「In Isolation」を含む例文一覧(3112)
＜前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 62 63 次へ＞- A vertical base isolation device is provided between an upper structure 2 and a lower structure 4 as an overall building and includes disc springs 12 capable of supporting a load of the upper structure 2, and an oil damper 14 which performs piston action in a vertical direction and suppresses horizontal displacement of the disc springs 12.
建屋全体としての上部構造物２と下部構造物４との間に設けられ、上部構造物２の荷重を支持可能な皿ばね１２と、上下方向にピストン運動し、皿ばね１２の水平変位を抑えるオイルダンパー１４とを備えるようにする。 - 特許庁 - In the reverse blocking insulated gate type bipolar transistor of which the substrate thickness is equal to 150 μm or less, a trench 23 formed on a first main surface side is used to form an isolation diffusion region 32.
基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁 - The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.
素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁 - An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.
静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device with which thinning of a gate insulating layer in an STI end of a transistor element having an STI (Shallow Trench Isolation) structure, especially, a high breakdown voltage transistor element, and the structure is formed without adding a large process.
ＳＴＩ構造を有するトランジスタ素子、特に高耐圧トランジスタ素子のＳＴＩ端部でのゲート絶縁層のシニングを防止し、なおかつ大幅な工程を追加することなくその構造を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁 - Then, in a photolithographical process, element isolation formation of the thin film semiconductor layer and formation of video signal wiring and a drain electrode are conducted simultaneously by a single photolithographical process by using a photomask capable of modulating the quantity of exposed light of a channel area of a thin film transistor element.
その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で同時に形成する。 - 特許庁 - A p-n joint part between a p-type diffusion layer 2 and an n-type silicon substrate 1 is formed in an element formation area divided by an element isolation area 5 on the surface of a semiconductor substrate 1, and a radiation sensitive area is formed by the p-n joint part.
半導体基板１の表面の素子分離領域５により区画された素子形成領域に、ｐ型拡散層２とｎ型シリコン基板１とのｐｎ接合部が形成されており、このｐｎ接合部により放射線有感領域が構成されている。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: burying the insulating film in a groove formed in the semiconductor device; forming a coating film to cover the buried insulating film; and forming the element isolation region by leaving stress in the insulating film, the stress generating strain in a region of the semiconductor substrate at a periphery of the insulating film through a heat treatment after forming the coating film.
半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成した溝内に絶縁膜を埋め込む工程と、埋め込まれた前記絶縁膜上を覆うように被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を形成した後、熱処理により、前記半導体基板の前記絶縁膜周辺の領域に歪みを発生させる応力を前記絶縁膜に残留させ、素子分離領域を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a base isolation stand provided with a fail safe mechanism for excessive vertical/horizontal vibrations, while allowing the horizonta/vertical vibrations together, which can exhibit a stable friction damping force in the middle of the swing following to the vertical vibration and whose plane shape and upper/lower size are compact.
水平・上下方向の振動をともに許容しつつ、過大な上下・水平振動に対するフェイルセーフ機構を備え、また上下振動を伴う揺れの最中にも安定した摩擦減衰力を発揮し、しかも平面形状・上下寸法がコンパクトな免震台を提供する。 - 特許庁 - P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.
Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device according to an embodiment comprises: a semiconductor substrate; a plurality of element isolation insulators which are formed on an upper part of the semiconductor substrate and divide the upper part to a plurality of active areas extending in a first direction; and an electric contact connected to the active areas.
実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上層部分に形成され、前記上層部分を第１方向に延びる複数本のアクティブエリアに区画する複数本の素子分離絶縁体と、前記アクティブエリアに接続されたコンタクトと、を備える。 - 特許庁 - To provide the element isolation formation method of a semiconductor device, that can reduce aspect ratio for forming an element separation film without voids, by minimizing loss in a thermal oxide film on the sidewall of a trench, by completely removing the thermal oxide film on the bottom surface of the trench for normally growing silicon.
トレンチ側壁の熱酸化膜の損失を最小化し、トレンチ底面の熱酸化膜を完全に除去して正常的にシリコンを成長させて、アスペクト比を減らしてボイドの無い素子分離膜を形成できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - The isolation and refining of the cubic spinel-type silicon nitride comprises accommodating a mixed power 12 comprising the cubic spinel-type silicon nitride and the low pressure phase silicon nitride and a mixed acid solution 13 comprising hydrofluoric acid and nitric acid or sulfuric acid in a reaction vessel 1 and reacting them while heating.
立方晶スピネル型窒化ケイ素の分離、精製は、反応容器１内に立方晶スピネル型窒化ケイ素と低圧相窒化ケイ素の混合粉末１２と、フッ化水素酸及び硝酸又は硫酸の混酸溶液１３とを収容し、加熱状態で反応させることにより行われる。 - 特許庁 - To provide a surface acoustic wave branching filter where which first and second surface acoustic wave filter chips are mounted by a flip-chip bonding method in a package member, the isolation between the first and second surface acoustic wave filter chips is improved, and proper attenuation characteristics are achieved.
フリップチップボンディング方式で第１，第２の弾性表面波フィルタチップがパッケージ材に搭載されており、さらに第１，第２の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションを改善することができ、良好な減衰特性を有する弾性表面波分波器を提供する。 - 特許庁 - Since the gate electrode 11 on an element formation region comprises a lamination film of first and second silicon layers 3, 8 and a WSix film 9, and the gate electrode 11 on the isolation film 6 comprises the first silicon layer 3 and the WSix film 9, resulting in the relation h2<h1.
すなわち、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１及び第２のシリコン層（３）（８）とＷＳｉｘ膜（９）の積層膜から成り、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１シリコン層（３）とＷＳｉｘ膜（９）から成るので、ｈ２＜ｈ１となる。 - 特許庁 - Semiconductor structures 6 to 12 are formed in an element forming region on an SOI substrate 4, on the surface of which a silicon oxide film 14 is formed, the film 14 having an opening 16 corresponding to an element isolation region circling the element forming region on the surface of the SOI substrate 4.
ＳＯＩ基板４の素子形成領域に半導体構造６〜１２を形成し、ＳＯＩ基板４の表面において素子形成領域を一巡する素子分離領域に対応する開口１６を有する酸化シリコン膜１４をＳＯＩ基板４の表面に形成する。 - 特許庁 - To provide a vehicular meter unit capable of effectively creating spatial isolation sense of an individual image function part regardless that a plurality of image function parts including an image meter are displayed on a plane-like display, and also excellent in discrimination property of important meter information.
画像メータを含む複数の画像機能部品を平面的なディスプレイに表示しているにもかかわらず、個々の画像機能部品の空間的な隔絶感を効果的に創出でき、また、重要なメータ情報の識別性にも優れた車両用メータユニットを提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes an active region 12c surrounded by an element isolation region 11, gate electrodes 13a and 13b cutting across the active region 12c and the source/drain diffused layers 20 and 21 which are formed in the active region 12c while positioned on both sides of the gate electrodes 13a and 13b.
半導体装置は、素子分離領域１１に囲まれた活性領域１２ｃと、活性領域１２ｃを横切るゲート電極１３ａ，１３ｂと、ゲート電極１３ａ，１３ｂの両側に位置し活性領域１２ｃ内に形成されるソース／ドレイン拡散層２０，２１とを備える。 - 特許庁 - Thus, the height of the surface of the CVD oxide film 5 (isolation oxide film 8), embedded in the trench after being polished and removed is uniformized, and the generation of a gate bridge and the degradation of the reliability of a gate insulation film 9 are eliminated even if a gate insulation film 9 and a gate 10 are formed.
これによって研磨除去後のトレンチに埋め込まれたＣＶＤ酸化膜５（分離酸化膜８）表面の高さを均一にすることができ、ゲート絶縁膜９およびゲート１０を形成してもゲートブリッジの発生やゲート絶縁膜９の信頼性の劣化をなくすことができる。 - 特許庁 - Forms are secured around anchors set up on the underside of the base isolation device 1 when a positioning at a proper place of the device 1 is confirmed, the device 1 is fixed onto a foundation by the supporter 1b by concrete or the like and a temporary fixing in both supporters 1a, 1b is released.
免震装置１が適正な位置にあることを確認できたら、免震装置１の下面に取り付けられているアンカーの周囲に型枠を設置し、コンクリート等で基礎に対して免震装置１をその下部支持体１ｂで固着し、両支持体１ａ，１ｂにおける仮固定を解除する。 - 特許庁 - In the continuously constituting high bridge wherein the vibration isolation structure of the high bridge adjoins a unit high bridge 50 comprising rigid framed structure having a plurality of spans while holding a prescribed interval, adjacent beams 52 are mutually rigidly connected by concrete 1, reinforcing bars 2 and the like.
高架橋の防振構造は、複数径間のラーメン構造から成る単位高架橋５０を、所定の間隔を保ちながら隣接させて連続的に構成する高架橋において、隣接する梁５２同士をコンクリート１と鉄筋２等で相互に剛接結合させている。 - 特許庁 - This device includes a plurality of earthquake isolation devices 28 positioned in circumferential direction between a reactor stage 14 and a lower stage 20, and a plurality of displacement limiters 30 connected to the foot 22 of the lower stage 20 and positioned adjacent to the reactor stage 14.
地震荷重抑圧装置（２６）は、原子炉台座（１４）及び下側台座（２０）の間に円周方向に位置ぎめされた複数個の地震絶縁装置（２８）と、下側台座の裾部（２２）に結合されていて、原子炉台座（１４）に隣接して位置ぎめされた複数個の変位制限装置（３０）とを含む。 - 特許庁 - In the trench forming a trench gate structure, an inter-diffusion-layer isolation insulating film is selectively wet etched to a diffusion layer so that the diffusion layer is projected, and the projected diffusion layer is selectively epitaxially grown so that the projected portion of the diffusion layer forms an eaves structure.
溝ゲート構造となる溝内において、拡散層間分離絶縁膜を拡散層に対して選択的にウェットエッチングして拡散層が突出部した構造を形成し、さらに突出した拡散層を選択エピタキシャル成長させることで拡散層の突出部に庇状の構造を形成する。 - 特許庁 - When a relative rotational difference is caused in both an outer cylinder 35 and a contactor 40 of a thrust plate 39 when the isolation rubber 38 is twisted, both the outer cylinder 35 and the thrust plate 39 rotate together by frictional forces when a projection 352 of the outer cylinder 35 contacts with the contactor 40.
アイソレーションゴム３８が捩れて外筒３５およびスラストプレート３９の接触子４０に両者に相対的な回転差が生じると、外筒３５の凸部３５２と接触子４０とが接触してその摩擦力により外筒３５およびスラストプレート３９の両者が供回りする。 - 特許庁 - The element comprises an element isolation film for defining a plurality of parallel active regions, a pair of control gate patterns arranged so as to intersect the active region, and a pair of selective gate patterns arranged so as to intersect the active region and to be between the control gate patterns in parallel thereto.
この素子は複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域と交差して配置された一対の制御ゲートパターン及び活性領域と交差して制御ゲートパターンの間に平行に配置された一対の選択ゲートパターンとを有する。 - 特許庁 - A plurality of first transistors Tr1, formed in the isolation region 20 turn on at the rising timing for a signal which is transmitted from one of the low and high potential circuit regions 10 and 30, to the other and changes over between high and low.
分離領域２０内に形成されている複数個の第１トランジスタＴｒ１は、低電位回路領域１０と高電位回路領域３０のうちの一方の回路領域から他方の回路領域に伝達する信号であって、ハイとロウの間で変化する信号の立ち上がりタイミングでオンする。 - 特許庁 - To provide a fluid-filled vibration isolation device of new structure that, despite having stopper mechanisms, can avoid an increase in overall device size and can ensure member strength at a fixing region and fixing strength for a mounting member.
ストッパ機構を備えていても、防振装置の全体サイズの大型化を回避することが出来ると共に、第二の取付部材の固定部位での部材強度や第二の取付部材の固定強度を確保することが出来る、新規な構造の流体封入式防振装置を提供することを、目的とする。 - 特許庁 - To provide an elastic surface wave divider which can suppress deterioration of the quantity of attenuation from an antenna terminal 21 to a reception terminal 23, and also can suppress deterioration of the quantity of attenuation in isolation properties from a transmission terminal 22 to the reception terminal 23, and a communication device using it.
アンテナ端子２１から受信端子２３への間の減衰量の劣化を抑え、送信端子２２から受信端子２３への間のアイソレーション特性での減衰量劣化も抑えることができる弾性表面波分波器およびそれを用いた通信装置を提供する。 - 特許庁 - This radioactive material storage building 1 is provided with: a building body 20 arranged over a foundation 10 provided on the ground G, for storing a radioactive material A stored in a cask 41; and a base-isolation device 30 arranged between the foundation 10 and the building body 20.
放射性物質貯蔵建物１は、地盤Ｇに設けられる基礎１０の上方に配置され、キャスク４１に収納された放射性物質Ａを貯蔵する建物本体２０と、基礎１０および建物本体２０の間に配置される免震装置３０とを備える。 - 特許庁 - Further, the semiconductor element forming region 120 and an adjoining region adjoining it with a dielectrics isolation region 114 therebetween are provided with a potential fixing region 130 in which the potential is fixed, to prevent changing of breakdown voltage characteristics of the horizontal semiconductor element by variation of potential of a peripheral element.
また、半導体素子形成領域１２０と、誘電体分離領域１１４を介して隣接する隣接領域に電位が固定される電位固定領域１３０を設けたことにより、横形半導体素子の耐圧特性が周辺素子の電位変動によって変動することが防止される。 - 特許庁 - The cam 11 is movable between a fixation position corresponding to the rope 13 to be fixed with the hitching effect on a fastening plate 16 and an isolation position for the rope 13 to freely travel in a gap between the cam 11 and the fastening plate 16.
カム１１は、止め金具１６に対する引っ掛かり効果によりロープ１３が固定されることに対応する固定位置と、カム１１と止め金具１６との間の隙間においてロープ１３を自在に走行させることができるような離間位置との間で移動自在となっている。 - 特許庁 - To attain remarkable improvement of performance of base isolation, by displaying a trigger function and a damper function equivalent to a metal bar damper, and having vertical load support capacity more than layered rubber, in addition sufficiently damping horizontal damping force of fixed value or more by an earthquake or the like.
金属棒ダンパーと同等のトリガー機能及びダンパー機能を発揮し、かつ、積層ゴム以上の鉛直荷重支持能力を有し、しかも、地震等による一定以上の水平振動力を十分に減衰し免震性能の著しい向上を達成できるようにする。 - 特許庁 - To provide a landing device of an elevator for a base isolation building provided with a getting on/off passage between a base entrance of a base construction body and a hoistway entrance of a hoistway, and making the getting on/off passage cope with the relative displacement to the direction of opening of the base entrance and the hoistway entrance without any problem in the earthquake.
基部建築体の基部出入口と昇降路の昇降路出入口の両者間に乗降通路を設け、地震時における上記両者の間口方向への相対変位に乗降通路が不具合なく対応する免震建物用エレベーターの乗場装置を得る。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate, an element active region, where an insulated gate field effect transistor is formed, is enclosed with a channel element isolation region, with the gate electrode pattern being thicker in the region striding the channel element separation region of the gate electrode of the insulating gate field effect transistor.
半導体基板上であって絶縁ゲート電界効果トランジスタの形成される素子活性領域が溝素子分離領域で囲繞され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の溝素子分離領域を跨る領域で上記ゲート電極パターンの寸法が太くなっている。 - 特許庁 - An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.
ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁 - To combine triggering function for ordinary load and excellent base isolation function for earthquake in the structure of an interface between the upper structure side and the foundation side without separately installing a trigger mechanism and provide structural members with less deformation and damage and excellent long-term durability.
上部構造体側と基礎側との接面部構成の工夫により別個にトリガー機構を設置しなくても、日常的荷重に対するトリガー機能と地震動に対する優れた免震性能との両立を図れ、また、構成部材の変形や破損なども少なくて長期耐久性に優れたものにする。 - 特許庁 - In the restoration device to be used jointly with a base-isolating devise or a vibration-damping device for the base-isolation or the vibration- damping detached house, this method of execution is characterized by that a stretchable accouplement of the restoration device are provided between a footstall and a foundation with a gradient angle.
免震あるいは減震戸建家屋の免震あるいは減震装置と併用する復元装置において、復元装置の伸縮性を有する連結材を土台、基礎間に斜度を持たせて設けることを特徴とする免震、減震戸建家屋の復元装置の施工方法。 - 特許庁 - To contribute to a house industry by increasing a demand for remodeling work of an existing house by the synergistic effect of constructing this method by solving " an aseismatic method of an existing nonseismic house " of the most preferential problem in " Central Disaster Prevention Council " of a Cabinet Office of Seismic Great Nation of Japan by a base isolation retrofit construction method.
地震大国日本の内閣府「中央防災会議」での最優先課題の「既設非耐震住宅の耐震化」を、免震レトロフィット工法により、解決できる上にこれを施工する相乗効果により、既設住宅のリフォーム工事等の需要が増し住宅産業に貢献できる。 - 特許庁 - A side of a contact C_FD side of both the gate electrodes G_1 and G_2 or either of them protrudes on a boundary (broken line) between the FD region and the element isolation region to a side where the contact C_FD exists more than the other parts in contact with the FD region.
ゲート電極Ｇ_１，Ｇ_２の双方または何れか一方におけるコンタクトＣ_ＦＤ側の辺は、ＦＤ領域と素子分離領域との境界線（破線）上において、ＦＤ領域に接する他の部分と比べて、コンタクトＣ_ＦＤが存在する側へ突出している。 - 特許庁 - The vertical base isolation device isolates the vertical vibration transmitted from a lower structure to an upper structure and is characterized by interposing an air spring and disc springsin for supporting the upper structure while arranging them in series between the upper structure and the lower structure.
下部構造体から上部構造体に伝達される上下方向の振動を免震する上下免震装置であって、前記上部構造体と前記下部構造体との間に、前記上部構造体を支持する空気ばねと皿ばねとを直列に配置して介在させたことを特徴とする。 - 特許庁 - According to this configuration of the simplified isolation sickroom for a bed, in the skeleton formed of ridge lines of a rectangular parallelepiped, one ridge line of four ridge lines contacting the floor surface is eliminated, and a plurality of lap type inlets/outlets of the square-bottom bag are formed on the side surface side of the eliminated ridge line.
ベット用簡易隔離病室に係わる本発明の構成は、直方体の稜線からなる骨組のうち、床面と接する四本の稜線のうち、一本の稜線を除去し、除去した稜線の側面側に角底袋のラップ式出入口を複数個形設したことを特徴とする - 特許庁 - The compressor includes: an air tank 6 placed on a bottom base through a vibration isolation part; a common base 7 installed on the top of this air tank and provided for installing the compression mechanisms; and the plurality of the reciprocal compression mechanisms 4, 5 parallelly disposed adjacent to each other in the same direction on this common base.
圧縮機は、下部ベースに防振部品を介して設置された空気タンク６と、この空気タンクの上部に取付けられ圧縮機構部を取付けるための共通ベース７と、この共通ベースに、隣接して同一方向に並置された往復動式の複数の圧縮機構部４，５とを備える。 - 特許庁 - To provide a structure of a pressure vessel that can sufficiently support a large load from above, and can secure safety at the breakage or the like of a flexible film body, in the structure of the pressure vessel of an air spring type under high inner pressure which is used as, for example, part of a base isolation device.
たとえば免震装置の一部として用いられる、高内圧下の空気ばねタイプの圧力容器構造体において、上方側からの大荷重を十分に支持するとともに、可撓膜体の破裂時等に、安全性を確保することができる圧力容器構造体を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on an SOI element forming region 13, and a boundary groove 14 is formed on the entire periphery along the boundary between the SOI element forming region 13 and an element isolation layer 12.
半導体基板４１の製造方法は、まず、ＳＯＩ素子形成領域１３に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成するとともに、ＳＯＩ素子形成領域１３と素子分離層１２との境界に沿った全周に境界溝１４を形成する。 - 特許庁 - A flat hollow sheet, which secures a space for housing a new cable inside the subterranean buried cable where a cable is housed and also performs its isolation from the existing cable, is laid, and then the new cable is laid in a condition that the air pressure within the hollow sheet is elevated for expansion.
ケーブルが収容されている地中埋設管の内部に、新設ケーブルを収容する空間を確保すると共に既設ケーブルとの隔離を行う扁平形状の中空シートを布設した後に、中空シート内の気圧を高めて膨らました状態で新設ケーブルを布設する。 - 特許庁 - The base plate assembly 10 includes a steel base plate 28 and a plurality of long nuts 30 which are implanted in the first surface of the base plate 28 and which allow fixing bolts 32 for fixing the base isolation device 12 to the base plate assembly 10 to be screwed thereto from the second surface side of the base plate 10.
ベースプレートアセンブリ１０は、鋼板製のベースプレート２８と、このベースプレート２８の第１面に植設され、免震装置１２をベースプレートアセンブリ１０に固定する固定用ボルト３２をベースプレート１０の第２面側から螺合させることのできる複数の長ナット３０とを備えている。 - 特許庁 - At least one of the upper and lower flange plates 22 consists of an outside plate 24 attached to the structure 12 or the structure 14 with the bolts B and having a hole 28 formed on the inside thereof, and an inside plate 26 attached to the seismic isolation laminated rubber 10 and movably inserted in the hole 28.
上下のフランジプレート２２の少なくとも一方が、構造体１２または構造体１４にボルトＢで取着され内側に孔２８が形成された外側プレート２４と、免震用積層ゴム１０に取着され孔２８に移動可能に挿入された内側プレート２６とで構成されている。 - 特許庁 - The spectacles of a pinhole effect utilization type bored with small holes in lens segments 3 are constituted by using optical isolation materials which exhibit translucent characteristics to light 4 from the inner side while exhibiting light shielding characteristics to light 5 from outer side for the lens segments 3.
レンズ部分３に小孔をあけたピンホール効果利用型のメガネにおいて、そのレンズ部分３に、外側からの光５に対しては遮光特性を示す一方、内側からの光４に対しては透光特性を示す光アイソレーション材を使用することを特徴とする。 - 特許庁 - The base isolation joint 4 provided at wall members 20 of the mutual connection parts of the parts having different vibration characteristics is formed by interposing a hardened layer 6 of a mixed composition including an asphalt emulsion, a hardening material and a high water absorptive material, in a clearance between the wall members 20.
振動特性の異なる部位同士の接続部分の壁部材２０に設けられる免震ジョイント４であって、アスファルト乳剤、硬化材および高吸水性材料を含む混合組成物の硬化層６を壁部材２０の間隙に介在させてなる免震ジョイント４としている。 - 特許庁 - Between a p-gate diffusion region 23 on the left side and a p-gate diffusion region 23' on the right side on an n-type silicon substrate, and in between the CH1 and the CH2, a channel isolation region 29 is formed of an oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon film 35a doped with phosphorus.
そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。 - 特許庁
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