水素発生器を構成する。 - 特許庁
  • After a trench type element isolation region 2 surrounding an active region is formed in a semiconductor substrate 1, a gate insulating film 3 and a polycrystalline silicon film 4 are formed sequentially on the substrate 1.
    半導体基板１に活性領域を取り囲む溝型素子分離領域２を形成した後、半導体基板１上にゲート絶縁膜３及び多結晶シリコン膜４を順次形成する。 - 特許庁
  • Dummy wirings 50 are formed in electrical isolation from a clock wiring at the positions that correspond to the respective boundaries of the light-receiving pixels to intercept the light rays that transmit the color filter 24.
    そして、上記受光画素の各々の境界に対応する位置には、前記カラーフィルタ２４を透過した光を遮光するダミー配線５０がクロック配線と電気的に分離されたかたちで形成されている。 - 特許庁
  • In the key isolation type encryption system, the terminal device 10A encrypts information using a public key pk_j-1 corresponding to a decryption key dk_j-1 and a public key pk_j corresponding to a decryption key dk_j.
    本発明に係る鍵隔離型暗号システムでは、端末装置１０Ａが、復号鍵dk_j-1に対応する公開鍵pk_j-1、及び復号鍵dk_jに対応する公開鍵pk_jを用いて情報を暗号化する。 - 特許庁
  • To reduce the number of fabrication steps by performing isolation without forming a buried layer when a DMOS transistor is formed in a second conductivity type semiconductor layer on a first conductivity type semiconductor substrate.
    第１導電型の半導体基板上の第２導電型半導体層にＤＭＯＳトランジスタを形成する場合において、埋込層を形成せずに素子分離を行い、製造工程数を削減する。 - 特許庁
  • To provide an antenna switch circuit for enhancing a harmonic attenuation characteristic in a transmission mode without sacrificing the isolation characteristic between frequency bands and between transmission/reception paths as an antenna switch element.
    アンテナスイッチ素子として周波数帯域間および送受信経路間のアイソレーション特性を犠牲にすることなく、送信モードにおける高調波減衰特性を改善したアンテナスイッチ回路を提供する。 - 特許庁
  • To manufacture a semiconductor device capable of selectively producing a stress and storing in a channel region of a desired MIS transistor without affecting the element isolation region.
    素子分離領域に影響を及ぼすことなく、所望のＭＩＳトランジスタのチャネル領域に対して選択的に応力を生じさせ且つ記憶させることができる半導体装置を製造できるようにする。 - 特許庁
  • The π conjugate molecules have an energy level of a molecular orbital which exists in isolation discretizing towards energy vertical directions and have a steep state density locally towards energy vertical directions.
    π共役系分子は、分子軌道のエネルギー準位がエネルギー高低方向に離散化して孤立に存在しておりかつエネルギーの高低方向に局所的に急峻な状態密度を有する。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a maleimidocarboxylic acid polyol ester derivative in high yield by using maleic anhydride and an aminocarboxylic acid as starting materials via no intermediate isolation step.
    無水マレイン酸とアミノカルボン酸を出発原料として、中間体の単離工程を経由することなく、マレイミドカルボン酸ポリオールエステル誘導体を高収率で製造する方法を提供すること。 - 特許庁
  • A pressure relief valve responds to the hydraulic actuator whose pressure exceeds a given level while releasing pressure, and the isolation valve is opened with no application of electricity to release pressure in the hydraulic actuator.
    圧力リリーフバルブは油圧アクチュエータの圧力があるレベルを超えると圧力を逃がすことにより応答し、遮断バルブが電気の無印加で開口させ、油圧アクチュエータ内の圧力を解放させる。 - 特許庁
  • In the non-volatile semiconductor storage device, a first insulating film 3 is formed on an element isolation region between the floating gate electrodes 2 adjacent to a second direction on a semiconductor substrate plane.
    不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板平面上で第２の方向に隣接する浮遊ゲート電極２間の素子分離領域上には、第１の絶縁膜３が形成されている。 - 特許庁
  • Between the input terminal 1a and the passage terminal 1b and between the joint terminal 1c and the isolation terminal 1d, the first capacitor 3a is connected in parallel to the first inductor 2a.
    さらに、入力端子１ａと通過端子１ｂの間および結合端子１ｃとアイソレーション端子１ｄの間には、第１のインダクタ２ａに対して並列に第１のキャパシタ３ａが接続されている。 - 特許庁
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