「In Isolation」を含む例文一覧(3112)
＜前へ 1 2 .... 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 次へ＞- In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.
半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる - 特許庁 - The method for producing an indolylazaphthalide compound (6) comprises converting a quinolinecarboxylic acid derivative (1) to an quinolinecarboxylic anhydride (2), successively reacting the quinolinecarboxylic anhydride without isolation with an indole derivative (3) in one pot to obtain a pyridinecarboxylic acid derivative (4), and then reacting the pyridinecarboxylic acid derivative with an aniline derivative (5).
キノリン酸誘導体（１）をキノリン酸無水物誘導体（２）に変換後、これを取り出すことなく引き続きワンポットでインドール誘導体（３）と反応させてピリジンカルボン酸誘導体（４）を得、次いでアニリン誘導体（５）と反応させることを特徴とするインドリルアザフタリド化合物（６）の製造方法。 - 特許庁 - The angle of inclination of an element isolation trench provided to a semiconductor substrate such as an SOI substrate or the like is set at an angle of 88 degrees or 89 degrees, and an insulating material where NSG(non- doped silicate glass) or HTO(high-temperature oxide film) and NSG are laminated is grown and buried in the trench.
ＳＯＩ基板等の半導体基板に形成する素子間分離用のトレンチの傾斜角度を８８度、あるいは８９度に形成し、かつ減圧ＣＶＤ法によりＮＳＧまたはＨＴＯとＮＳＧとが積層された絶縁材料を成長してトレンチ内に埋設する。 - 特許庁 - To provide a switching device that has almost no loss in a signal transmission circuit, enables to easily take impedance matching while allowing isolation during cut-off to be sufficiently obtained, and is capable of reducing manufacturing costs; and to provide a signal transmission circuit device using the switch device, and a switching method for the signal transmission circuit device.
信号伝送回路での損失が少なく、かつ、カットオフ時のアイソレーションが十分に取れると共にインピーダンス整合がとり易く、製造コストを低減できるスイッチ装置、そのスイッチ装置を用いた信号伝送回路装置、そのスイッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - (2) All views on a drawing or photograph must (a) be of sufficient quality to permit the features of the design to be identified clearly and accurately; (b) clearly and accurately show the article to which the design is applied; and (c) show the article in isolation.
(2) 図面又は写真による図はすべて，次のものでなければならない。 (a) 意匠の特徴をはっきりと正確に確認することができる のに十分な品質のものであること (b) 意匠が適用される物品をはっきりと正確に示していること，及び (c) 物品を単独で示していること - 特許庁 - When a plurality of steam drier banks are divided into a radius-directional center side and an outer peripheral side of an isolation wall, the steam drier banks installed in the center-side region are configured to reduce pressure loss more than the steam drier banks installed on the outer peripheral side.
本発明は、複数の蒸気乾燥器バンクを隔離壁の半径方向中心側及び外周側に分けた時、中心側の領域に設置された蒸気乾燥器バンクは、外周側に設置された蒸気乾燥器バンクに比べて圧力損失を低下させる構造にすることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an elevator with moving members for isolation of pets which can eliminate or reduce the uneasiness given to the passengers by allowing a pet to ride on the elevator together with the passengers without installing a trunk in an elevator car and enabling a space for containing the passengers to be enlarged when the pets do not ride on the elevator car.
エレベータかごにトランクを設けることなく、ペットが同乗することにより人に不安を感じさせることをなくすことができるかまたは少なくでき、かつ、ペットが乗っていない場合に人が乗る空間を広くできるペット隔離用移動部材付エレベータの提供。 - 特許庁 - An auxiliary wiring 14 is formed on the periphery of the first electrode 13 in such a manner as to be insulated from the first electrode 13, and an isolation insulating portion 15 having a first opening 15A exposing the first electrode 13 and a second opening 15B exposing the auxiliary wiring 14 is formed.
第１電極１３の周囲には、第１電極１３に対して絶縁性を保って補助配線１４が形成されており、第１電極１３を露出させる第１開口１５Ａと補助配線１４を露出させる第２開口１５Ｂとを有する分離絶縁部１５が形成されている。 - 特許庁 - To provide an isolation film forming method in a semiconductor device capable of improving the reliability of a process and the electric characteristics of the device by forming a dual slant angle at the top corner of a trench during the forming process of the trench and preventing concentration of an electric field and occurrence of a moat.
トレンチの形成過程でトレンチの上部コーナーに二重傾斜角を形成して電界の集中及びモウトの発生を防止することにより、工程の信頼性及び素子の電気的特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - An insulating film 11 is provided in a region from the top face of a word line 5x which is the closest to a plurality of the first injection diffusion layers 7a among a plurality of the word lines 5 to the end of the first injection diffusion layer 7a side of the diffusion bit line 2 and the element isolation region 8.
複数のワード線５のうち、複数の第１の注入拡散層７ａに最も近いワード線５ｘの上面上から拡散ビット線２の第１の注入拡散層７ａ側の端部上及び素子分離領域８上に至る領域に絶縁膜１１が設けられている。 - 特許庁 - After an isolation trench 21 is formed in a stripe shape on a compound semiconductor layer 1 formed on a sapphire substrate 20, a plated layer 6 is formed on an entire surface of the compound semiconductor layer 1, so that the plated layer 6 can be used as a support substrate after releasing the sapphire substrate 20.
サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a semiconductor device using a material becoming a sacrifice polymer having a hardness under room temperature indispensable in a semiconductor process and suitable for forming an air isolation structure between the interconnect lines of semiconductor elements by thermally decomposing completely at a relatively low temperature.
半導体プロセスにおいて必須である、室温での硬度を有し、同時に比較的低温で完全に熱分解して、半導体素子の配線間にエアアイソレーション構造を形成するために好適な犠牲ポリマーとなる材料を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a toner containing a polyester resin and wax, superior in fixability and thin-line reproducibility, and capable of stably forming high quality images over prolonged period of times without generating isolation phenomenon of the wax, and to provide a method of manufacturing such toner and an image forming method.
ポリエステル樹脂およびワックスを含有し、定着性および細線再現性に優れ、しかも、ワックスの遊離現象などを発生させずに、高画質な画像を長期間にわたって安定的に形成することができるトナーおよびトナーの製造方法並びに画像形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide an antenna device provided with a transmission antenna and a reception antenna formed on a dielectric substrate, which is capable of greatly improving isolation between the transmission antenna and the reception antenna with a simple structure in comparison with conventional techniques, and to provide a structure thereof.
誘電体基板上に形成された送信アンテナと受信アンテナを備えたアンテナ装置において、送信アンテナと受信アンテナとの間のアイソレーションを従来技術に比較して簡単な構造で大幅に改善することができるアンテナ装置とその構造を提供する。 - 特許庁 - For forming a plurality of semiconductor elements over an insulating surface, in one continuous semiconductor layer, an element region serving as a semiconductor element and an element isolation region having a function to electrically isolate element regions from each other by repetition of PN junctions are formed.
絶縁表面上に複数の半導体素子を形成するために、連続した一つの半導体層中に半導体素子として機能する素子領域と、ＰＮ接合の繰り返しにより素子領域間を電気的に分離する機能を有する素子分離領域を形成する。 - 特許庁 - To provide an oscillator and a rubidium atomic oscillator that can hold the high isolation of both a multiplication circuit and an oscillation amplifier high by a simple constitution by providing filters on the multiplication circuit side and oscillation amplifier side, respectively, and is reduced in adjustment cost by shortening an adjustment time.
逓倍回路側と発振増幅器側にそれぞれフィルタを備えることにより、簡単な回路構成で両回路のアイソレーションを高く保つことが可能となり、調整時間を短縮して調整コストの低減を図った発振器及びルビジウム原子発振器を提供する。 - 特許庁 - The invention allows the identification of these sites in human interleukin-6 and the isolation of variants having, with respect to the wild type hormone, a greater affinity for the specific receptor (superagonists and superantagonists) or affinity for gp 130 reduced or abolished (antagonists and superantagonists).
本発明は、ヒトインターロイキン−６のこれらの部位の同定と、野性型ホルモンに関して、特異的受容体について高親和性を有する（スーパーアンタゴニスト）か又はｇｐ１３０に対する親和性が低下しているか又は全くない（アンタゴニストおよびスーパーアンタゴニスト）変種の単離を可能にする。 - 特許庁 - The abutting face of the isolation member 58 is so disposed that it is offset in the direction becoming closer to the other side than the abutting face of the hard-elastic member 59.
この防振手段は軟弾性の防振部材５８と硬性の当接部材５９とで構成して、前記バッファカセット５又は前記ストッパ５７の何れか一側に配設するものとし、防振部材５８の当接面は該当接部材５９の当接面よりも他側に近接する方向にオフセットされて配置されている。 - 特許庁 - In an element forming region surrounded by an isolation film 15, an insulation oxide layer 16B is formed selectively by oxidizing a gallium nitride semiconductor layer grown on the carrier supply layer 14, and a gate electrode 17 is formed on the insulation oxide layer 16B.
素子分離膜１５に囲まれた素子形成領域には、キャリア供給層１４の上に成長した窒化ガリウムからなる半導体層が酸化された絶縁酸化層１６Ｂが選択的に形成され、絶縁酸化層１６Ｂ上には、ゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁 - The unit body 1 includes a positioning groove 53 to which a front end of an isolation plate separator for isolating the space for containing the power lines from the space for containing the signal lines in the switch body is fitted at a position between the power terminal part 42 and the signal terminal part 38 on the rear side.
器体１は、後面における電源端子部４２と信号端子部３８との間の位置に、スイッチボックス内において電源線を収納する空間と信号線を収納する空間とを隔離する板状の絶縁セパレータの前端部が嵌合する位置決め溝５３を有する。 - 特許庁 - As the input of DC voltage into the transformer 434 is stopped, the driving circuit 420 opens the plurality of switches S1 and S2 in the inverter circuit 430, forming electrical isolation between the capacitor C1 and the transformer 434, which prevents voltage oscillation and stores the energy into the capacitor C1.
直流電圧の変圧器４３４への入力が止められると、駆動回路４２０はインバータ回路４３０内で複数のスイッチＳ１、Ｓ２を開き、コンデンサＣ１と変圧器４３４との間に電気的絶縁を形成し、電圧発振を防ぐとともにエネルギーをコンデンサＣ１に蓄える。 - 特許庁 - The (base isolation structure) block product and the block structure strong against vibration without collapsing the joining part of the block product, can be provided by installing recessed-projecting cylindrical packing made of a rubber or resilient raw material in a joint part.
ジョイント部分にゴムまたは弾力性のある素材で出来た凹凸ある円筒状のパッキンを取りつけることにより、ブロック製品の接合部が壊れにくく、振動に強い（免震構造）特徴を有するブロック製品およびブロック構造体を提供することを可能とした。 - 特許庁 - To continue linear amplification by keeping isolation between transmitting signals and preventing diffusion of adaptive predistortion processing even when one of high output amplifiers comprising a multi-port amplifier is failed in an adaptive predistortion type multi-port amplifier and a transmitting apparatus equipped with the same.
適応プリディストーション型マルチポート増幅器及びそれを備えた送信装置に関し、マルチポート増幅器を構成する各高出力増幅器の中の１つが故障した場合でも、各送信信号の間のアイソレーションを保ち、適応プリディストーション処理の発散を防ぎ、線形増幅を継続可能にする。 - 特許庁 - To provide a friction damper capable of exerting sufficient damping performance against vibration energy, even if the excessive vibration energy exceeding vibration energy absorbing capability related to a damping device acts to a building construction, in a seismic isolation structure including the damping device.
減衰装置を含む免震構造において、前記減衰装置に係る振動エネルギの吸収能力を超える過大な振動エネルギが建築構造物に作用したとしても、該振動エネルギに対する十分な減衰性能を発揮することが可能なフリクションダンパを提供する。 - 特許庁 - Similarly, the MOS transistor M12 is provided, at a boundary to the active region AR2 of the trench isolation oxide film 21, with a groove GP surrounding the active region AR2 and a gate electrode 32A is buried in the groove GP through the gate oxide film 30.
また、ＭＯＳトランジスタＭ１２においても、トレンチ分離酸化膜２１の活性領域ＡＲ２との境界部分において活性領域ＡＲ２を囲むように溝部ＧＰが配設され、ゲート電極３２Ａは溝部ＧＰにもゲート酸化膜３０を間に挟んで埋め込まれている。 - 特許庁 - The trench isolation insulating film 4 is embedded through the SOI layer 3 in a central portion and reaches an oxide film 2 to form a completely isolated structure, and has a merged isolated structure which forms a partially isolated structure by containing the SOI layers 3 at its lower parts at both edges thereof.
トレンチ分離絶縁膜４は、中央部分においてはＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に達して完全分離構造となり、両端縁部においては、その下部にＳＯＩ層３を有して部分分離構造となった併合分離構造を有している。 - 特許庁 - In the isolation insulation film 4, the upper surface of a periphery 4b provided around the active region 1b is positioned below the upper surface of the active region 1b, and the upper surface of a periphery 4c provided around the active region 1c is positioned below the upper surface of the active region 1c.
素子分離絶縁膜４では、活性領域１ｂの周辺に位置する周辺部分４ｂの上面が活性領域１ｂの上面よりも下方に位置し、活性領域１ｃの周辺に位置する周辺部分４ｃの上面が活性領域１ｃの上面よりも下方に位置している。 - 特許庁 - In an infusion container 16 with a plurality of separate rooms 8, 9 divided by a communicable isolation means 1, the infusion 13 is injected into the separate room 8 and a discharge region 2 is arranged therein, and the separate room 9 is equipped with an injection region 4 but is a vacant room.
連通可能な隔離手段１で区切られた複数の分室８，９を備えた輸液容器１６において、分室８には輸液１３が注入されておりそして排出部位２を備えており、分室９は注入部位４を備えているが空室となっている。 - 特許庁 - To provide a damping device for sufficiently developing the primary effect of a base isolation device while more quickly damping vibration by properly rotating a rotor including a nut member relative to a screw rod to selectively adjust the position of a fixed outer cylinder in the axial direction of the rod.
スクリューロッドに対してナット部材を含むロータを適宜回転させることで、かかるロッドの軸方向における固定外筒の位置を任意に調整し、振動をいち早く減衰させ、免震装置本来の効果を十分に発揮させることが可能な減衰装置を提供する。 - 特許庁 - An element area 122 is formed in a part of the active layer 106 of an SOI substrate 100 wherein a p-type base layer 102, an embedded insulating layer 104, and an active layer 106 are stacked, and an element area isolation insulating wall 124 is formed around the element area.
ｐ型基層１０２と埋め込み絶縁層１０４と活性層１０６が積層されているＳＯＩ基板１００の活性層１０６の一部に素子領域１２２が形成されており、素子領域を一巡する素子領域分離用絶縁壁１２４が形成されている。 - 特許庁 - A power factor improving circuit for regenerating switching output current obtained in the primary winding N1 of the power isolation transformer PIT as power and feeding it back to a rectified current path into which a switching diode D1 is inserted, and a clamp circuit for reducing withstand voltage of the switching element are also provided.
また、絶縁コンバータトランスＰＩＴの一次巻線Ｎ1に得られるスイッチング出力電流を電力として回生してスイッチングダイオードＤ1が挿入された整流電流経路に帰還する力率改善回路、さらには、スイッチング素子の耐圧を低減するためのクランプ回路を備える。 - 特許庁 - To provide a locking device for a base isolation building, being excellent in reliability of operation while maintaining the advantages of a powder chamber type locking device so that a sufficient locked condition can be achieved, and not requiring much space under the floor of the building so that it will not interfere with degrees of freedom of building design.
粒状体チャンバ式のロック装置の長所を活かしたまま、動作信頼性に優れ、充分なロック状態を得ることができ、しかも、建物の床下スペースを多く必要とすることがなく、建物の設計の自由度を損ねることがない免震建物のロック装置を提供すること。 - 特許庁 - At least one of the upper and lower flange plates 22 is constituted of an outer plate 24 attached to the structure 12 or the structure 14 with the bolts B and having a hole 28 formed on the inside thereof, and an inner plate 26 attached to the seismic isolation laminated rubber 10 and movably inserted in the hole 28.
上下のフランジプレート２２の少なくとも一方が、構造体１２または構造体１４にボルトＢで取着され内側に孔２８が形成された外側プレート２４と、免震用積層ゴム１０に取着され孔２８に移動可能に挿入された内側プレート２６とで構成されている。 - 特許庁 - A superconducting coil without impregnating resin uses, as an inter-isolation layer sheet, fiber cloth whose dynamic friction coefficient against stainless steel, in a temperature range of 280K or more and 300K or less, is 0.04 or more and 0.14 or less, and whose thickness is 0.01 mm or more and 10 mm or less.
２８０Ｋ以上３００Ｋ以下の温度領域にてステンレスとの動摩擦係数が０．０４以上、０．１４以下、厚みが０．０１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下である繊維布帛を絶縁層間シートとして用いてなることを特徴とする樹脂非含浸超電導コイル。 - 特許庁 - A continuous insulating layer 115, provided with the refractive index smaller than the refractive index of the refractive index structure of the laser 120 and the refractive index structure of the light-detecting unit 110 is contained, and as a result, electrical isolation can be accomplished without deterioration in optical characteristics.
レーザ（１２０）の屈折率構造及び光検出器（１１０）の屈折率構造の両方が有する屈折率よりも小さい屈折率を備えた連続絶縁層（１１５）が含まれ、これによって光学的特性を劣化させることなく電気的分離が実現される。 - 特許庁 - To provide a radio-active waste disposal container with its life extended for therein safely holding nuclides for a long time, a radio-active waste disposal container system excelling in external environment isolation property while having a corrosion progress diagnosis function for the disposal container without human approach, and a deterioration diagnosis method.
長期間処分容器内に核種を安全に保持すること、放射性廃棄物処分容器の外部環境遮断性に優れ、かつ人が近づくことなく放射性廃棄物処分容器の腐食進行診断機能を有すること、容器の寿命を向上させること等を目的とする。 - 特許庁 - An isolation layer 6 for preventing the diffusion of base metallic materials constituting an internal electrode 1 is arranged on almost the whole face or one face of the part other than the part functioning as an element of a ceramic layer 2 (2a and 2b) being the outermost layer in the laminated direction of the internal electrode 1.
内部電極１の積層方向において最外層となるセラミック層２（２ａ，２ｂ）の、素子として機能する部分以外の部分の、略全面に又は部分的に、内部電極１を構成する卑金属材料の拡散を防止するための遮断層６を配設する。 - 特許庁 - The optical recording medium is provided with a recording cell section having a structure where a lower protective layer, a phase change recording layer using a reversible phase change between an amorphous phase and a crystal phase, and an upper protective layer are laminated in this order on a substrate, and an isolation layer for isolating each cell.
基板上に下部保護層、非晶質相と結晶相の間の可逆的相変化を利用した相変化記録層、上部保護層の順に積層された構造を有する記録セル部と各セルを隔離するための隔離層で構成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁 - The base-isolation foundation structure of the building is characterized as follows: isolators 3 are arranged at four corners, respectively; foamed synthetic resin blocks 4 are arranged in portions except the isolators 3, respectively; and the concrete building foundation 5 is arranged on the top surfaces of them, and connected to the isolators 3.
四隅にアイソレータ３を配置するとともに、該アイソレータ３を除く部分に発泡合成樹脂ブロック４を配置し、それらの上面にコンクリートの建築物基礎５を配設し、かつ、該建築物基礎５を前記アイソレータ３に連結したことを特徴とする建築物の免震基礎構造とした。 - 特許庁 - To provide a structure for joining a pile and a footing together, which brings about a base isolation effect by absorbing bending moment of a pile head portion by elongation of a portion unanchored to filling reinforcement concrete installed in the hollow portion of the pile, when a horizontal force acts on the pile head portion during earthquakes.
地震時に杭頭部に水平力が作用した際に、その曲げモーメントを杭中空部内に設置した中詰め補強鉄筋のコンクリートとの非定着部の伸びで吸収して免震効果を生じせしめるようにした杭とフーチングの接合構造を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a high-frequency semiconductor integrated circuit which is kept high in high-frequency isolation characteristics and capable of restraining unnecessary connections from being made through an epitaxial layer where vias or pads are formed, even when the pads or through vias are provided on a silicon substrate where the epitaxial layer of low resistivity has been formed.
抵抗率の低いエピタキシャル層を形成したシリコン基板にパッドや貫通ビアを形成しても、パッドや貫通ビアのエピタキシャル層を介した不要な結合を抑圧することができ、高周波アイソレーション特性を確保できる高周波半導体集積回路を提供する。 - 特許庁 - By using a pair of upper and lower cutters 31, 32, 33, 34, isolation parts 5 which stretch inside the radial direction as far as the core 3 and isolates the coating 7 of the peeling part 6 from the coating 2 of the other part toward the length direction of the wire 1 are formed in both end portions of the recessed trench 4.
次いで、上下一対のカッタ３１，３２，３３，３４により、芯線３まで半径方向内側に延びて皮剥き部６の被覆７をその他の部分の被覆２から電線１の長手方向に分離する分離部５を凹溝４の両端部にそれぞれ形成する。 - 特許庁 - To provide a position and velocity detector detecting the revolution angle, revolution number, etc., of a rotor by arranging the rotor isolated with an isolation wall outside the wall and a detecting rotor rotating in synchronization without contact and arranging a detector noncontact on the detecting rotor.
隔壁外にこの隔壁で隔てた回転体と無接触で同期して回転する検出回転体を配置すると共に、この検出回転体と無接触に検出器を配して前記回転体の回転角及び回転数等の検出を行う位置及び速度検出装置を提供する。 - 特許庁 - To output only RF signals that are in opposite phase relation from both output terminals and to improve an isolation characteristic between the output terminals by providing a circuit which connects a transmission line having electric length of specified wavelength between resistances between output terminals of a balun.
単位ミクサ２６に入力されるＲＦ信号の位相が本来のＲＦ信号Ｂの位相からθだけずれてしまうため、単位ミクサ２５から出力されるＩＦ信号Ａと単位ミクサ２６から出力されるＩＦ信号Ｂの位相差が完全な逆相でなくなる状態が発生する。 - 特許庁 - A power factor improving circuit 10 is arranged to perform voltage feedback of a switching output produced in the primary winding N1 of the power isolation transformer PIT to a rectification current path through a power factor improving transformer VFT and a switching diode D1 chops a rectification current depending on the feedback voltage.
また、力率改善回路１０は、絶縁コンバータトランスＰＩＴの一次巻線Ｎ1に得られるスイッチング出力を、力率改善用トランスＶＦＴを介して整流電流経路に電圧帰還し、この帰還電圧に応じて、スイッチングダイオードＤ1が整流電流を断続するように構成する。 - 特許庁 - The driving force transmission gear apparatus counts a print processed number of pages of recording material, rotates an eccentric cam 52 by fixed angles by drive controlling a rotational driving source 53 according to the print processed number of pages and moves an isolation gear 42 in the direction of an arrow A and has it pushed to a driving gear 41 and a gear 43.
記録用紙の印字処理枚数を計数し、この印字処理枚数に応じて、回転駆動源５３を駆動制御することにより偏芯カム５２を一定角度ずつ回転させ、遊離ギア４２を矢印Ａの方向に移動させ駆動用ギア４１及びギア４３に押し付ける。 - 特許庁 - In measurement, the profit, share, and customer relation of the virtual model store are set, the price of the 'credit' by assuming the above factors is decided, and the evaluated sum of the 'credit' of each VC is measured according to the degree of isolation from the model store, and the customer relation is quantatively indexed according to the future profit.
測定においては架空のモデル店の利益、シェア、顧客リレーションを設定し、それを前提とする「のれん」の相場を決定し、モデル店からの乖離度合いに応じて各ＶＣの「のれん」の評価額を測定し、未来利益が顧客リレーションを定量的に指数化する。 - 特許庁 - The element isolation region is formed by selective addition of an impurity element of at least one or more kinds of oxygen, nitrogen, and carbon and an impurity element that imparts an opposite conductivity type to that of the adjacent element region to electrically isolate elements from each other in one continuous semiconductor layer.
素子分離領域は、連続した一つの半導体層において、素子間を電気的に分離するために、選択的に酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上の不純物元素及び接する素子領域と逆導電型を付与する不純物元素を添加して形成する。 - 特許庁 - In the semiconductor device capable of rewriting the circuit by changing connections between elements, an element isolation region is divided into a plural of blocks 3-1 to 3-3 by a reconfiguration control clock 1, and the rewriting of the circuit between elements of each block can be independently performed from other blocks.
素子間の接続を変更して回路書き換え可能な半導体装置において、再コンフィギュレーション制御ブロック１によって回路書き換え可能な素子領域を複数のブロック３−１〜３−３に分割し、各々のブロックの素子間の回路書き換えを他のブロックとは独立に行えるようにする。 - 特許庁 - The underground base isolation wall 4 has a width D of 0.2 to 2.5 m and is made of the clay-based material which is a mixture of bentonite and water having a bentonite effective dry density of 300 to 1200 kg/m^3 in a region filled with the mixture.
地中免震壁４の壁幅Ｄは、０．２〜２．５ｍであり、地中免震壁４を構成する粘土系材料は、ベントナイトと水の混合物であり、この混合物からなる材料で満たされている領域がベントナイト有効乾燥密度で３００〜１２００ｋｇ／ｍ^３とした。 - 特許庁
