「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • A ring-shaped space at the side of the vibration isolation device 10 is divided by a second diaphragm 54, the space portion near the inner peripheral side is formed in a second auxiliary liquid chamber 52 filled with liquid, and a second air chamber 56 is formed at a space portion near the outer peripheral side.
    防振装置１０側部のリング状の空間が第２ダイヤフラム５４により区画され、内周側寄りの空間部分が液体を封入した第２副液室５２とされ、外周側寄りの空間部分に第２空気室５６が有る。 - 特許庁
  • Iemitsu's national isolation policy has been highly valued for maintaining Japanese independence and sovereignty by preventing interference in Japanese domestic affairs and colonization by European countries by missionaries acting covertly.
    鎖国政策に関しては宣教師を工作員とした欧州各国の内政干渉と植民地化を予防し、日本の独立主権を保持することが本来の目的であるという、政策面から国の将来を考えて行ったとする肯定的な評価もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The ion implantation preventing film on the peripheral circuit region is removed, while leaving the ion implantation preventing film behind on the cell array area and a field oxidized film is formed in the element isolation region of the peripheral circuit region which is exposed from the ion implantation preventing film.
    セルアレイ領域にイオン打ち込み防止膜を残留させたまま周辺回路領域上のイオン打ち込み防止膜を除去し、イオン打ち込み防止膜から露出している周辺回路領域の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する。 - 特許庁
  • To provide a mesa isolation monolithic light emitting diode in which leakage of light from a mesa etching step part is prevented by forming a shallow mesa etching trench not to isolate an emission layer and each individual electrode can be led out also from a reverse mesa part.
    メサエッチング溝を浅く形成して発光層を分離しないようにして、メサエッチング段部からの光漏れを防止すると共に、逆メサ部からも個別電極を導出することができるメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイを提供すること。 - 特許庁
  • To provide an antenna device capable of miniaturizing and lightening a communication apparatus while maintaining isolation characteristics among antennas in the communication apparatus regarding the antenna device used for the communication apparatus mainly requiring a plurality of the antennas.
    本発明は主として複数のアンテナを要する通信機器に用いられるアンテナ装置に関するものであり、通信機器におけるアンテナ間のアイソレーション特性を維持しつつ通信機器の小型軽量化が可能となるアンテナ装置を提供するものである。 - 特許庁
  • In the low-ripple rectifying circuit, two both group rectifying circuits by power transformers of identical individual specifications are arranged, power is supplied to one circuit via an isolation transformer, and parallel connection is made, after respective both group rectification.
    個別の同じ規格の電源トランスによる両派整流回路を２回路設け、そのうちの１回路に絶縁トランスを介して電力を供給し、それぞれ両派整流後に並列接続をしたことを特徴とする低リップル整流回路。 - 特許庁
  • To maximally expand a usable range on horizontal displacement by increasing buckling displacement to a base isolation laminated structure having a laminated part 5 for alternately laminating a plurality of rubber-like elastic layers 6 and rigid layers 7 in the vertical direction.
    複数のゴム状弾性層６と剛性層７とが上下方向に交互に積層された積層部５を備えた免震積層構造体に対して、座屈変位を大きくして、水平変位に関して使用可能範囲を出来る限り拡大する。 - 特許庁
  • Gate electrodes 6 and 7 formed of a polysilicon film is separated from each other through the intermediary of a side wall spacer 12S which fills up a gap 10 formed above an element isolation film 5S located at an interface between an NMIS region and a PMIS region, and is disposed in face to face with each other.
    ポリシリコン膜から成るゲート電極６，７は、NMIS領域とPMIS領域との境界に於ける素子分離絶縁膜５Ｓの上方に形成された空隙１０を埋め込むサイドウォールスペーサ部分１２Ｓを介して分離され、互いに対向し合っている。 - 特許庁
  • The rotational inertia addition device includes an arm 7, a connector 9, a rotation device 11, etc., and converts the relative movement between a support structure and a base isolation object movably supported to the support structure in a horizontal direction into the rotational motion of a rotational mass body 29.
    回転慣性付加装置は、アーム７、コネクタ９，回転装置１１等からなり、支持構造物と、支持構造物に水平方向に移動可能に支持される免震対象物との相対移動を回転質量体２９の回転運動に変換する。 - 特許庁
  • To solve the following problem: variance in element isolation width will heavily and adversely affect write disturb resistance as microfabrication is achieved when a semiconductor memory device is manufactured by stacking a storage element, such as a phase change memory and an ReRAM, and a semiconductor device.
    相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際、微細化に伴い素子分離幅のバラツキが書込みディスターブ耐性に大きな悪影響を与えるようになる。 - 特許庁
  • The elastomer composition for the plug in the base isolation structure comprises an elastomer component and one or more kinds of fillers, wherein its flow viscosity at 80°C under a load of 100 kgf is 1×10^5 to 1×10^8.
    エラストマー成分と１種以上の充填剤とを含む免震構造体のプラグ用エラストマー組成物であって、温度80℃、荷重100 kgfでの流動粘度が1×10^5〜1×10^8 Pであることを特徴とする免震構造体のプラグ用エラストマー組成物である。 - 特許庁
  • To provide a dwelling structure at a lower cost than before, which is excellent in earthquake resistance and base isolation, prevents easy generation of dew condensation and termites, eliminates the stagnation of rainwater causing rust and rotting, suppressing spread of a fire, and facilitates maintenance further.
    従来よりも低コストで耐震性及び免震性に優れ、結露やシロアリが発生しにくく、サビや腐りの原因となる雨水の停滞を無くし、火災の延焼を抑えることができ、更にメンテナンスも行いやすい住居構造を提供する。 - 特許庁
  • The Oki islands are located in the Sea of Japan approximately 60km from the coast of Shimane Prefecture. Owing to their distinctive isolation, the islands suffer the dual problem of accelerating underpopulation and increased population aging. The total population has now declined to 2,400, and only ten babies a year are born on the islands.
    島根県の沖合約60kmの日本海に浮かぶ隠岐諸島の中ノ島にある海士（あま）町。離島という特殊事情から過疎・少子高齢化が進行、今では人口は2400人に減少し、子供の出生数は毎年わずか10人前後である。 - 経済産業省
  • The vibration isolation rubber is prepared that vulcanized rubber, or powder rubber or rubber chip formed of a waste material of a rubber product for industry is molded into a porous elastic rubber molded product, used as material rubber, having porosity being high in an equivalent damping coefficient.
    本発明の防振ゴムは、加硫ゴム乃至は古タイヤ、工業用ゴム製品の廃材から造られた粉末ゴム乃至ひじき状ゴムチップを材料ゴムとして等価減衰係数が大きい空隙率を有する多孔質の弾性ゴム成形体に成形した。 - 特許庁
  • Article 34-3 (1) Isolation prescribed by Article 14-1(1) that is conducted by the quarantine station chief pursuant to the provision in Paragraph 3 of the preceding article shall be done by admitting a person to a designated medical institution for the specified infectious disease; provided, however, that such isolation may be conducted by admitting such a person to a hospital other than a designated medical institution for specified infectious diseases that a quarantine station chief considers appropriate for unavoidable reasons including emergencies.
    第三十四条の三　前条第三項の規定により検疫所長が実施する第十四条第一項第一号に規定する隔離は、特定感染症指定医療機関に入院を委託して行う。ただし、緊急その他やむを得ない理由があるときは、特定感染症指定医療機関以外の病院であつて当該検疫所長が適当と認めるものにその入院を委託して行うことができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (3) If a person who has been isolated pursuant to the provisions in Article14-1(1) or his/her guardian applies for examination to the Health, Labour and Welfare Ministry in accordance with the Administrative Appeal Law (Act No. 160 of 1962)before thirty days have elapsed since the start of the isolation, the Health, Labour and Welfare Minister shall make a decision regarding the case within 35 days from the day of his/her isolation him/her under the provisions of the relevant paragraph.
    ３　第十四条第一項第一号の規定により隔離されている者であつて当該隔離の期間が三十日を超えないもの又はその保護者が、行政不服審査法（昭和三十七年法律第百六十号）に基づき厚生労働大臣に審査請求をしたときは、厚生労働大臣は、当該審査請求に係る隔離されている者が同号の規定により隔離された日から起算して三十五日以内に、当該審査請求に対する裁決をしなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • To provide a signal switching apparatus, a distributor comprising the signal switching apparatus, a set-top box and a television comprising the distributor in which improvement in work efficiency, reduction of component failure caused by heat in soldering, reduction of short-circuiting or the like caused by solder drip, reduction in variation of isolation characteristics for each signal switching apparatus and improvement in reliability of thermal shock can be attained.
    作業効率の向上と、半田付けにおける熱による部品故障の低減と、半田の垂れによるショートの発生等の低減と、各信号切り替え装置のアイソレーション特性のばらつきの低減と、熱衝撃の信頼性の向上を図ることができる信号切り替え装置、この信号切り替え装置を備えた分配器、およびこの分配器を備えたセットトップボックスおよびテレビジョンを提供する。 - 特許庁
  • The diagnosis method for amyotrophic lateral sclerosis includes: an isolation step in which a specimen is sampled from a subject and a nucleic acid is isolated from the specimen; a detection step in which bases expressed in a human chromosome 10 OPTN (Optineurin) gene region are detected from the isolated nucleic acid; and a determination step in which it is determined whether or not the detected bases are mutated.
    本発明に係る筋萎縮性側索硬化症の診断方法は、被験者から試料を採取して、当該試料から核酸を単離する単離工程と、単離された核酸から、ヒト１０番染色体 ＯＰＴＮ（Optineurin）遺伝子領域に示される塩基を検出する検出工程と、検出された塩基が、変異しているか否かを判定する判定工程と、を備える。 - 特許庁
  • To provide a base isolation fluid damper device capable of surely preventing a relative displacement quantity from exceeding limit displacement in an unexpected big earthquake, by accurately knowing a horizontal directional relative displacement quantity of an upper building and a foundation in the earthquake without directional dependency in all directions of 360° on a horizontal plane, and adjusting damping force in response to the relative displacement quantity.
    地震時の上部建物と基礎との水平方向の相対変位量を水平面上３６０°全方向において方向依存性なく正確に知ることができて、該相対変位量に対応して減衰力の調整を行うことができ、想定外の大地震時に相対変位量が限界変位を超えることを確実に防止できる免震流体ダンパ装置を提供すること。 - 特許庁
  • (2) Promoters of events that must be provided with domestic animal veterinary clinics under the provisions of the preceding paragraph may not keep, in the same location and during the period of such events, domestic animals other than those that have been diagnosed in said domestic animal veterinary clinic as not having contracted a specified disease or monitored infectious disease, provided, however, that this shall not apply when domestic animals are kept in the isolation station in the preceding paragraph.
    ２　前項の規定により家畜診断所を備えなければならない催物の開催者は、その開催中、その家畜診断所において特定疾病又は監視伝染病にかかつていないと診断された家畜以外の家畜をその開催の場所においてけい留させてはならない。ただし、前項の隔離所にけい留する場合は、この限りでない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • However, when Nagamasa ASANO and Yoshiharu HORIO and Kiyomasa KATO died in 1611, and Terumasa IKEDA andYoshinaga ASANO in 1618, and Toshinaga MAEDA in 1619, the isolation of the Toyotomi Family became stronger and partly from the impatience the Toyotomi Family began to reveal a policy of confrontation to the bakufu such as receiving official ranks from the Imperial Court without permissions from the bakufu, gathering army provisions and ronin (masterless samurai), in addition, trying to enter into the friendly relations with Maeda clan and so on.
    しかし、慶長16年（1611年）に浅野長政・堀尾吉晴・加藤清正が、18年に池田輝政・浅野幸長、19年に前田利長が亡くなると、豊臣家の孤立はいっそう強まり、その焦りからか幕府に無断で朝廷から官位を賜ったり、兵糧や浪人を集めだし、更には前田氏と誼を通じようとするなど、幕府との対決姿勢を前面に押し出し始めた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To obtain both a proline derivative ligand immobilized in a polymer, in which isolation of a product and recovery and reuse as an asymmetric ligand are readily carried out and which is also useful in a continuous reaction system and a chiral catalyst using the proline derivative ligand and to provide a new reaction method for conjugate addition of a thiol to an α,β-unsaturated carbonyl compound.
    生成物の単離や不斉配位子としての回収、再使用が容易に可能とされ、連続反応システムにおいても有用となる、高分子固定化されたプロリン誘導体配位子と、これを用いたキラル触媒、並びに前記チオール類のα，β−不飽和カルボニル化合物への共役付加のための新しい反応方法を提供する。 - 特許庁
  • The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.
    第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁
  • The integrated circuit (300) includes the substrate (302), at least two shallow trench isolation (STI) structures (305, 306) formed in the substrate (302), an oxygen filler in at least the two STI structures (305, 306), and a semiconductor element at least disposed on the oxygen filler in the two STI structures (305, 306).
    集積回路（３００）は、基板（３０２）と、基板（３０２）中に形成される少なくとも二つのシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造（３０５，３０６）と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中に設置される酸化物充填物と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中の酸化物充填物上に設置される半導体素子と、からなる。 - 特許庁
  • A vibration base isolation structure A includes a control circuit board 25 fixed in an inverter box 23, and a heating electric part 35 provided at a bottom part of the inverter box 23 in contact with a heat dissipating plane part 31, for isolating vibration particularly in the thickness direction T of the control circuit board 25 with respect to the lead terminal 35a of the electric part 35.
    制御回路基板２５がインバータボックス２３内に固定され、発熱性のある電気部品３５がインバータボックス２３の底部に設けられ放熱用平面部３１に当接された状態で、制御回路基板２５の特に厚み方向Ｔへの振動を、電気部品３５のリード端子３５ａに対して免振する振動免振構造Ａを設けた。 - 特許庁
  • Preferred "one-pot" methods include preparing a photoresist resin binder in a selected photoresist solvent and, without isolation of the resin binder from the solvent, adding a photoactive component and other components to the resin binder mixture to thereby obtain a photoresist composition in the solvent in which the resin binder is prepared.
    本発明の好ましいワンポット製法は、選択されたフォトレジスト溶媒中でフォトレジスト樹脂バインダーを調製する工程、当該溶媒中から樹脂バインダーを分離することなく、感光性成分及び他の成分を当該樹脂バインダー混合物中に添加して、樹脂バインダーが調製された溶媒中でフォトレジスト組成物を調製する方法を包含している。 - 特許庁
  • To reduce a coupling radiation in electric field caused by a stray capacitance between two signal lines in differential signal lines, and a stray capacitance between upper side differential signal lines and a stray capacitance between lower side differential signal lines in the upper/lower differential signal lines, and to make transmission characteristics proper over a wide frequency range by improving isolation characteristics, etc.
    差動信号線路間における２つの信号線路間の浮遊容量、上下差動信号線路における上面側差動線路間の浮遊容量、および下面側差動線路間の浮遊容量によって発生する電界のカップリング放射を抑制し、アイソレーション特性等を改善して広帯域にわたって伝送特性を良好なものとすること。 - 特許庁
  • Since it is difficult to write data by a head in the perpendicular magnetic medium having the magnetic crystal grains whose isolation is promoted, a second magnetic layer 18 for facilitating magnetization inversion by lowering oxide concentration to slightly increase bonding force between particles only in a surface side magnetic layer is formed in an upper layer of the first magnetic layer 17 to be a main magnetic layer.
    孤立化が促進された磁性結晶粒を有する垂直磁気媒体は，ヘッドによる書き込みが著しく困難となるため，メインとなる第１磁性層17の上層に，酸化物濃度を低くして，表面側磁性層でのみ粒子間の結合を若干強めて磁化反転を容易にさせるための第２磁性層18を形成する。 - 特許庁
  • A control gate line CGL is connected to a plurality of memory cells MC arrayed in a y direction side by side in common and arrayed extending in the y direction, and the control gate line CGL has a first width D2 on the element region 10 and a second width D1 wider than the first width D2 on the element isolation region 20.
    ｙ方向に並んで配列された複数のメモリセルＭＣに共通に接続されｙ方向に延びるように制御ゲート線ＣＧＬが配列され、制御ゲート線ＣＧＬは素子領域１０上では第１の幅Ｄ２を有する一方素子分離領域２０上では第１の幅Ｄ２より広い第２の幅Ｄ１を有する。 - 特許庁
  • Oxygen ions are implanted into an internal region 16 of a semiconductor substrate 11 containing a bottom 22 of a shallow groove 15 prior to forming the shallow groove 15 in an element isolation region 18 of the semiconductor substrate 11, and annealing is performed in a non-oxidizing atmosphere such as a nitride atmosphere or a vacuum atmosphere after forming the shallow groove 15 in the semiconductor substrate 11.
    半導体基板１１の素子分離領域１８に浅溝１５を形成する前に、浅溝１５の底部２２を内包する半導体基板１１の内部領域１６に酸素イオンを注入し、半導体基板１１に浅溝１５を形成した後に、窒素雰囲気または真空雰囲気等の非酸化雰囲気でアニーリングを行う。 - 特許庁
  • In the vibration control building 10 including an internal building 30 composed of a multistoried building; an external building 20 constructed to surround the internal building 30 and lower in rigidity than the internal building 30; and a vibration control damper 40 provided to connect the internal building 30 to the external building 20, a base isolation layer 21 is provided in a lower part of the external building 20.
    高層建物からなる内部建物３０と、内部建物３０を取り囲むように構築され、内部建物３０に比べて剛性の低い外部建物２０と、内部建物３０と外部建物２０の間を結ぶように設けられた制振ダンパー４０とを備えてなる制振建物１０において、外部建物２０の下部に免震層２１を設ける。 - 特許庁
  • To prevent or to suppress an occurrence of pits on a semiconductor substrate caused by hydrofluoric acid processing as preliminary cleaning of an annealing process for activating impurities for well formations, or out diffusions of impurities from a semiconductor substrate in a method for manufacturing a semiconductor device including an element isolation region in which an insulating film is formed in a trench.
    トレンチ内に絶縁膜が形成された素子分離領域を備える半導体装置を製造する方法において、ウェルを形成するための不純物を活性化するアニール処理の前洗浄としてのフッ化水素酸処理によって半導体基板にピットが発生することや、半導体基板から不純物がアウトディフュージョンすることを防止または抑制する。 - 特許庁
  • In a NAND-type EEPROM, wirings CS1, CS2 are newly provided parallel to bit lines BL1, BL2 and disposed so as to be embedded in element isolation regions of an STI structure, and at writing, a prescribed potential Vcs (Vcc<Vcs<Vpass) is given to lessen wrong write of non-selected cells from being written in.
    ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭにおいて、ビット線ＢＬ１，ＢＬ２と平行に位置する配線ＣＳ１，ＣＳ２を新たに設け、且つこの配線をＳＴＩ構造の素子分離領域中に埋め込むように配置し、書き込み時に所定の電位Ｖcs（Ｖcc＜Ｖcs＜Ｖpass）を与えることによって、非選択セルが誤って書き込まれるのを低減することを特徴としている。 - 特許庁
  • To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.
    高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Under such an arrangement, flux density of a power isolation transformer PIT is set not higher than a predetermined level so that the rectification operation current of a secondary both wave rectification circuit is in a continuous mode regardless of load variation thus suppressing increase in ripple voltage of the secondary DC output voltage caused by power regeneration.
    この構成の下で、絶縁コンバータトランスＰＩＴの磁束密度を所定以下に設定することで、負荷変動に関わらず二次側両波整流回路の整流動作電流が連続モードとなるようにして、これにより、電力回生に起因する二次側直流出力電圧のリップル電圧の増加を抑制する。 - 特許庁
  • In the method of forming the element isolation trench, the upper end of the liner 14 composed of the silicon nitride film is exposed by downwardly retreating the top surface of a first embedded insulating film 17 packed in a groove 2a formed into a silicon substrate 1, after the liner 14 is caused to deposit on the internal wall of the groove 2a.
    本発明による素子分離溝の形成方法は、シリコン基板１に形成した溝２ａの内壁に窒化シリコン膜ライナー１４を堆積した後、溝２ａの内部に充填した第１の埋め込み絶縁膜１７の上面を下方に後退させ、窒化シリコン膜ライナー１４の上端部を露出させる。 - 特許庁
  • To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.
    記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁
  • The semiconductor device is provided with a transistor region 3 subjected to element isolation by a first DTI 2 formed on a semiconductor substrate 1; and an inductor region 5 formed on a second DTI 4, a silicon oxide film 6 and a polysilicon 7 are filled in the first DTI, and the silicon oxide film 6 is filled in the second DTI.
    半導体基板１に形成された第１のＤＴＩ２により素子分離されたトランジスタ領域３と、第２のＤＴＩ４上に形成されたインダクタ領域５を備え、前記第１のＤＴＩ内をシリコン酸化膜６とポリシリコン７により充填し、前記第２のＤＴＩ内はシリコン酸化膜６により充填している。 - 特許庁
  • In the semiconductor device, a second gate insulating film layer 7 consists of an NONON multilayer film structure, and a silicon nitride film 7a located at the lowermost layer is formed in a region touching a floating gate electrode layer FG, but a silicon oxide film 7b is formed on an isolation film 6 substantially over the entire surface thereof.
    第２のゲート絶縁膜層７がＮＯＮＯＮ積層膜構造で構成されると共に、その最下層に位置するシリコン窒化膜７ａがフローティングゲート電極層ＦＧに接触する領域では形成されているものの素子分離絶縁膜６上にはシリコン酸化膜７ｂが略全面に渡って形成されている。 - 特許庁
  • To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.
    素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • This semiconductor device includes an element isolation film formed in a predetermined region of a semiconductor substrate to define a cell active region, a resistor active region, and a mask ROM active region and a floating junction region, a resistive junction region, and a channel junction region which are respectively formed in those active regions.
    この半導体装置は半導体基板の所定領域に形成されてセル活性領域、抵抗体活性領域及びマスクＲＯＭ活性領域を限定する素子分離膜及びこれら活性領域に各々形成される浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域を含む。 - 特許庁
  • To suppress the occurrence of defects in a semiconductor element operating at a high voltage by appropriately selecting the height of element isolation regions for the surface of a substrate when building the semiconductor elements operating at a high voltage and one operating at a low voltage in the same substrate, with respect to a semiconductor device and its manufacturing method.
    半導体装置及びその製造方法に関し、同一基板に低電圧動作及び高電圧動作の各半導体素子を作り込む場合、素子分離領域の高さを基板表面との間で適切に選択することで高電圧動作の半導体素子に於ける不良発生を抑止する。 - 特許庁
  • To prevent deterioration of vibration isolation performance even when a stationary state by transportation or warehousing after assembling to a disk device is bad, in a viscous fluid-sealed damper which is equipped with a sealed vessel having a flexible film part and a viscous fluid sealed in the sealed vessel, and damps vibration transmitted between a supporting body and a supported body.
    可撓膜部を有する密閉容器と、該密閉容器に封入する粘性流体とを備えており、支持体と被支持体との間で伝達する振動を減衰する粘性流体封入ダンパーについて、ディスク装置に組み付けた後の輸送や倉積みにおける静置状態が悪くても防振性能の悪化が生じないこと。 - 特許庁
  • The electrostatic coating device 1 is provided with an isolation valve 32 provided in the coating material supply path 22 and electrically isolating the coating material supply path 22 into the applied side to which the high voltage is applied and the non-applied side; and a high speed grounding device 40 for discharging the residual electrical charge in the coating material supply path 22.
    静電塗装装置１は、塗料供給路２２に設けられ、この塗料供給路２２を、塗装ガン１３に導通した印加側と塗装ガン１３から絶縁された非印加側とに分断する絶縁分離バルブ３２と、塗料供給路２２の残留電荷を放電する高速接地装置４０と、を備える。 - 特許庁
  • In the vertical MISFET, an insulator film 2 having a vacancy 4 in part is provided on an Si substrate 1, a lateral semiconductor layer 6 is provided on the vacancy 4 and a part of the insulator film 2, a conductive film 3 is provided with a part of a side face of the semiconductor layer 6 contacting thereon, and device isolation is made by the insulator film 2.
    Ｓｉ基板１上に、一部に空孔４を有する絶縁膜２が設けられ、空孔４上及び絶縁膜２の一部上に横方向半導体層６が設けられ、半導体層６の側面の一部に導電膜３が接して設けられ、絶縁膜２により素子分離されている。 - 特許庁
  • By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.
    第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.
    半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a protection layer forming composition that does not adversely affect a semiconductor layer even if an acid is used to remove attachments generated when an isolation groove isolated in units of elements is formed, and excellent in resistance to the acid and cracking, and a method of manufacturing an optical semiconductor element using the composition.
    素子単位に分離するための分離溝の形成時に生じる付着物を除去するために酸を用いた場合であっても、半導体層に悪影響を与えることのない、耐酸性及びクラック耐性に優れた保護層形成用組成物、及び、該組成物を用いた、光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A semiconductor element having a multi-channel includes a semiconductor substrate on which an element isolation film is formed, many trenches formed in an active region of the semiconductor substrate, and a channel active region that links sidewalls facing each other in the trench regions and the surface of which is used as a channel region.
    本発明は、素子分離膜が形成された半導体基板、半導体基板の活性領域内に形成された多数のトレンチ及びそれぞれのトレンチ領域内の対向する側壁を連結し、表面がチャネル領域として用いられるチャネル活性領域を含む多重チャネルを有する半導体素子からなる。 - 特許庁
  • Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.
    したがって，コンタクト層１０５を介して半導体層１０４にｐ型不純物を拡散ドープすると，半導体層１０４には，高抵抗基板１０２に達する拡散深さＸｊ２の素子分離領域１０６と高抵抗基板１０２に達しない拡散深さＸｊ１の発光部１１０とが同時形成される。 - 特許庁
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