「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • To provide an epoch-making electronic component capable of preventing the deterioration of electric insulation of electronic component elements owing to the fact that burrs generated in an electrode foil damage an isolation paper, and a method of manufacturing the electronic component.
    電極箔に発生するバリが隔離紙を破損させて電子部品の素子の電気絶縁性能を悪化させるのを防止することができる画期的な電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • This damper material for the base isolation device has a sea-island structure having a sea phase formed of hard plastic A, and an island phase formed of plastic B dispersed in the sea phase and having lower hardness than the hard plastic A.
    硬質プラスチックスＡよりなる海相と、この海相内に分散する、該硬質プラスチックスＡよりも低硬度のプラスチックスＢよりなる島相とを有する海島構造を持つ免震装置用ダンパー材料。 - 特許庁
  • The fixing clamp 5 is constituted of a pair of slide pieces 9 and 10 which are biased resiliently in the isolation direction and slidably arranged while holding the longitudinal ends of the arm 3, respectively, by means of engagement claws 12.
    固定具５はそれぞれ係合爪１２によってアーム部３の長手方向端縁を掴んでスライド可能に構成されている隔離方向に弾性付勢された一対の摺動片９、１０で構成されている。 - 特許庁
  • In the interlayer insulating film 32, an opening 33 for embedded wiring is etched for forming, while the opening 33 for embedded wiring is laid from the upper part of the diffusion layer 24 to the upper part of the element isolation insulating film 13, and a tungsten film 43 is embedded.
    層間絶縁膜３２に、埋め込み配線用の開口３３を拡散層２４上から素子分離絶縁膜１３上にまたがるようにエッチングにより形成し、タングステン膜４３の埋め込みを行う。 - 特許庁
  • The distances α1, α2 from the centers of first and second ridges 110A, 110B in the width direction to the side surfaces of the isolation trench 103 on the first and second ridge 110A, 110B sides are set to exceed 5 μm.
    第１，第２リッジ部１１０Ａ，１１０Ｂの幅方向の中心から、分離溝１０３の第１，第２リッジ部１１０Ａ，１１０Ｂ側の側面までの距離α１，α２は、５μｍを越えるように設定されている。 - 特許庁
  • CPP is added to a food in a state to inhibit the enzymatic activity against CPP by various methods such as the physical isolation of CPP from enzyme, the depression of pH of the CPP-containing material or the drying of the food.
    物理的にＣＰＰと酵素とを隔離する、ＣＰＰ含有物のｐＨを下げる、あるいは食品を乾燥するなどの各種の方法でＣＰＰに対する酵素活性を阻害した状態でＣＰＰを添加する。 - 特許庁
  • Abnormal operation where a current flows through a switching element at a time before ending the off interval thereof is eliminated in case of middle load by setting the coupling coefficient k of a power isolation transformer PIT at about k=0.7 or less.
    絶縁コンバータトランスＰＩＴの結合係数ｋ＝０．７程度以下として、中間負荷時において、スイッチング素子のオフ期間が終了する以前のタイミングでスイッチング素子に電流が流れる異常動作を解消する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device of a structure, wherein even though a step is generated in element isolation regions, a short circuit between contact plugs can be prevented from being generated and the full reliability of the device can be ensured without making wiring expose, and a manufacturing method of the device.
    素子分離領域に段差が発生しても、コンタクトプラグの短絡を防止でき、かつ、配線が露出することがなく十分な信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The region isolating section 13 gives the result of region discrimination, that is, a region isolation signal to a black generation/under color elimination section 7, a spatial filter section 8 and a medium tone generating section 9, in which optimum post-processing is applied to the image data by each pixel.
    領域判別結果は領域分離信号として黒生成／下色除去部７、空間フィルタ部８および中間調生成部９に引渡され、画素毎に最適な後処理が施される。 - 特許庁
  • To provide a carrier in use for ion exchange chromatography widely used for the isolation of proteins, vaccines, nucleic acids, polysaccharides, and the like, and for affinity chromatography which utilizes the absorption specific to phosphates.
    タンパク質、ワクチン、核酸、多糖類などの分離に広く用いられているイオン交換クロマトグラフィー及び、リン酸エステルに特異的な吸着を利用するアフィニティークロマトグラフィーの担体及びその製造方法の提供。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can eliminate fault by surface unevenness of an embedded polycrystalline silicon layer when element isolation is performed by embedding polycrystalline silicon in the trench of a substrate.
    基板の溝に多結晶シリコンを埋め込むことにより素子分離を行う際に、埋め込まれた多結晶シリコン層の表面凹凸による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The (111) plane of the substrate including any point on the interface between the second epitaxial crystal layer and the substrate is surrounded by the element isolation insulating film in a region deeper than the second epitaxial crystal layer.
    前記第２のエピタキシャル結晶層と前記基板との界面上の任意の点を含む前記基板の（１１１）面は、前記第２のエピタキシャル結晶層よりも深い領域で前記素子分離絶縁膜に囲まれる。 - 特許庁
  • An element isolation insulating film 2 partitioning an active area is formed on a semiconductor substrate 1, and a gate electrode 5 is formed on the semiconductor substrate 1 in an active area by means of a gate insulating film 4.
    半導体基板１には、活性領域を区画する素子分離絶縁膜２が形成されており、活性領域における半導体基板１上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が形成されている。 - 特許庁
  • Thus, multiple steps of RF coaxial switches are connected to match the required isolation and ON/OFF is controlled to contain the IF pulse so that the required specification can be satisfied in a simple configuration.
    このように、必要なアイソレーションに合致するようにＲＦ同軸スイッチを多段接続し、ＩＦパルスを含むようにオン／オフ制御することで、要求される仕様を簡単な構成で満足させることができる。 - 特許庁
  • To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.
    本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
  • The element isolation region is formed by selective addition of an impurity element of at least one or more kinds of oxygen, nitrogen, and carbon to electrically isolate elements from each other in one continuous semiconductor layer.
    素子分離領域は、連続した半導体層において、素子間を電気的に分離するために、選択的に酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上の不純物元素を添加して形成する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.
    ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁
  • First conductivity type impurity ions are then implanted using the first mask again and a first well is formed to overlay a part of the first well isolation region 104 in the semiconductor substrate 100.
    第１マスクが再び用いられ、第１導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００内の第１ウェル隔離領域１０４の一部上にオーバーレイされるように第１ウェルが形成される。 - 特許庁
  • By supplying a steam turbine 13 with steam in the reactor pressure vessel 2 through a pipe 21, the steam turbine is driven and a water injection pump 11 of the reactor isolation cooling system is driven with the steam turbine 13.
    原子炉圧力容器２内の蒸気を配管２１を通じて蒸気タービン１３に供給してその蒸気タービン１３を駆動し、その蒸気タービン１３で原子炉隔離時冷却系の注水ポンプ１１を駆動する。 - 特許庁
  • This semiconductor device has a semiconductor substrate 1 in which a trench 2 for the element isolation is formed and an insulation film 4 which relieves stress applied to the semiconductor substrate 1.
    本発明による半導体装置は、素子分離のためのトレンチ２が設けられた半導体基板１と、トレンチ２に対向して形成され、半導体基板１にかかっている応力を緩和する絶縁膜４とを備えている。 - 特許庁
  • A high voltage isolation dual capacitor communication system 10 includes communication drive electrodes 21, 23, communication sense electrodes 41, 43 and corresponding first and second capacitors 22, 42 formed in two separate devices.
    高電圧絶縁デュアルキャパシタ通信システム１０は、２つの独立した装置の中に形成される通信駆動電極２１、２３および通信センス電極４１、４３と、対応する第１および第２のキャパシタ２２、４２とを含む。 - 特許庁
  • Under these circumstances, Japan worked vigorously toward the realization of cooperation in the Asia-Pacific region, seeing it as opportunities for dialogue with the United States, while seeking to avoid isolation from the world economy and promoting cooperation with Asia.
    こうした情勢を受け、我が国は、日米対話の機会とし、世界経済からの孤立を防ぎアジアとの協力を進めるため、アジア太平洋地域での協力の実現に向け積極的な働きかけを行った。 - 経済産業省
  • Prohibition of free traffic during the Edo period added to the differentiation of dialects that were already numerous because of geological isolation and some dialects sounded like nanbangekizetsu (foreign language) between people in different domains.
    「江戸時代の自由交通厳禁のために、地形上すでにあまたの方言があったところへさらに拍車がかかり、他藩人相互間では南蛮鴃舌(なんばんげきぜつ)としか聞こえない方言が多くなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • As a result, a member displaced with the inner ring 3 can be made light in weight, the natural frequency can be enlarged, and vibration isolation of the inner ring 3 can be performed by the elastic member 20.
    この結果、この内輪３と共に変位する部材を軽量にでき、固有振動数を大きくできると共に、上記弾性部材２０により上記内輪３の振動絶縁を図れ、上記課題を解決できる。 - 特許庁
  • To provide a base isolation device that can be installed directly on a continuous footing generally used with a detached building, as it prevents concentrated load from working on the footing by transmitting the weight of the building to the footing in a manner that disperses the weight.
    建築物の重量を分散して基礎に伝達することにより、基礎に集中荷重が作用せず、戸建建築物で一般に用いられている布基礎にそのまま設置できる面振装置を得る。 - 特許庁
  • This shallow trench isolation structure is structured such that a groove structure on a surface thereof is buried by a silicon dioxide film, and the silicon dioxide film is localized on the front surface side of a substrate, and is provided with vacancies 3 in bottom parts of grooves.
    表面の溝構造が二酸化ケイ素膜により埋設されており、前記二酸化ケイ素膜が前記基板の表面側に局在し、前記溝の底部に空孔を具備してなるシャロー・トレンチ・アイソレーション構造。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a perfluoroalkylsulfonyl halide, which does not require a large amount of a solvent, has no by-product of a halogen cyanide, is highly safe, completes reaction in a short time, has easy isolation operation and a high yield.
    大量の溶媒が不要で、ハロゲンシアニドの副生がなく、安全性が高く、短時間で反応が終了し、単離操作が容易で、収率の高いペルフルオロアルキルスルホニルハライドの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The semiconductor device 100 comprises a low-potential reference circuit region 1 and a high-potential reference circuit region 2, and has a structure in which the high-potential reference circuit region 2 is surrounded by a high-withstand-voltage isolation region 3.
    半導体装置１００は，低電位基準回路領域１と高電位基準回路領域２とを備え，高電位基準回路領域２が高耐圧分離領域３に取り囲まれる構造を構成している。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can reduce an influence on a breakdown voltage property by a crystal defect resulting from a high concentration oxygen introduced into a semiconductor substrate in connection with the isolation diffusion of an elevated temperature long time.
    高温長時間の分離拡散に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁
  • Thus electrically satisfactory element isolation can be made while mismatch in lattice constants is suppressed, thereby improving the characteristics of a semiconductor device.
    窒化物III−Ｖ族化合物半導体は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮまたはＢＮ、もしくはこれらの混合結晶よりなり、これらの絶縁性窒化物膜を少なくとも用いて、窒化物III−Ｖ族化合物半導体装置を構成する。 - 特許庁
  • To prevent attachment of softened or molten burning material to a wall face when an internal wall portion of an outside air isolation charging device is heated to a high temperature by the heat generated in an incinerator for burning the burning material, to increase a volume for storing the burning material, and to implement continuous charging in the outside air isolation charging device for the incinerator.
    被燃焼物としての発泡スチロール等の軽量焼却物を投入する外気遮断投入装置において、当該被燃焼物を焼却する焼却炉の発生熱量により、外気遮断投入装置内壁部が高温に達し、当該被燃焼物が軟化あるいは溶解し壁面に付着することを防ぎ、しかも、被燃焼物を収容する容積を大きくし、かつ連続投入を可能とすることを課題とする。 - 特許庁
  • Thus, when the surface of the intermediate layer (IL) is made into a roughened surface, in the case of growing the recording layer (RL), grain isolation in the recording layer is promoted, but since the intermediate layer (IL) has little columnar structures, paths of water or corrosive decrease more than before.
    そのように中間層(IL)の表面を粗面化すると記録層(RL)が成長する際に記録層中の粒子の分離が促進されるが、本発明の中間層(IL)は柱状構造が少ないので水や腐食剤の通り道が従来よりも少なくなる。 - 特許庁
  • The wall member is detachably fixed to the ceiling side and the floor side opposite to the mounting side in the drawing state, an auxiliary member for consecutively constituting a wall between the floor and the ceiling is provided, and a partition wall excellent in sound isolation effect and heatinsulating is provided.
    該壁部材を取出状態で上記取付側と逆側の天井側又は床側に係脱可能に固定し、床と天井間の壁を連続的に構成するための補助部材を設け、遮音性，断熱性の優れた間仕切壁を提供する。 - 特許庁
  • To provide a small-sized, low-cost high frequency circuit component having a good isolation characteristic between transmission and reception, without adding any switch circuit to the reception circuit side, even in a frequency band in which a transmission frequency band partially overlaps with a reception frequency band.
    送信周波数帯域と受信周波数帯域が部分的に重畳する周波数帯域においても、受信回路側へスイッチ回路を追加することなく、良好な送受信間のアイソレーション特性を有する小型で安価な高周波回路部品を提供する。 - 特許庁
  • Meanwhile, a shake component remaining in shake correction by the correction optical system 12 is extracted from the output signal of the integrator 52, and further an appropriate gain coefficient is applied thereto by a gain 57, whereby it becomes a control signal for an image scanning range in electronic vibration isolation.
    一方、積分器５２の出力信号からは、補正光学系１２による振れ補正における残留する振れ成分が抽出され、さらに、ゲイン５７により適切なゲイン係数がかけられて、それが、電子防振における画像走査範囲の制御信号となる。 - 特許庁
  • To increase stability and safety of an upper structure in a rising state by controlling a rising quantity of the upper structure when the existing medium and low-rise building is structuralized in base isolation and when a floor board is newly constructed under the upper structure separated from a foundation.
    中低層の既存建物を免震構造化する場合で、基礎から分離する上部構造の下に床板を新たに構築する場合の、上部構造の上昇量を抑制し、上昇した状態での上部構造の安定性と安全性を高める。 - 特許庁
  • To easily ensure a focus margin, when forming a floating gate electrode pattern and a control gate electrode pattern in a floating gate type semiconductor memory device, in which an element isolation insulating film of a memory cell transistor is formed every other memory cell only under an erasing gate electrode.
    メモリセルトランジスタの素子分離絶縁膜をメモリセル一つおきに、消去ゲート電極の下にのみ形成したフローティングゲート型半導体記憶装置において、フローティングゲート電極やコントロールゲート電極パターン形成時のフォーカスマージンの確保を容易にする。 - 特許庁
  • To form a magnetic recording region and an isolation region with a small amount of ion implantation in a manufacturing method of a magnetic recording medium in which a magnetic pattern is formed by ion implantation, the magnetic recording medium and a magnetic recording and reproducing device.
    本発明はイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成することを課題とする。 - 特許庁
  • In this flow noise remover, a primary winding L11 of an isolation transformer T1 for unbalanced-to-balanced conversion is connected between central and outer electrodes 2a and 2b of an input terminal 2, and windings La and Lb of a noise removing transformer Ta is provided in a balanced line on a secondary winding L12.
    入力端子２の中心電極２ａと外側電極２ｂとの間に、不平衡−平衡変換用の絶縁トランスＴ１の一次巻線Ｌ11を接続し、二次巻線Ｌ12側の平衡線路に、ノイズ除去トランスＴａの巻線Ｌａ，Ｌｂを設ける。 - 特許庁
  • For a semiconductor device in a control system circuit region around a cell, an element isolation region 16 to isolate the element region 10 of a semiconductor substrate 11 is made, and a first conductive layer 13 is made through a first insulating film 12 in the element region 10.
    セル周辺制御系回路領域における半導体装置は、半導体基板１１の素子領域１０を分離する素子分離領域１６が形成され、素子領域１０に第１の絶縁膜１２を介して第１の導電層１３が形成されている。 - 特許庁
  • The separation of the mites is carried out by using the selection vessel 1 having the space of an isolation portion 5 in the center and also having a sponge 6 used as a wall containing water in the outer peripheral portion and utilizing the water-avoiding nature of the mites to separate the mites from the undesired materials.
    前記のダニの選別は中央部に隔離部５の空間を有し、外周部に水分を含んだ壁部としてスポンジ６を有する選別容器１を使用して、ダニの水分を避ける性質を利用して、不要物からダニを隔離して選別する。 - 特許庁
  • To provide a vibration isolator for a flexible structure, simple in structure, easily adjustable with no restrictions on strokes, easily applicable to a vibration isolation object, lightweight and excelling in damping performance over the whole frequency band while easily constituting a skyhook control system.
    構造が簡単であり、調整が容易で、ストロークの制約が無く、除振対象に容易に適用でき、軽量であり、スカイフック制御系を容易に構成して全周波数帯域に渡り減衰性能が優れた、柔軟構造物の除振装置を提供する。 - 特許庁
  • When the rubber 28 of the seismic isolation device 18 is about to elastically return, the unidirectional deviation is adjusted by the movement of a bolt 20 in a unidirectional elongated hole 22, and the orthogonal directional deviation is adjusted by the movement of the bolt 20 in an orthogonal directional elongated hole 40.
    免震装置１８のゴム２８が弾性復帰しようとすると、ボルト２０が一方向長孔２２内を移動することで一方向のずれが修正され、さらに、ボルト２０が直交方向長孔４０内を移動することで直交方向のずれが修正される。 - 特許庁
  • To provide a high frequency power amplification module exhibiting high isolation between amplifiers and sufficient stability of amplifier in a switching amplifier employing no switch where a high output amplifier and a low output amplifier are connected constantly in high frequency.
    大出力増幅器と小出力増幅器が高周波的に常に接続されている、スイッチを用いない増幅器切替え型増幅器において、増幅器間のアイソレーションが高く増幅器の安定性が良い高周波電力増幅モジュールを提供する。 - 特許庁
  • An additional isolation valve 24 is incorporated in the vacuum treating device 10 to increase the service life of a mechanical pump 28 in the device, to decrease the maintenance cost and the interrupting time, to obstruct the back flow of particles and to reduce the danger to workers attending to the maintenance.
    付加的な隔離弁（２４）が真空処理装置（１０）内に組み込まれて、装置の機械的なポンプ（２８）の寿命を増大させ、メンテナンスコスト及び中断時間を減少させ、粒子の逆流を阻止し、メンテナンスを行う者への危険性を減少させる。 - 特許庁
  • The base- isolation action is worked to the slabs in the case of an earthquake because the intermediate columns are plain-borne, and a relative rotation is permitted among both the column 2 and the piles because the column 2 and the piles in the lower sections of the column 2 are pin-joined, and bending stress among these column 2 and piles can be reduced.
    地震時には、中柱がすべり支承されているためスラブに免震作用が働き、また、大断面柱とその下方の杭とはピン接合されているため、両者間で相対回転を許容され、それらの間の曲げ応力を低減できる。 - 特許庁
  • To provide a method for the preparation of compounds having at least one -CF_2-O- bridge in the molecule which starts from readily available starting materials, does not require isolation of intermediates, and gives the products in good yields.
    分子内に少なくとも１つの−ＣＦ２−Ｏ−ブリッジを有する化合物の調製方法の提供であって、容易に得られる開始材料から開始し、中間体の単離が必要でなく、良好な収率で最終生成物を与える、前記方法を提供すること。 - 特許庁
  • The damper is vertically installed in almost the central part on the plane of the base isolation story, the upper end part and lower end part of the damper are joined with the upper structure and the lower structure so as to be capable of following the displacement in the whole direction of 2πrad, with a hinge such as a universal joint.
    ダンパーは、免震層の平面略中央部に直立状態で設置され、その上端部及び下端部は、ユニバーサルジョイント等のヒンジにより上部構造物及び下部構造物と２πrad全方向の変位に追従可能に連結されている。 - 特許庁
  • To provide an earphone which has superior audio reproduction characteristics and sound isolation characteristics when put on by applying no large variation in atmospheric pressure to the eardrum of a listener when an earpiece sealing up the space in the external acoustic meatus to a high extent is inserted into and extracted from the external acoustic meatus of the listener.
    外耳道内空間の密閉度が高いイヤーピースを聴取者の外耳道に挿脱する際に、聴取者の鼓膜に大きな気圧変化を加えないようにし、装着時の音声再生特性および遮音特性に優れたイヤーホンを提供する。 - 特許庁
  • To provide a high frequency integrated circuit in which a circuit is simplified, semiconductor chip area is reduced and isolation characteristics are raised, with respect to the high frequency integrated circuit in which a high frequency amplifier for transmission and a high frequency switching circuit are integrated.
    送信用高周波増幅器と高周波スイッチ回路を集積化した高周波集積回路において回路簡素化、半導体チップ面積の低減及びアイソレーション特性を向上させた高周波集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁
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