「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • When the maintenance inspection of the reducing nitrogen compound injection equipment 34 is performed, an isolation valve 30 is closed, and the hydrazine aqueous solution remaining in the injection piping 27 is collected in the injection chemical tank 24 from collection piping 38 by cleaning water supplied to the injection piping 27.
    還元性窒素化合物注入設備３４の保守点検時には、隔離弁３０が閉じられ、注入配管２７内に残留するヒドラジン水溶液が注入配管２７に供給される洗浄水によって回収配管３８より注入薬品タンク２４内に回収される。 - 特許庁
  • To provide a chip layered semiconductor device for preventing etching grade from being deteriorated in silicon substrate etching for isolation groove formation, and for preventing the increase in chip area, and for securing the sufficient large area of a through-electrode formation region.
    分離溝形成のためのシリコン基板エッチングにおいてエッチングレートを低下させることなく、且つ、チップ面積の増加を防ぐとともに貫通電極形成領域の十分な広さを確保することが可能なチップ積層型の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • An insulating layer is made of the first insulating layer and the second insulating layer which is stacked on the first insulating layer and is lower in etching speed than the first insulating layer, and even in a light etching process for a surface oxide film, the topside of an isolation wall projects from the top end of the storage node layer.
    絶縁層を、第１絶縁層と、第１絶縁層上に積層された第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層から形成し、表面酸化膜のライトエッチング工程後においても、分離壁の上面がストレージノード層の上端より突出した構造とする。 - 特許庁
  • In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.
    Ｓｉ基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、ｐ型ウエル１０２に固定電位を与えるｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５を素子分離層１０１の中に設け、ｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５とｐ型ウエルとの間に容量１０９を設ける。 - 特許庁
  • The dopant concentration of a scheduled region for forming the side surface of a trench for element isolation in an SOI layer 3 is made 1×10^18 cm^-3 or higher and the dopant concentration of a scheduled region for forming the side surface of a gate trench in the trench gate type MOS transistor is made under 1×10^18 cm^-3.
    ＳＯＩ層３における素子分離用トレンチの側面の形成予定領域の不純物濃度を１×１０^18ｃｍ^-3以上にするとともにトレンチゲート型ＭＯＳトランジスタでのゲートトレンチの側面の形成予定領域の不純物濃度を１×１０^18ｃｍ^^-3未満にする。 - 特許庁
  • Two kinds of large and small dummy patterns 11 serving as a dummy active region is provided in an isolation region 10 wherein a large dummy pattern 11b is located at a position remote from a main pattern 9 and a small dummy pattern 11a is arranged regularly in a gap on the periphery of the main pattern 9.
    分離領域１０内に、ダミーのアクティブ領域となる大小２種のダミーパターン１１を設け、本番パターン９から遠方位置に大きなダミーパターン１１ｂを配置し、本番パターン９周辺にできた隙間に小さなダミーパターン１１ａを規則的に配列して配置する。 - 特許庁
  • The solid state image sensor has a pixel region where pixels 38, each consisting of a photoelectric conversion part PD and a plurality of pixel transistors, are arranged two-dimensionally, and an element isolation region 41 which isolates between pixels formed in the pixel region and constituted of a semiconductor layer 43 embedded in a trench 42 by epitaxial growth.
    光電変換部ＰＤと複数の画素トランジスタからなる画素３８が２次元配列された画素領域と、画素領域内に形成され、トレンチ４２内にエピタキシャル成長による半導体層４３が埋め込まれて構成された画素間を分離する素子分離領域４１を有する。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing a semiconductor substrate, the SiGe layer is formed on the substrate with a surface composed of a silicon (a), a semiconductor layer is further formed thereon (b) and heat treatment is performed by applying ion injection into the SiGe layer in a wafer region to be an element isolation forming region (c).
    （ａ）表面がシリコンからなる基板上にＳｉＧｅ層を形成し、（ｂ）さらにその上に半導体層を形成し、（ｃ）素子分離形成領域となる基板上の領域におけるＳｉＧｅ層内にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法。 - 特許庁
  • In the case where a radioactive substance leakage accident occurs in a nuclear power plant, when a measurement value by a radioactive concentration sensor 16 becomes a set value, a control device 19 closes outside air isolation valves 3 and exhaust valves 8A, 8B to stop supply of outside air to a central control room 22.
    原子力プラントで放射性物質漏洩事故が発生したとき、制御装置１９は、放射線能濃度出器１６の計測値が設定値になると、外気隔離弁３及び排気弁８Ａ，８Ｂを閉じて中央制御室２２への外気の供給を停止する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device exhibiting excellent isolation characteristic by shielding leakage signals in high frequency region propagating on the surface or the upper region of a semiconductor substrate and suppressing mutual interference in high frequency region between high frequency circuit blocks.
    半導体基板の表面や上部領域を伝播してくる高周波域における漏洩信号を遮蔽し、形成された高周波回路ブロック間における高周波域における相互干渉を抑制することにより、素子分離特性の優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • When carrying out the asymmetrical cyanosilylation reaction of an aldehyde with a trimethylsilylcyanide by using a conventional catalyst composition for the asymmetrical synthesis, the asymmetrical cyanosilylation product can be obtained in a short time in high isolation yield and asymmetrical yield by adding a proton source to the reaction system.
    従来の不斉合成用触媒組成物を用いて、アルデヒドとトリメチルシリルシアニドにより不斉シアノシリル化反応を行う際、反応系内にプロトン源を添加することにより、短時間で、高い単離収率、不斉収率で不斉シアノシリル化物を得ることができる。 - 特許庁
  • (2) An officer having disciplinary authority may, if necessary for the inquiry set forth in the preceding paragraph, isolate the detainee suspected of committing a disciplinary offense as provided for by an Ordinance of the Ministry of Defense. In this case, the period of isolation of said detainee shall not exceed fourteen days.
    ２　前項の調査のため必要があるときは、防衛省令で定めるところにより、反則行為をした疑いのある被収容者を他の被収容者から隔離することができる。この場合において、当該被収容者を隔離する期間は、十四日を超えてはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The high side isolation switches (QHS1, QHS2) are each operable to enable an associated piezoelectric injector (12a, 12b) in the injector bank circuit (33) when closed, and disable the associated piezoelectric injector (12a, 12b) in the injector bank circuit (33) when opened.
    高側分離スイッチ（ＱＨＳ１、ＱＨＳ２）は、閉じているときは噴射器バンク回路（３３）中の関連圧電式噴射器（１２ａ、１２ｂ）をイネーブルし、開いているときは噴射器バンク回路（３３）中の関連圧電式噴射器（１２ａ、１２ｂ）をディスエーブルするように各々動作可能である。 - 特許庁
  • In this manufacturing method, a pad oxide film 9 and a SiN film 10 are stacked on a silicon substrate 1, an element isolation groove (STI) 6 is formed, an embedded oxide film 8 is stacked in STI 6 and on the surface of the silicon substrate 1, and a corrosion-resistant layer (polysilicon layer) 12 covering the whole face is formed.
    シリコン基板１上にパッド酸化膜９、ＳｉＮ膜１０を積層し、素子分離用溝（ＳＴＩ）６を形成した後、ＳＴＩ６内およびシリコン基板１表面に埋め込み酸化膜８を堆積させ、さらに全面を被覆する耐腐食層（ポリシリコン層）１２を形成する。 - 特許庁
  • To provide a manufacture of a semiconductor device capable of preventing increase in parasitic capacitance and reduction of an operation speed even when an upper layer gate electrode and a lower layer gate electrode have an extension part from an SOI layer to an element isolation region in a back gate MOSFET of an SOI-type semiconductor layer.
    ＳＯＩ型半導体層のバックゲートＭＯＳＦＥＴにおいて上層及び下層ゲート電極がそれぞれＳＯＩ層から素子分離領域まで延伸部を有しても寄生容量の増加と動作速度の低下を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Then, purge gas is introduced into the chamber 1 from a purge gas supply source 31 via a gas introduce part 26 to replace the atmosphere in the chamber 1 with the purge gas, and after returning the pressure in the chamber 1 to the atmospheric pressure, the sealing member 21 is lowered to release the isolation of the precise discharge nozzle 5.
    次に、ガス導入部２６を介してパージガス供給源３１からパージガスをチャンバ１内に導入し、チャンバ１内雰囲気をパージガスで置換するとともに、チャンバ１内の圧力を大気圧に戻した後、封止部材２１を下降させて精密吐出ノズル５の隔離を解除する。 - 特許庁
  • To provide a method for reducing an oxidized type glutathion, producing a reduced type glutathion used for a food, medicine, cosmetic, etc., simply and industrially advantageously, without requiring a special equipment, progressing a reaction in a good yield even in an aqueous solution and easy for isolation/purification of an objective substance.
    食品、医薬品、化粧品等に使用される還元型グルタチオンを簡便で工業的に有利に製造できる、特殊な設備を必要とすることなく、水溶液中でも収率よく反応が進行し、目的物の単離・精製が容易な、酸化型グルタチオンの還元方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a compact and safe operative base isolation member of rolling bearing type in which stable guiding for a steel ball is achieved and additionally a rolling surface of the steel ball is made comparatively small, and in which damping and restoring operations of the steel ball are provided by cooperation of its peripheral laminated rubbers and the like.
    鋼球の転がり面を比較的に小さくしながら該鋼球の安定した誘導を行わせ、且つ周辺の積層ゴム等との協働によって減衰，復元動作を行わせる、動作に安全性がありコンパクトな転がり支承系免震部材を提供する。 - 特許庁
  • To provide an inner drum exposure system in which irregularity of recording is suppressed; isolation spacing is improved in accuracy; an exposure rate is prevented from falling by reducing weight when preparing an isolating element on an optical deflector, to suppress falling of rotation speed; and it is made possible to manufacture an inexpensive exposure scanning system.
    記録ムラを抑制し、分離間隔の精度向上を図り、光偏向器に分離素子を設けたときの重量を軽減して回転速度の低下を抑制して露光速度の低下を防止し、露光走査系を廉価に製造可能としたインナードラム露光装置を提供する。 - 特許庁
  • Arrangement should be such that heater(s) 3 in another region Q range out to that region in each area 2a-2e, where the heater density owing to the isolation has become coarse, for example the region P if the area 2b applies, and thereby the calorific power per unit area within the plane of hot plate 2 is made uniform.
    そして，各エリア２ａ〜２ｅ内の当該離隔により生じたヒータ３の密度が疎になった領域，例えばエリア２ｂでは領域Ｐに他の領域Ｑのヒータ３をはみ出させて配置し，熱板２面内の単位面積あたりの発熱量を均一にする。 - 特許庁
  • A first accommodation space 2 which accommodates the dissolving agent 20 and a second accommodation space 4 which accommodates the solid powder 26 are formed in the main body of the container by integrally disposing a puncture needle section film for isolation 16b in the main body 14 and 16 of the container comprised of a thermoplastic resin.
    熱可塑性樹脂からなる容器本体１４，１６内に隔離用刺針部薄膜１６ｂを一体的に設けることにより、容器本体内に、溶解剤２０を収容した第１収容空間２と、固形粉末剤２６を収容した第２収容空間４とを形成する。 - 特許庁
  • To easily manufacture a laminated rubber device for base isolation in a state where an outer peripheral part of a lead plug closely fits on an inner peripheral part of a lead plug insertion hole, the outer peripheral part of the lead plug is adhered on an inner peripheral part of a steel plate and the outer peripheral part of the lead plug slighter bites in a rubber layer.
    鉛プラグの外周部が鉛プラグ挿入孔の内周部にぴったりと合って、鉛プラグの外周部が鋼板の内周部に密着すると共に、鉛プラグの外周部がゴム層の中にやや食い込んだ状態の免震用積層ゴム装置を簡単に製造すること。 - 特許庁
  • To provide a distribution panel, a control panel and a housing, capable of maintaining a temperature around an apparatus, at such a lower temperature as not to have adverse effects upon the apparatus stored in an apparatus storage, by mounting the apparatus storage having thermal isolation in the housing.
    筐体内に熱遮蔽性を有する機器収納手段を設けることにより、機器収納手段の内側に収納した機器に悪影響を与えない程度の温度以下に当該機器の周りの温度を保持することが可能な配電盤、制御盤および筐体を得る。 - 特許庁
  • The wirings act as channel shield lines to lower the capacitances between adjacent diffused layers sandwiching the element isolation region and between channel regions, thereby raising the channel potential of the memory cell connected to a not selected bit line (in self boosting and local self-boost write system) in a write operation.
    上記配線は、素子分離領域を挟んで隣り合う拡散層、及びチャネル領域間の容量を低減するチャネルシールド線として働き、書き込み動作時（セルフブースト及びローカルセルフブースト書き込み方式）の非選択ビット線に接続されているメモリセルのチャネル電位を大きくする。 - 特許庁
  • The semiconductor device has a structure wherein a silicon oxide film 3 is embedded within a first groove 2 as an element isolation region in a p-type silicon substrate 1, and an n-type polycrystalline silicon resistor 6 is embedded within a second groove 5 further formed in that silicon oxide film 3.
    本発明の半導体装置は、ｐ型シリコン基板１に、素子分離領域となる第１の溝２の内部にシリコン酸化膜３が埋め込まれ、さらにその内部に形成された第２の溝５の内部にｎ型多結晶シリコン抵抗体６が埋め込まれた構造となっている。 - 特許庁
  • A transformer box 15 in which an isolation transformer 3 is received is fixed at its upper end section to a frame member 19a with a installation plate 23 and a bolt member 24, and an inter mediate section and a lower end section that are on the lower side than the upper end section are suspended in an empty space 19.
    絶縁トランス３が収納されているトランス箱１５は、取付板２３及びボルト部材２４によりその上端部がフレーム部材１９ａに取り付けられ、上端部より下側の中間部及び下端部が空きスペース１９ｄにおいて吊り下げられた状態となっている。 - 特許庁
  • To reduce the cost and shorten the term of works by dispensing with press-in of a steel pipe pile in the conventional construction method to temporarily bear the weight of a building for executing under-foundation base isolation work for the existing building even under the ground condition where there is boulder stone.
    従来工法における鋼管杭の圧入がなくなることにより、転石等がある地盤条件でも、既存建物の基礎下免震化工事のための施工時建物重量の仮受けが可能となり、また、コスト低減や工期短縮に大きな効果が期待できる。 - 特許庁
  • The liquid crystal panel storing apparatus has a plurality of isolation sheets 3 interposed between respective liquid crystal panels 1 and a pressure applying means collectively applying pressure to all liquid crystal panels 1 stored in the liquid crystal panel storing apparatus 2 in the thickness direction of the liquid crystal panels 1.
    本発明の液晶パネル収納装置は、各液晶パネル１の間に挟みこまれる複数のアイソレーションシート３と、液晶パネル収納装置２内に収納された全ての液晶パネル１に対して一括して液晶パネル１の厚さ方向の圧力を印加する圧力印加手段とを有する。 - 特許庁
  • This vibration isolation support leg 10 is composed of a support leg main body 11 formed by a rubberlike elastic material and a coil spring 12 which is arranged at its outer periphery and whose both end parts 12a, 12b are locked in collarlike projecting parts 112, 113 formed in both end parts of the support leg main body 11.
    防振支持脚１０が、ゴム状弾性材料で成形された支持脚本体１１と、その外周に配置されると共に両端部１２ａ，１２ｂが支持脚本体１１の両端部に形成された鍔状突起部１１２，１１３に係止されたコイルスプリング１２とからなる。 - 特許庁
  • Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.
    このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁
  • In a free-flow electrophoresis device impressing a voltage vertically to a flow, while making a sample and buffer solution to flow from an upper stream to a lower stream, and implementing electrophoresis, the cross section and the length of a plurality of preparative isolation channels 5(1)-5(n+m) installed in the lower stream side are constituted equal to each other.
    試料および緩衝液を上流から下流へ流しながら、流れと垂直に電圧を印加し電気泳動を行うフリーフロー電気泳動装置において、下流部に設置される複数の分取流路５(1) 〜５(n＋m)の断面および、長さが等しい構成とする。 - 特許庁
  • An MOS transistor is formed din an element region 57 on a silicon substrate 30, an element isolation region 58 for electrically isolating the element region 57 is formed in an STI region 36, and the entirety is coated by an interlayer insulating film 37.
    シリコン基板３０上の素子領域５７にはＭＯＳトランジスタが形成され、この素子領域５７を電気的に分離する素子分離領域５８はＳＴＩ領域３６で形成されており、全体を層間絶縁膜３７が覆っている。 - 特許庁
  • The surface of the silicon substrate 11 inside the element formation region 10A is low from a boundary to the isolation region 10B toward a center of the element formation region 10A viewed in an extension direction of the gate wiring 15, and then is high sequentially.
    素子形成領域１０Ａ内のシリコン基板１１の表面は、ゲート配線１５の延長方向に見て、素子分離領域１０Ｂとの境界から素子形成領域１０Ａの中央に向かって一旦低くなり、次いで、順次に高くなる。 - 特許庁
  • To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.
    電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁
  • To solve the problem in a conventional portable pump mounted with a pump body and an engine for driving it on a truck or the like that the operability to the pump body is deteriorated when the whole body is covered with a cover for sound isolation, or the cover is complicated to increase the cost.
    ポンプ本体とこれを駆動するエンジンを台車などに搭載した可搬型ポンプにおいて、防音のためにその全体をカバーで覆うと、ポンプ本体に対する操作性が悪化したり、カバーが複雑になってコスト高になってしまう。 - 特許庁
  • To provide a vibration isolation/vibration-proofing structure system of a building above a track capable of improving a vibration-proofing effect against train vibration by softening rigidity in the vertical direction of a vibration isolating layer (laminated rubber) together with the improvement of an earthquake resistant function.
    耐震性能を向上させるとともに、免振層（積層ゴム）の鉛直方向の剛性を柔らかくすることにより列車振動に対する防振効果を高めることができる線路上空建築物の免震防振構造システムを提供する。 - 特許庁
  • To support an upper structure load by only a simple fitting work of a steel frame and obviate the conventional necessity for reinforcing the lower floor beam and further, solve decrease of effective area of a room, in a retrofitting base isolation work or the like of a building.
    建物のレトロフィット免震工事等において、鉄骨フレームの簡単な取付作業だけで上部建物荷重を支えることができ、また従来の下階梁の補強を不要とし、さらに部屋の有効面積の減少も解消する。 - 特許庁
  • The microscope specimen chamber comprises a case 11, a cavity chamber 12 arranged in the case 11, an isolation plate 14 to divide the inside of the case 11, a vapor chamber 16 formed at the outside of the cavity chamber 12, and a cushion chamber 18 formed at the outside of the vapor chamber16.
    ケース１１と、ケース１１の内部に配置される腔室１２と、ケース１１内部を分割する隔離板１４と、腔室１２の外部に形成される蒸気室１６と、蒸気室１６の外部に形成される緩衝室１８とを備える。 - 特許庁
  • In a directional coupler 1 having a main line and a subline disposed via an interval, the subline 4 has a bonding part 4K which electromagnetically couples to the main line, and an isolation terminal 4b connected with one end side of the bonding part 4K.
    間隔を介して配置される主線路と副線路を有した方向性結合器１において、副線路４は、主線路と電磁結合する結合部４Ｋと、結合部４Ｋの一端側に連接されるアイソレーション端子部４ｂとを有する。 - 特許庁
  • To provide an economically and structurally stabilized high/super high-rised wall building with high aspect ratio by making the wall building as seismic base isolation and, at the same time, having a structure capable of allowing uplift performance with rocking vibrations in the case of earthquake or the like.
    壁式建物を免震化するとともに地震時等のロッキング振動に伴う浮き上がりを許容する構造とすることにより、経済的で構造的にも安定した、アスペクト比が大きい高層・超高層の壁式建物を提供する。 - 特許庁
  • To configure a simply structured antenna device such that a plurality of antenna elements has high flexibility in the design of an arrangement position, a shape, a size, and the like and an isolation element is not necessarily required among antenna elements, and a communication terminal using the same.
    複数のアンテナ素子の配置位置、形状、サイズ等の設計自由度が高く、且つアンテナ素子間に必ずしもアイソレーション素子を必要としない簡易な構成のアンテナ装置、およびこのアンテナ装置を用いた通信端末装置を構成する。 - 特許庁
  • Furthermore, a power factor improving circuit having switching diodes D1, D2, an inductor L10, a switching element Q2 and a clamp capacitor C3 for regenerating the switching output current obtained in the primary winding N1 of the power isolation transformer PIT as power is provided.
    また、絶縁コンバータトランスＰＩＴの一次巻線Ｎ1に得られるスイッチング出力電流を電力として回生するためのスイッチングダイオードＤ1、スイッチングダイオードD2、インダクタL10、スイッチング素子Q2及びクランプ用コンデンサC3を有する力率改善回路を備える。 - 特許庁
  • When a main column 1 is reinforced by a base isolation body 9, a reinforcing body which is unitized by connecting metallic plates 56 arranged at suitable intervals together by a base isolating elastic body 57, in a gap between a metallic frame plate 55a and a metallic frame plate 66b.
    主柱１を免震体９で補強するにあたって、金属フレーム板５５ａと金属フレーム板６６ｂとの間に、適宜の間隔で配置の金属板５６を免振弾性体５７で一体に形成してなる補強体を取付ける。 - 特許庁
  • According to this, compared with a case having no base isolation layer 21, the valid mass of the external building 20 is increased, the frequency that becomes a peak of frequency transmission function is reduced, and the transmission rate at a fixed point P in fixed-point theory is also reduced.
    これにより、免震層２１を設けていない場合に比べて、外部建物２０の有効質量が増加し、周波数伝達関数のピークとなる周波数が低くなり、定点理論における定点Ｐにおける伝達率も低下する。 - 特許庁
  • A delivery port 25 of extinguishant L communicates with a shaft hole 24 of the block body, a ram 26 to whose one surface the puncture needle protrudes and whose other end part protrudes outside the block body in such a way as interlocking with the operator is given an isolation tendency with respect to the seal plate, and is slidably fitted.
    該ブロック体の軸孔24に、消火剤Lの送出口25が連通し、一面に該穿針が突出し他端部は該作動子と連動可能に該ブロック体外へ突出したラム26が、該封板に対する離反傾向を与えられて、摺嵌される。 - 特許庁
  • To provide a ground base-isolation method (a construction method hardly transferring a ground motion to a building foundation), which enables construction to be inexpensively performed in a short-term process by enabling the easy construction requiring only the superposition of a ground base-isolated structure on an improved ground stratum.
    地盤免震工法は、改良地盤層上に地盤免震構造を積層するのみの簡単な施工とし、短期間での工程で低価格に施工できる地盤免震工法（地盤の動きを建物の基礎に伝えにくくする工法）を提供する。 - 特許庁
  • To reduce the width of a trench-type element isolation region in a peripheral circuit forming region, and to suppress increase of the area of this region, even if the number of elements of the peripheral circuit and the like id increased, while maintaining the sensitivity of a solid-state image pick-up device.
    固体撮像装置の感度を維持しながら、周辺回路形成領域におけるトレンチ型の素子分離領域幅を縮小し、周辺回路の素子数などが増加してもこの領域の面積が増大するのを抑制する。 - 特許庁
  • The member contains a rigidity changing part 2 which is formed of a magnetic elastomer and a super-magnetostrictive part 3 which forms a magnetic field by receiving a load and changes the strength of a magnetic field in the same direction as the size of load received from the vibration isolation target changes.
    磁性エラストマからなる剛性変化部２と、荷重を受けることにより磁界を形成すると共に防振対象物から受ける荷重の大きさの変化する方向と同じ方向に磁界の強さを変化させる超磁歪部３とを備える。 - 特許庁
  • To provide an isolation valve in which damage of a seat ring due to an edge of a flow passage or the like of a valve box upon attaching the seat ring to the valve box is prevented by facilitating tolerance control of inside dimensions of the flow passage of the valve box and outside dimensions of the seat ring.
    弁箱の流路の内面寸法とシートリングの外形寸法の公差管理を容易にしてシートリングを弁箱に取り付ける際にシートリングが弁箱の流路等の縁で損傷することを防止する隔離弁を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for forming a device isolation film in a semiconductor device capable of improving trench filling characteristics by preventing insulating films formed on side walls where trenches are opposed to each other from mutually contacting to suppress a generation of seam.
    トレンチの向かい合う側壁に形成される絶縁膜が互いに接することを防止してシーム発生を抑制することにより、トレンチ埋め込み特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁
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