「In Isolation」を含む例文一覧(3114)
＜前へ 1 2 .... 48 49 50 51 52 53 54 55 56 .... 62 63 次へ＞- To provide a method for forming a device isolation film in a semiconductor device capable of improving trench filling characteristics by preventing insulating films formed on side walls where trenches are opposed to each other from mutually contacting to suppress a generation of seam.
トレンチの向かい合う側壁に形成される絶縁膜が互いに接することを防止してシーム発生を抑制することにより、トレンチ埋め込み特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁 - To assure the reproducibility of a process by easily forming an element isolation film in a trench having a narrow width, wherein a void is formed at a location lower than a substrate surface so that the void does not affect subsequent processes, even if a void is formed within the trench.
トレンチ内にボイドが形成される場合でも、ボイドが基板の高さより低いところに形成されて後続の工程に影響しないうえ、幅の狭いトレンチに素子分離膜を容易に形成して工程の再現性を確保すること。 - 特許庁 - To provide a base isolated support structure for an electronic apparatus suppressing falling and rocking of the electronic apparatus and having a sufficient base isolation performance in the base isolated support structure for the electronic apparatus movably supporting the electronic apparatus on a free access floor.
フリーアクセス床上で電子機器を移動可能に支持する電子機器の免震支持構造に関し、電子機器の転倒やロッキングを抑えることができるとともに、充分な免震性能を有する電子機器の免震支持構造を実現する。 - 特許庁 - For forming a plurality of semiconductor elements over an insulating surface, in one continuous semiconductor layer, an element region serving as a semiconductor element and an element isolation region having high resistance and a function to electrically isolate element regions from each other are formed.
絶縁表面上に複数の半導体素子を形成するために、連続した半導体層中に半導体素子として機能する素子領域と、抵抗が高く素子領域間を電気的に分離する機能を有する素子分離領域を形成する。 - 特許庁 - Moreover, when the method of forming silicon-carbide oxide film is applied to sacrificial oxidation, the formation of an element isolation film, and the formation of a gate oxide film in a semiconductor element manufacturing process, a high-quality semiconductor element can be manufactured efficiently.
さらに、本発明の酸化膜製造方法を半導体素子の製造工程において、犠牲酸化、素子間分離膜の形成、ゲート酸化膜の形成に適用することにより、良質の半導体素子を効率的に製造することができる。 - 特許庁 - To projectively form first and second main electrode regions in even film thickness as additional active layer portions on an active layer body, prevent the problems such as increase of leakage current and parasitic capacitance, and easily perform an element isolation process.
活性層本体上に均一な膜厚での第１及び第２主電極領域を付加的活性層部分として、突出させて形成するとともに、リーク電流や寄生容量の増加等の問題が防止され、かつ素子分離プロセスを容易に行う。 - 特許庁 - An n-type high concentration region 8 is provided in isolation from the region 6 on the region 3A, and a trench groove type insulating region 9 contacted with a dielectric film is formed between the region 8 and the region 6.
また、内側ｎ形領域３Ａにはｐ形領域６と離間してｎ形高濃度領域８を設け、ｎ形高濃度領域８とｐ形領域６との間には誘電体膜に接するトレンチ溝型絶縁領域９を形成する。 - 特許庁 - The furnace lid 18 has a recess 183 for cylindrically surrounding the periphery of the rotary shaft 16 in the vicinity of the through-hole 182, and has a gas inlet tube 184 for supplying an inert gas to an isolation region 19 between the recess 183 and the shaft 16.
炉口蓋１８は、貫通孔１８２近傍の回転軸１６の周囲を円筒状に囲む窪み１８３を有し、窪み１８３と回転軸１６の離間領域１９に不活性ガスを供給するガス導入管１８４を有する。 - 特許庁 - To restrain an un-etched part from being left on a floating gate layer at the side of an element isolation insulating film when the floating gate layer is patterned so as to prevent a short circuit from occurring between gates, in a nonvolatile semiconductor memory equipped with memory cells and peripheral transistors having a laminated gate structure.
メモリセルと周辺トランジスタが積層ゲート構造を持つ不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲート層をパターンニングする際に素子分離用絶縁膜の側面での浮遊ゲート層のエッチング残りを抑え、ゲート同士のショートを防ぐ。 - 特許庁 - In the elevator shaft between a lower layer 2 and an upper layer 3 of the building having a base isolation device 1 inserted, a rectangular rigid frame body 4 is supported on the upper layer 3 at an upper end and on the lower layer 2 at a lower end through springs 11, 16, respectively, so as to freely rock.
免震装置１を介在した建物の下層２と上層３間のエレベータ昇降路内に、矩形の剛性枠体４を、上端部を上層３に、下端部を下層２にそれぞれ弾機１１，１６を介して揺動可能に支持する。 - 特許庁 - A 1st high frequency amplifier 15 is inserted between a 2nd output terminal 14 and a local oscillator 6 in addition to the configuration of a conventional receiver so as to enhance the isolation between the local oscillator 6 and the 2nd output terminal 14.
第２の出力端子１４と局部発振器６との間に従来と比べて第１の高周波増幅器１５を余分に挿入することになり、局部発振器６と第２の出力端子１４との間のアイソレーションが向上する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device having a high degree of element integration while using the same trench isolation as that of a high power supply voltage circuit section even in a low power supply voltage circuit section, and imparting sufficient latchup resistance to the high power supply voltage circuit section without increasing the process.
工程の増加なく高電源電圧回路部に十分なラッチアップ耐性を持たせつつ、低電源電圧回路部においても高電源電圧回路部と同じトレンチ分離を使用しながら高い素子集積度を持った半導体装置を得る。 - 特許庁 - To provide an indoor simple installation type negative pressure type isolation room, capable of preventing infection spread to the circumference when a patient of highly-virulent infection disease such as new flu or bird flu is received in doors such as a ward of a hospital or the like.
病院等の病室等の屋内において、新型インフルエンザや鳥インフルエンザ等の強毒性の感染症患者を収容するに当り、周囲への感染拡大を防止することのできる屋内簡易設置型陰圧方式隔離室を提供する。 - 特許庁 - Further, the semiconductor device has a gate electrode 4 formed on the element formation region 1, and the gate electrode 4 extends over first and second regions 2a and 2b which face each other across the element formation region 1 in the element isolation region 2.
更に、素子形成領域１上に形成されたゲート電極４を有し、ゲート電極４は、素子分離領域２において素子形成領域１を介して互いに対向する第１及び第２領域２ａ、２ｂの上にそれぞれ延伸している。 - 特許庁 - To provide a polishing agent and a polishing method allowing efficient and uniform polishing at high speed without scratch and also allowing easy process management in the CMP technology of smoothening an interlayer dielectric film, BPSG film, and insulation film for shallow trench isolation.
層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を研磨傷なく、効率的、高速、均一にかつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁 - A pixel isolation portion PB is formed from a compound semiconductor subjected to doping concentration control or composition control in such a way as to become a potential barrier between chalcopyrite photoelectric conversion films 13 formed corresponding to a plurality of pixels P.
複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for uniformly depositing a silicon oxide layer having a low dielectric constant for use as a gap fill layer, a pre-metal dielectric layer, an inter-metal dielectric layer, a shallow trench isolation dielectric layer, etc., in sub-micron devices.
サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor amplifier in which the area of an entire semiconductor can be reduced by providing a common main power supply terminal or a grounding terminal, and each of amplifiers can be stably operated by improving isolation between the amplifiers.
共通化した主電源端子または接地用端子を設けることにより、半導体全体の面積を小形化するとともに、各増幅器の間のアイソレーションを高めて各増幅器を安定に動作させることのできる半導体増幅器を得る。 - 特許庁 - To provide a downsized high frequency module that can process a transmission signal and a reception signal and realize improvement in the isolation between a transmission system circuit for processing the transmission signal and a reception system circuit for processing the reception signal.
送信信号および受信信号を処理できると共に、送信信号を処理する送信系回路と受信信号を処理する受信系回路との間のアイソレーションを向上させることができ、且つ小型化できる高周波モジュールを実現する。 - 特許庁 - The image sensor is offered that is provided with trenches for STI, channel stop films each formed on a substrate inside the trench, a device isolation film that fills each trench, and a photodiode formed in the substrate adjacent to the sidewalls of the trenches.
ＳＴＩのためのトレンチと、該トレンチ内の基板上に形成されたチャンネルストップ薄膜と、前記トレンチを埋め込む素子分離膜と、前記トレンチの側壁に隣接して基板内に形成されたフォトダイオードとを備えるイメージセンサが提供される。 - 特許庁 - If the Bluetooth(R) module 120 is powered on, a baseband processing unit 201 of the wireless LAN module 123 carries out processing of stopping using the wireless LAN antennas 1, 2, 3 sequentially in the order from a lowest level of isolation with the BT antenna 5.
無線ＬＡＮモジュール１２３のベースバンド処理部２０１は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈモジュール１２０が電源オンされた場合、無線ＬＡＮアンテナ１，２，３をＢＴアンテナ５とのアイソレーションレベルが低い順に順次使用停止する処理を実行する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device employing a trench isolation structure in which reliability is enhanced by forming a cavity selectively, thereby suppressing troubles due to crystal defect effectively; and to provide its fabrication process.
トレンチ分離構造を採用する半導体装置において、選択的に空洞部を形成することにより、結晶欠陥による弊害を効果的に抑制して、信用性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Actually, we are in the midst of an unprecedented and multi-faceted transaction-from military government to democracy, from armed conflicts to peace, from a state-centered economy to a free market economy and from isolation to being an active and productive member of the international community.
実際、我々は軍事政権から民主主義へ、武装闘争から和平へ、国家中心の経済から自由経済へ、孤立から国際社会の積極的かつ生産的なメンバーへ、前例のない多面的な転換の、真っ只中にあります。 - 財務省 - To provide a fixing device of a vibration isolation structure capable of preventing an upper structure from an unpleasant rolling by wind, at the same time, increasing flexibility of a setting position and being set in even a narrow space between the upper structure and the ground.
風による上部構造物の不快な横揺れを防止できると共に、設置位置の自由度を増大し得て、例えば上部構造物と地盤との間の狭い空間にも問題なく設置できる免震構造物の固定装置を提供すること。 - 特許庁 - A first and a second transmitter is coupled to the first and second acoustic isolation transformers to receive a first and a second data input signal and generate the first and second modulated input signals in response to the first and second data input signals.
第1及び第2の送信機が第1及び第2の音響絶縁変成器に結合されて、第1及び第2のデータ入力信号を受け取り、第1及び第2のデータ入力信号に応じて第1及び第2の変調入力信号を生成する。 - 特許庁 - An elastic spiral body, which secures a space for housing a new cable inside the subterranean buried cable where a cable is housed and also performs its isolation from the existing cable, is laid, and then the new cable is laid in the elastic spiral body.
ケーブルが収容されている地中埋設管の内部に、新設ケーブルを収容する空間を確保すると共に既設ケーブルとの隔離を行う弾性らせん状体を布設した後に、該弾性らせん状体内に新設ケーブルを布設する。 - 特許庁 - The sliding bearing type base isolation device has a combination of a complete circular shape with an annular shape, or two annular shapes as the sliding contact surfaces 3 and 3a, and thereby reduces a change in contact area between the sliding contact surfaces 3 and 3a when the sliding bearing materials slide.
即ち、摺接面３、3aの組合せは、全面円形状と円環形状、又は両方とも円環形状とし、滑り支承材のスライド時、摺接面３、3aの接触面積の変化が小さい滑り支承式免震装置とする。 - 特許庁 - Also, an input level obtained when an amplification operation is stopped becomes a very small value in comparison with a level obtained when the amplification operation is performed because the level of an inputted high frequency signal is subjected to attenuation control, and the off isolation of the circuit can be sufficiently taken.
また、入力される高周波信号のレベルが減衰制御されるため、増幅動作停止時の入力レベルは動作時のレベルに比べ非常に小さな値となっており、高周波増幅回路１のオフ・アイソレーションも十分取れることになる。 - 特許庁 - To provide a damping device demonstrating damping effect against deformation of a minute amplitude caused in a structure by wind or the like and capable of being used again after a big vibration is applied on the device, and a seismic isolation structure and a vibration control structure using the same.
風等により構造物に生じる微小振幅の変形に減衰効果を発揮し、大きな揺れが生じた後も再使用が可能な減衰装置並びにこの減衰装置を用いた免震構造物及び制振構造物を提供する。 - 特許庁 - Then, dry hot air 23 is blown to and at the same time the surface is smeared with the compound by a coating apparatus 24 of such as sponge or a non-woven fabric to cause isolation reaction between the active hydrogen in the surface of the substrate and the hydrolyzable group of the compound and form covalent bonds.
次にドライ温風23を吹き付けるとともにスポンジ又は不織布等の塗布装置24で擦りつけ、前記基材表面の活性水素と前記化合物の加水分解性基との間で脱離反応を起こさせ共有結合させる。 - 特許庁 - Since magnetic flux can cross a secondary coil at a part where magnetic flux density is high with a long center iron core having a length projecting out of the isolation case, a change quantity of the magnetic flux when a current flowing in the primary coil is shut off can be increased.
前記絶縁ケースよりはみ出した長さの長いセンタ鉄心は、磁束密度の高い部分で二次コイルに磁束を鎖交させることができるため、一次コイルに流す電流を遮断した場合の磁束の変化量も大きくすることができる。 - 特許庁 - After a thermal oxide film 4 is formed on the inner wall surface of an isolation groove 3, a silicon semiconductor substrate 1 is heated by a lamp annealing apparatus, at higher temperature than during the formation of the thermal oxide film 4, for example, at 950°C for a short time (30 seconds in this case).
分離溝３の内壁面に熱酸化膜４を形成した後、ランプアニール装置を用い、熱酸化膜４の形成時よりも高温、例えば９５０℃で所定の短時間（ここでは例えば３０秒間）、シリコン半導体基板１を加熱処理する。 - 特許庁 - To accelerate response of the switching circuits, isolation switches decouple the first set of switches in each pair from the stage output during switching of the second set of switches, thereby removing the load of stage output due to the second set of switches.
スイッチング回路の応答を速めるために、第２の組のスイッチの切換え中に、分離スイッチが、各対における第１の組のスイッチをステージ出力から減結合し、その結果、第２の組のスイッチによるステージ出力の負荷を除去する。 - 特許庁 - To provide a seismic isolator capable of restraining height of a movable plate for mounting a structure low, capable of being manufactured in a simple and compact structure, and suitable for a seismic isolation purpose of a small structure such as precision apparatus and artistic work.
構造物を搭載する可動プレートの高さを低く抑えることができると共に、簡易な構造でコンパクトに製作することが可能であり、精密機器や美術品といった小型の構造物の免震用途に最適な免震装置を提供する。 - 特許庁 - An isolation region 16 has a first part in which the side wall part of the trench is caused to be flush with the upper part of the trench, and a second part which protrudes from said trench at the rest part of the trench and formed with the same material as the first part.
素子分離領域１６は、溝の側壁部分で溝の上部と一致された第１の部分及び前記溝の残りの部分で前記溝より突出し、第１の部分と同一材料により形成された第２の部分を有している。 - 特許庁 - To provide a damper capable of completely returning to its original state after the end of earthquake vibrations, and an isolator capable of sufficiently bearing with vertical load and having low horizontal stiffness, in a damper and an isolator composing a base isolation structure.
免震構造を構成するダンパ—及びアイソレ—タにおいて、地震振動終息後に完全に元の状態に復帰させ得るダンパ—を提供すること及び鉛直荷重に充分耐え得てしかも水平剛性の低いアイソレ—タを提供する。 - 特許庁 - (4) Persons who are isolated pursuant to the provisions in Article 14-1(1) or his/her guardian (a person who exercises parental authority or a carer. The same shall apply hereinafter) may make a request to the quarantine station chief to lift the isolation.
４ 前条第一項第一号の規定により隔離されている者又はその保護者（親権を行う者又は後見人をいう。以下同じ。）は、検疫所長に対し、当該隔離されている者の隔離を解くことを求めることができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム - The seal mechanism 40 has a roller 44, means 42, 43 to support the roller 44 movably in a predetermined area, and a means 46 to press an outer circumferential surface of the roller 44 against an opening edge 64 of the opening part closed by the sound isolation door 28.
そのシール機構４０は、ローラ４４と、ローラ４４を所定領域内で移動可能に支持する手段４２、４３と、ローラ４４の外周面を防音扉２８によって閉じる開口部の開口縁６４に押付ける手段４６とを有している。 - 特許庁 - The manufacturing method of circuit devices is performed by a method, where a conducting foil 60 is prepared and isolation grooves 61 shallower than the thickness of the foil 60 are formed in the foil 60 removed at least the regions, which are used as conducting paths 51A and 51B, to form a plurality of the paths 51A and 51B.
導電箔６０を用意し、少なくとも導電路５１Ａ・５１Ｂと成る領域を除いた前記導電箔６０に、当該導電箔の厚みよりも浅い分離溝６１を形成して複数の導電路５１Ａ・５１Ｂを形成する。 - 特許庁 - Accordingly, the chemical is preliminarily dosed in an dispensary room etc. and then delivered to a patient's room or a patient's home and then both chemicals can be mixed while the both rooms are made to communicate with each other by releasing the isolation means at the patient's room or home and administered.
このことにより、予め調剤室等で予備調剤した後各病室または在宅患者宅に配達し、各病室または在宅患者宅で隔離手段を連通して両薬剤を混合して投与することが可能となる。 - 特許庁 - In a manufacturing method for providing insulation (isolation) between the adjacent regions of an integrated circuit (10), guard layers (40, 68, 72, 88, 90, and 128) are provided on a field edge that is the interface between field oxide film regions (30, 54, and 92) and diffusion regions (14, 26, 52, 86, and 96) where dopant is introduced.
集積回路(10)の隣接する領域間に絶縁（アイソレーション）を提供するための製造方法は、フィールド酸化膜領域(30,54,92)と、ドーパントが導入される拡散領域(14,26,52,86,96)との界面であるフィールドエッジ上にガード層(40,68,72,88,90,128)を設けることを含む。 - 特許庁 - In one embodiment, it is characterized that the IC is subjected to isolation and/or detection and/or quantification by recognizing the β2GPI/IC complex using material bound to the β2GPI.
１つの実施形態において、本発明の方法は、そのＩＣが、β２ＧＰＩに結合する物質を使用して、β２ＧＰＩ／ＩＣ複合体を認識することによって、分離および／または検出および／または定量されることに特徴づけられる。 - 特許庁 - To provide a base isolation apparatus of a wooden house capable of completely preventing a house part formed by a groundsill and a pillar erected thereon from being rocked against rolling of the ground where the wooden house is set up quaked in the horizontal direction by an earthquake.
木造家屋が設立された地面が地震により水平方向へ震動する横揺れに対し、土台とこれに立設された柱により構成される家屋部分は全く揺動しないようにした木造家屋の免震装置を提供する。 - 特許庁 - The frequency translating repeater for use in a time division duplex (TDD) radio protocol communications system comprises a plurality of local oscillator (LO) circuits to facilitate repeating by providing isolation, reduced phase noise, reduced pulling, and the like.
時分割（ＴＤＤ）無線プロトコル通信システムに使用される周波数変換中継器は、複数の局部発振器（ＬＯ）回路を備えており、それによって、アイソレーション、フェーズノイズ低減、引き込み低減等を実現することで中継を容易化している。 - 特許庁 - The coating liquid for element isolation material includes an insulating film forming precursor in which a mixture of an alkoxysilane compound and metal alkoxide is hydrolyzed and condensed and a solvent for preparing the concentration of the insulating film forming precursor at a desired concentration.
素子分離材料用塗布液は、アルコキシシラン化合物と金属アルコキシドとの混合物が加水分解、縮合された絶縁膜形成前駆体と、絶縁膜形成前駆体の濃度を所望の濃度に調製する溶媒と、を備えている。 - 特許庁 - Further, wirings 5 are formed which pass an upper layer of the intermediate electrodes 4 in the element isolation and is electrically connected to the vertical transfer electrodes 3 through contact holes 7, and to which is applied clock pulses for reading out and transferring signal charges.
さらに素子分離上の中間電極４の上層を通ると共にコンタクト孔７を通じて垂直転送電極３に電気的接続され、信号電荷の読み出しおよび転送を行うためにクロックパルスが印加される配線５が形成される。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation structure for mechanical parking equipment, which is installed in a building, and can surely reduce vibrations transmitted to other floors, even when the size of the mechanical parking equipment is increased.
建物内に設置される機械式駐車場設備の防振構造であって、機械式駐車場設備の規模が大きくなった場合にも、確実に他のフロアに伝わる振動を低減することのできる機械式駐車場設備の防振構造の提供。 - 特許庁 - The insulated isolation trench 13 for element forming regions 12a, 12b provided on an SOI substrate 11 is formed in a plane layout form having a shared side part CS shared by the adjacent element forming regions 12a, 12b.
ＳＯＩ基板１１上に設けられた素子形成領域１２ａ、１２ｂのための絶縁分離トレンチ１３は、隣接した素子形成領域１２ａ、１２ｂ同士で共用される共有辺部ＣＳを有した平面レイアウト形状に形成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, wherein higher resistance of a control gate and etching of a silicon substrate are prevented while an element isolation film is etched with a gate electrode in self-alignment to form a source line.
ゲート電極に自己整合で素子分離膜をエッチングしてソースラインを形成する半導体装置の製造方法に関し、コントロールゲートの高抵抗化及びシリコン基板のエッチングを防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.
ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁
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