「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • As the import of Chinese books and Chinese copybooks printed from the works of old masters of calligraphy was extremely restricted because of national isolation policy from 1633, calligraphic works by these priests in the Obaku school were accepted mostly by Confucian scholars, men of literature, and priests.
    寛永10年（1633年）の鎖国によって中国の書籍・法帖などの輸入がきわめて制限されている中、この黄檗僧たちの書は主として儒学者・文人・僧などに受け入れられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The semiconductor memory is provided with an isolation part for isolating a bit line BL in a 1st area including a memory cell formed of a thick film transistor and a 2nd area including a sense amplifier formed of a thin film transistor.
    ビット線ＢＬを厚膜トランジスタで構成されるメモリセルを有する第１の領域と、薄膜トランジスタで構成されるセンスアンプを有する第２の領域に分離する分離部を設ける。 - 特許庁
  • To solve a problem that the length of a transmission line which maximizes isolation of an OFF side branch and is suitable for keeping an insertion loss in an ON state within an allowable range is not made clear conventionally.
    従来、オフ側ブランチのアイソレーションを最大にするとともに、オン状態における挿入損失を許容範囲内に保つのに適した伝送線路の長さについて明らかにされていない。 - 特許庁
  • To prevent unnecessary charges from flowing into a photoelectric conversion part in a charge accumulation period when driving a CMOS solid-state image pickup device wherein an element isolation means comprises a diffusion layer and an insulating film thereon.
    素子分離手段を拡散層とその上の絶縁膜で構成したＣＭＯＳ固体撮像素子の駆動において、電荷蓄積期間の光電変換部に不要な電荷が流れ込まないようにする。 - 特許庁
  • The base isolation device 4 is interposed between a fixed mount and the precision instrument so as to support the precision instrument such as a pulling-up machine 3 installed on the fixed mount 2 fixed to a floor surface 1 in the base isolating manner.
    床面１上に固定された固定架台２上に設置される引き上げ機３等の精密機器を免震支持するべく、固定架台と精密機器との間に免震装置４を介装する。 - 特許庁
  • Moreover, a rib 18 is formed out of the soft resin in the peripheral part of the bottom part 2 of the encapsulating case, and this rib 18 has the effects of slip prevention and vibration isolation when the encapsulating case 1 is mounted on a table or the like.
    また、外装ケースの底面部２の周縁部には軟質樹脂からなるリブ１８が形成され、このリブ１８は、外装ケース１をテーブル等に載置させた際に、滑り止めや防振効果をもつ。 - 特許庁
  • A plurality of new microorganisms not classified in conventional well-known microorganisms, and having objective characteristics is isolated and identified as a result of earnest examination for isolation and identification of the microorganisms having the objective characteristics.
    目的の特性を有する微生物を単離、同定すべく鋭意検討した結果、従来公知の微生物には分類されない、目的の特性を有する複数の新規微生物を単離、同定した。 - 特許庁
  • After a gate groove 20 is formed on the n+diffusion layer 5 so that the n+diffusion layer 5 on the spot which will be a gate in elements region between the element isolation layers 2 may be separated, a gate insulation film 8 is formed.
    次に、素子分離層２に挟まれた素子領域のゲートとなる位置のｎ^+拡散層５を分断するようにｎ^+拡散層５にゲート溝２０を形成した後、ゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁
  • To improve overall high-speed performance by having only to change some processes, while an element area remains constant as is and operation reliability is not deteriorated, in a semiconductor device having an SOI(silicon- on-insulator) element isolation structure.
    ＳＯＩ型素子分離構造を有する半導体装置について、素子面積はそのままで、動作信頼性を損なうことなく、若干のプロセス変更のみで全体の高速性能を高める。 - 特許庁
  • An n-type impurity region 28 is formed on a portion located at least at lower part of the gate insulator film 13a, of a portion that comes into contact with the element isolation region 32 in the active region 1a.
    活性領域１ａにおける素子分離領域３２に接する部分のうち少なくともゲート絶縁膜１３ａの下側に位置する部分に、ｎ型不純物領域２８が形成されている。 - 特許庁
  • In implementation of the base isolation structure, an RC continuous wall 22 which encloses a building 14 on soft ground 12A and reaches hard ground 16, and overhanging members 20 bearing a peripheral portion of a bottom surface of the building 14, are provided.
    軟弱地盤１２Ａ上の建物１４を取り囲み、硬質地盤１６に到達するＲＣ連続壁２２と、建物１４の底面の外周部を支持する跳ね出し部材２０を設ける。 - 特許庁
  • To provide a fiber laser processing device capable of completely detecting an open failure and short-circuit failure in a laser diode for excitation with a small-scale and low-cost device configuration without need for an isolation amplifier.
    ファイバレーザ加工装置において、アイソレーション・アンプを要することなく小規模で低コストの装置構成によって励起用レーザダイオードのオープン故障およびショート故障を確実に検出すること。 - 特許庁
  • Avoid conducting activities in isolation from the broader APEC community by seeking, as appropriate, input on initiatives from relevant APEC committees, working groups, subfora, and APEC senior officials.
    関連のＡＰＥＣ委員会，作業部会，サブ・フォーラム及び高級実務者からイニシアティブについてのアドバイスを適宜探求することにより，広範なＡＰＥＣコミュニティから孤立して活動すること控える。 - 経済産業省
  • By the above processes, the wiring layer 18 is patterned so that certain isolation is performed while installing the predetermined pattern in the predetermined region 10a which runs along the dicing line DL of the bottom of the opening 10w.
    こうして、所定のパターンを有しつつ、かつ開口部１０ｗの底部のダイシングラインＤＬに沿った所定の領域１０ａで確実に分離するように、配線層１８がパターニングされる。 - 特許庁
  • The solid-state imaging device includes a plurality of photodiodes PD1, PD2 that are formed without going through element isolation regions and have different impurity concentration of pn junction regions (24, 25) (27, 28) at photodiode regions in unit pixels.
    単位画素のフォトダイオード領域に、素子分離領域を介さずに形成され且つｐｎ接合領域部（２４、２５）、（２７，２８）の不純物濃度が異なる複数のフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２を有する。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory device which cancels an insulation fault in the nonvolatile semiconductor memory device which carried out isolation formation with an STI technology, and to provide a method of manufacturing it.
    ＳＴＩ技術によって素子分離形成した不揮発性半導体記憶装置において絶縁不良を解消した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an improved pneumatically controlled liquid-filled active vibration isolator that can advantageously secure liquid flow amount in the first orifice path tuned to the low frequency side while vibration isolation effect is well secured in the second orifice path tuned to the high frequency side so that the vibration isolation effect based on the flow of liquid resonance or the like can be exhibited in the first orifice path more effectively.
    高周波側にチューニングされた第二のオリフィス通路による防振効果を十分に確保しつつ、低周波側にチューニングされた第一のオリフィス通路における流体流動量を有利に確保し、該第一のオリフィス通路を流動せしめられる流体の共振作用等の流動作用に基づく防振効果をより有効に発揮せしめ得る改良された構造の空気圧制御型の流体封入式能動型防振装置を提供すること。 - 特許庁
  • In a semiconductor storage device, having an element isolation film formed in a silicon substrate 101 and a plurality of semiconductor memory cells formed between the element isolation films, there are provided conductive films 116a, 116b which are formed on the plane of the silicon substrate 101, and connect a source diffusion region 112 of at least two semiconductor memory cells.
    シリコン基板１０１中に形成された素子分離膜と、素子分離膜の間に形成された複数の半導体メモリセルとを有する半導体記憶装置であって、シリコン基板１０１の面上に形成されると共に少なくとも二つの半導体メモリセルのソース拡散領域１１２を接続する導電性膜１１６ａ，１１６ｂを備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • This seismic isolation structure has dampers made by elastic members arranged radially between an inner frame and an outer frame which are placed at several places of mat foundation having a flat bottom surface; also a mat foundation with a strut inserted to an inner frame of the dampers are formed on a flat top surface below the mat foundation and gravel having similar grading is laid in one layer in this seismic isolation structure.
    下面が平面であるベタ基礎の所要箇所に、内枠と外枠の間に弾性部材を放射状に配設して成るダンパーを内蔵させ、また、前記ベタ基礎の下方には、その上面を平面とし、且つ、前記ダンパーの内枠に嵌入する支軸を立設した基盤を形成し、該基盤と前記ベタ基礎の間には、略等粒の玉砂利を一層にして敷きつめて成る構成の免震構造とする。 - 特許庁
  • To provide a base isolation damper excellently displaying energy absorbing performanc without largely shaking a damper body in the vertical direction when an earthquake occurs regarding the base-isolation damper used for a seismic isolator for a building, particularly one having the damper body formed in an approximately U-shaped cross section and reducing the energy of the earthquake transmitted to the building when the earthquake is generated by jointly using the damper with the seismic isolator.
    建築物の免震装置に用いる免震ダンパー、特に断面略Ｕ字形に形成したダンパ本体を備え、免震アイソレータと併用して地震発生時に建築物に伝わる地震エネルギーを減少させる免震ダンパーに係り、地震発生時にダンパ本体が上下方向に大きく振れることなく、良好にエネルギー吸収性能を発揮することのできる免震ダンパを提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing semiconductor device which can reduce an isolation width on the occasion of electrically isolating in distance between wells and between well and source or drain and thereby can reduce the size not only in the lateral direction but also in the depth direction.
    本発明は、ウェルとウェルとの間またはウェルとソースまたはドレインとの間を距離的、電気的に分離するに際し、その分離幅を縮小することができ、その結果、横方向のみならず深さ方向の寸法の縮小を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A semiconductor device includes a substrate (semiconductor substrate 1) in which an element isolation region 3 for isolating an element formation region 2 from other regions is formed, a gate groove 4 formed in the element formation region 2, and a pair of diffusion regions 5 formed in the element formation region 2 and disposed separately from each other across the gate groove 4.
    素子形成領域２を他の領域と分離する素子分離領域３が形成された基板（半導体基板１）と、素子形成領域２に形成されたゲート溝４と、素子形成領域２にゲート溝４を挟んで離間して形成された一対の拡散領域５を有する。 - 特許庁
  • The interface between the first semiconductor region and the second semiconductor region is located at a first depth in a part corresponding to the photoelectric conversion element, and is located at a second depth smaller than the first depth in a part arranged in lower parts of the element isolation region and the floating/diffusing part.
    そして、第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との界面は、光電変換素子に対応する部分においては第１の深さにあり、素子分離領域および浮遊拡散部の下部に配された部分においては第１の深さよりも浅い第２の深さにある。 - 特許庁
  • An n-type MOS transistor has an active region STN surrounded by the element isolation region 3 where a width Xc in the longitudinal direction of the gate in the entire region Wc including the contact forming region with a contact plug 10b formed is formed of the same width in the breadthwise direction of the gate.
    一方、Ｎ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＮが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ｂが形成されるコンタクト形成領域を含めた全領域Ｗｃでゲート長方向の幅Ｘｃが同じ幅で形成されている。 - 特許庁
  • In this piping structure for circulating heat medium or water forcedly in a circulation passage having a going pipe 3 led from a circulating pump 9 and a return pipe 4 returning into the circulating pump 9, the going pipe 3 has a piping structure having connection parts made of a vibration isolation material in at least two sections.
    循環ポンプ９から導かれる往き管３及びその循環ポンプ９へ戻ってくる戻り管４をもつ循環路に熱媒体又は水を強制循環させる配管構造において、往き管３は少なくとも二箇所に防振材からなる接続部を有している配管構造とする。 - 特許庁
  • An air cleaning part 301A and a fumigation part 301 B are set in the outside of a tent 201 which forms the isolation chamber 203 to isolate/house a patient IP in a non-air-tight state inside a sheet 202b in the lowermost layer by retaining the shape of two sheets 202 (202a and 202b).
    二枚のシート２０２（２０２ａ，２０２ｂ）を形状保持して最下層のシート２０２ｂの内部に非気密状態で患者ＩＰを隔離収容する隔離室２０３を形成するテント２０１の外部に、空気清浄部３０１Ａと燻蒸部３０１Ｂとを設置する。 - 特許庁
  • To provide a drainpipe system for a base isolation dwelling house which can sufficiently follow large deformation generated in an earthquake, in which a piping installation area is not required to be so wide and a length of piping execution is not required to be so long, which can prevent clogging of filth or the like, in which execution is simple, and which is inexpensive.
    地震時に発生する大きな変形にも十分に追従でき、配管設置面積もさほど広くなくともよく、配管施工長さもさほど長くなくともよく、汚物のつまり等を防止でき、施工が簡易で、かつ安価な免震住宅用排水管システムを提供すること。 - 特許庁
  • To provide a waterpfoof structure preventing rainwater from infiltrating up to the undefloor inside even if the rainwater infiltrates from the under side of a throating cover suspended from a building body and reducing the possibility of damaging even in a big earthquake in the waterproof structure for supporting the building body in a floating state via a base isolation element.
    建物本体を免震要素を介して浮かした状態で支承するものにおいて、建物本体より垂らした水切カバーの下側から雨水が浸入しても床下内までは浸入することがなく、また、大地震の際にも破損する恐れの少ない防水構造を提供する。 - 特許庁
  • To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.
    半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • An intermediate base isolation layer 1 which has a relatively low rigidity than other layers and in which deformation in an earthquake is concentrated to absorb most of the earthquake energy is provided in an arbitrary layer of an extension section S or an existing section B, when a plurality of extension structures are erected on a plurality of existing buildings.
    複層の既存建物の上部に複層の増築を行うに際し、増築部分Ｓもしくは既存部分Ｂの任意の層に、他の層よりも相対的に低剛性とされて地震時の変形が集中し地震エネルギーの大半を吸収する中間免震層１を設ける。 - 特許庁
  • To provide an active vibration isolation device, capable of reducing vibration transmitting ratio in inherent frequencies of both objects in which vibration is isolated and an active mass damper for a long period of time, when the inherent frequencies of the active mass damper is made higher than the inherent frequency of the object in which vibration is isolated.
    アクティブ・マスダンパの固有振動数を除振対象物の固有振動数よりも高くした場合に、除振対象物及びアクティブ・マスダンパの両方の固有振動数において振動伝達率を長期に亘って低減させることが可能なアクティブ除振装置を提供する。 - 特許庁
  • To sufficiently allow control of transmission of vibrations even in decompression in a simple structure and at low cost, in a vibration isolation joint 1 provided on a piping path 4 between a decompression container such as a vacuum chamber 2 and equipment to be provided as a vibration source such as a vacuum pump 3.
    真空チャンバ２のような減圧容器と、真空ポンプ３のように加振源となる機器との間の配管経路４に介設される防振継手１において、簡単な構造で低コストでありながら減圧時でも振動の伝達を十分に抑制可能なものとする。 - 特許庁
  • This structure makes possible electron emission whatever the intervals of the mask pattern in lithography making use of the electron emission by switching of the ferroelectric, so that a uniform electron emission is realized even with a mask pattern formed in isolation in a torus shape.
    この構成により、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーにおいて、マスクパターン３３の間隔によらずエレクトロンエミッションを行なわせることができ、ドーナツ状に孤立して形成されたマスクパターンにおいても、均一なエレクトロンエミッションを実現することが可能となる。 - 特許庁
  • The device is provided with the semiconductor substrate 10, plate-like hollows 11 formed in the semiconductor substrate 10 and element isolation regions 12 formed on a surface of the semiconductor substrate 10 so that they are brought into contact with end parts in the in-plane directions of the hollows 11.
    半導体基板１０と、前記半導体基板１０内に形成された平板状の空洞１１と、前記半導体基板１０の表面内に、前記空洞１１の面内方向における端部に接するようにして形成された素子分離領域１２とを具備することを特徴としている。 - 特許庁
  • To provide a binder resin for toners which has good fixability because of excellent thermal responsiveness in fixing, so that a high-glossiness image can be formed, and which excels also in anti-hot-offset properties, storage stability and mechanical strength and suppresses isolation of incorporating components in kneading, and a method for manufacturing the same.
    定着時の熱応答性に優れるために定着性が良好で光沢度の高い画像を形成でき、非ホットオフセット性、保存性、機械的強度にも優れ、混練時における含有成分の分離も抑制されたトナー用結着樹脂とその製造方法を提供。 - 特許庁
  • The isolation and characterization of genes involved in proteolytic processing in species of the genus Pichia and the availability of such genes enable the generation of the strains of Pichia which are deficient in proteolytic activity and useful as hosts for the expression of proteolytically sensitive recombinant products.
    ピキア属の種のタンパク分解処理に関係する遺伝子の単離と特性化、およびこのような遺伝子の利用可能性が、タンパク分解活性の欠損した、タンパク分解感受性組換え産物の発現に宿主として有用であるピキア菌株の発生を可能にしている。 - 特許庁
  • This equipment is equipped with a vessel 10 which houses or contains liquid to be treated, a vessel 10 which is provided in the vessel 10, a liquid motor pump 1 which is treated by vibration isolation, and a pipe silencer 4 which is installed in a delivery side piping system of the liquid motor pump 1.
    取扱液を収容又は内包する容器１０と、容器１０内に設けられ容器１０と振動絶縁処置された液中モータポンプ１と、液中モータポンプ１の吐出側配管系に設けられるパイプサイレンサ４とを備えた。 - 特許庁
  • A curing list of devices for isolation work for closing valves 17A,17B or the like and opening a valve 17c in order to decompose and inspect a device, a pump 20 for instance, in a maintenance inspection construction of a plant, is prepared by site maintenance support server calculation 300.
    プラントの保守点検工事の中で、機器、例えば、ポンプ２０を分解点検するために弁１７Ａ，１７Ｂ等を閉とし、弁１７Ｃを開とする隔離作業のための機器の養生リストを現場保守支援サーバ計算３００により作成する。 - 特許庁
  • In the HVIC, a dielectric layer 2 and an SOI active layer 3 are laminated on the surface of a silicon substrate 1, and transistors 4 are formed on the surface of the SOI active layer 3, and further, a trench isolation region 5 is formed in the periphery of the transistors 4.
    このＨＶＩＣは、シリコン基板１の表面に誘電体層２とＳＯＩ活性層３を積層し、ＳＯＩ活性層３の表面にトランジスタ４を形成し、トランジスタ４の周りにトレンチ分離領域５を形成したものである。 - 特許庁
  • To provide a method for polishing a substrate of a semiconductor capable of substantially improving abnormal polishing of a recessed part (dishing) generated in polishing for a shallow trench isolation, unevenness of residual silicon oxide membrane in a substrate surface, and generation of flow by polishing.
    シャロー・トレンチ分離における研磨において発生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸化珪素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生を大幅に改善できる半導体用基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁
  • Then even when a shoulder cut 20 and a punch-through 21 take place in the resist 6 at dry etching for forming a wire pattern and the resist 6 result in being destroyed, the sacrificial protective film 4 protects the inter-layer isolation film 3 to prevent the surface roughness from being caused.
    これにより、配線パターン形成のためのドライエッチング時にレジスト６に肩落ち２０や突き抜け２１が生じて破壊された場合でも、犠牲保護膜４によって層間絶縁膜３は保護されており、表面荒れは発生しない。 - 特許庁
  • By arranging in the longitudinal direction an isolation wall 3 separating a coolant flow path at the boundary between the core fuel region and the blanket region, a proper coolant flow distribution according to the heat rate in the two regions can be attained.
    炉心燃料領域とブランケット燃料領域との間の境界に冷却材流路を分割する隔壁３を長手方向に配設することにより、２つの領域の発熱量に応じた適切な冷却材流量配分とすることができる。 - 特許庁
  • To provide a ground isolation designing method efficiently reducing the size of an improver body corresponding to an allowable sliding amount including a predetermined sliding safety factor by allowing the improver body to slide in case of an earthquake in designing measures against liquefaction.
    液状化対策の設計において、地震時の改良体の滑動を許容し、所定の滑動安全率が見込まれる許容滑動量に対応する改良体の寸法を効率的に縮小する地盤免震化設計法を提供する。 - 特許庁
  • To simplify the wearing and removal of a protecting gown in the case of entering or going out of an unclean area such as an isolation ward and forcing and ensuring the wearing of the protecting gown by making the person uncomfortable to unable the work without wearing the gown in properly worn state.
    隔離病室等の不潔区域に出入りする際の予防衣の着脱操作を簡単にすると共に、正常に着衣していないと着心地が悪く、作業不能の状態にさせて、予防衣の着用を強制的かつ確実にさせる。 - 特許庁
  • To provide a base isolation device which makes vibrations from a seismic force during a big earthquake reduced to a range from one-third to one-tenth in comparison with a conventional building, prevents furniture and fixtures from falling and being damaged, maintains functions of the building, and enables residence in a safe and comfortable environment.
    大地震時の地震力の震動が従来建物に比べて１／３〜１／１０に低減され、家具や什器の転倒や損傷を防ぎ、建物の機能保持と、安全で快適な環境で住まえる免震装置を提供する。 - 特許庁
  • In this way, element isolation in the nonvolatile memory element 20 whose variable resistance films 23 are used as memory materials can be reliably performed by isolating the variable resistance films 23 and the connection electrodes 27 so that they may not contact with one another directly.
    このように可変抵抗膜２３と接続電極２７とが直接接しない構成に分離することにより、可変抵抗膜２３を記憶部の材料に用いた不揮発性記憶素子２０は素子分離を確実に行うことができる。 - 特許庁
  • In solid state image pickup device of rear surface irradiation type, an element isolation layer between a light receiving part side and a circuit side is realized by forming an oxide film in a semiconductor substrate through oxygen ion implantation by way of a predetermined mask pattern and a thermal treatment thereafter.
    裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device including an NMOS transistor for ESD protection in the shallow trench isolation structure having sufficient ESD protecting function through suppression of an off-leak current to a small value without increase in the manufacturing steps and occupation area.
    工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • A source region 8a and a drain region 8b of relatively high impurity concentration are formed in the semiconductor substrate 3 on an element isolation region 2 side of the silicide block film 9 and in the semiconductor substrate 3 on the LDD region 7a side, respectively.
    そして、そのシリサイドブロック膜９の素子分離領域２側の半導体基板３内、およびＬＤＤ領域７ａ側の半導体基板３内に、比較的高不純物濃度のソース領域８ａおよびドレイン領域８ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁
  • In a process before isolation of the gate electrodes 10n, 10p by patterning gate electrode material, thermal treatment of high temperature of at least 700°C is made not to perform, so that the interdiffusion of dopant in a process before gate electrode formation is prevented.
    また、ゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１０ｎ、１０ｐを分離する以前の工程では、７００℃以上の高温の熱処理を行わないようにすることで、ゲート電極形成前の工程における不純物の相互拡散を防止する。 - 特許庁
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