「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • To provide a vibration isolation mount assembly capable of favorably materializing a cylindrical bracket made of light weight material such as aluminum alloy enabling to accurately position a second attachment member in relation to the cylindrical bracket in a direction perpendicular to an axis while adopting a structure fitting the second attachment member of the mount main body into the cylindrical bracket with clearance.
    マウント本体の第二の取付部材を筒状ブラケットに対して隙間をもって嵌め入れる構成を採用しつつも、第二の取付部材を筒状ブラケットに対して軸直角方向で高精度に位置決めすることが可能とされて、アルミニウム合金等の軽量材製の筒状ブラケットの実用化が有利に図られ得る、新規な構造の防振マウント組立体を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide an output power control technology whereby the forward isolation in a standby state of a high frequency power amplifier (power module) can be improved, wherein the high frequency power amplifier controls an output power by making a bias voltage applied to a control terminal of a high frequency power amplifier element constant so as to change an operating voltage (power voltage) in response to a signal for instructing an output level.
    高周波電力増幅素子の制御端子に印加されるバイアス電圧を一定にして、出力レベルを指示する信号に応じて動作電圧（電源電圧）を変化させて出力電力を制御する高周波電力増幅器（パワーモジュール）において、スタンバイ状態におけるフォワードアイソレーションを向上させることができる出力電力制御技術を提供する。 - 特許庁
  • In the MOS semiconductor device which is formed in an element region defined by element isolation regions 14 formed on a semiconductor substrate 8, covering parts 10 are provided for covering at least ends 22 of the element region, and the covering parts 10 are made of the same material as the material 10 of the side walls of a gate 12.
    半導体基板８上に形成された素子分離領域１４で画定された素子領域内に形成されたＭＯＳ型の半導体装置において、前記素子領域の端部２２を少なくとも覆うための被覆部１０を設け、この被覆部１０を前記半導体装置のゲート１２の側壁の材料１０と同一の材料で形成したことを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a hydrazine immobilized substance that causes hydrazine to be immobilize in small contents without use of a great deal of a polymer, causes hydrazine to be isolated from the immobilized substance at a high speed, excels in durability, and causes a device simple due to easy isolation of hydrazine from the immobilized substance, as well as to provide a method for producing free hydrazine by isolating hydrazine from the immobilized substance.
    ポリマーを多量に使用する必要がなく、従って小さな容量でヒドラジンを固定化可能で、固定化したヒドラジンの遊離のスピードが速く耐久性にも優れ、しかも、簡便に固定化したヒドラジンの遊離が可能であるため装置を簡便にできるヒドラジン固定化物、及び、該固定化物からヒドラジンを遊離して遊離のヒドラジンを生成する方法を提供する。 - 特許庁
  • To inexpensively construct base isolation structure for a general dwelling house and the like in an earthquake, suppress sideward flow of a soil to prevent excessive deformation generated in a building when liquefaction is generated although a soil cement wall does not reach always to a non- liquefaction stratum, and conduct execution at a low cost.
    この発明の第１の目的は、地震時における一般住宅等の免震を低廉なコストで施工できるようにすることであり、この発明の第２の目的は、ソイルセメント壁が非液状化層まで必ずしも達していないが、液状化が発生した場合に地盤の側方流動を抑制し、建物に生じる過大な変形を防止すること、および低コストで施工できるようにすることである。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.
    本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁
  • The image sensor according to an embodiment includes a first substrate 100 where a lower interconnection 110 and the circuitry are formed, a crystalline semiconductor layer bonded to the first substrate 100 in contact with the lower interconnection 110, the photodiode 210 formed in the crystalline semiconductor layer to be electrically coupled to the lower interconnection 110, and an element isolation film 222 formed in the photodiode 210.
    実施の形態によるイメージセンサは、下部配線１１０と回路が形成された第１基板１００と、前記下部配線１１０と接触しながら前記第１基板１００とボンディングされた結晶半導体層と、前記結晶半導体層内に前記下部配線１１０と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオード２１０と、前記フォトダイオード２１０内に形成された素子分離膜２２２と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • The emergency building isolation equipment has an expandable structure folded in layers, a shielding body capable of covering the upside of the building, in expanded state, a shield body expanding means for expanding the shielding body from folded state to expanded state using gas pressure generated by combustion of gunpowder and a shielding body guiding means for guiding the expanding shielding body in the upward direction.
    積層状に折り畳まれた伸縮可能な構造を有し、伸長した状態で建造物の上方を覆うことができる遮蔽体と、火薬の燃焼により発生するガス圧力を利用して、前記遮蔽体を縮んだ状態から伸長した状態にする遮蔽体伸長手段と、伸長する前記遮蔽体を建造物の上方方向に誘導する遮蔽体誘導手段とを有することを特徴とする建造物緊急遮断設備。 - 特許庁
  • To provide a measuring apparatus which can precisely, simply, and quickly specify measuring pattern species, measure a film thickness and process end points in a film eliminating process and a film forming process, for a substrate having a pattern structure constituted of various pattern species, a substrate in an STI(shallow trench isolation) process and a substrate in a Cu process in which a barrier metal layer exists.
    様々なパターン種から構成されるパターン構造を有する基板、更にＳＴＩ工程の基板及びバリアメタル層の存在するＣｕ工程の基板に対しても、測定しているパターン種（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ）の特定、膜厚の測定、膜の除去工程、成膜工程に於ける工程終了点の測定を精度良く、簡便、且つ高速に行うことができる測定装置及び測定方法及びこの測定装置を用いた研磨装置及びこの測定方法を用いた研磨方法を提供すること。 - 特許庁
  • A drain region of the N-type MOS transistor for protection against ESD is electrically connected to a drain contact region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region via a drain extension region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region disposed on a side face and a lower face of a trench isolation region.
    ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は、トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。 - 特許庁
  • The antenna device includes: an antenna element part; a signal branching filter which is electrically connected to the antenna element part; and a signal synthesis part electrically connected to the signal branching filter, wherein the signal branching filter separately takes out two signals in a differential mode and a common mode to be generated in the antenna element part by maintaining high isolation, and the signal synthesis part synthesizes the two taken-out signals by providing desired phase difference.
    本発明のアンテナ装置は、アンテナエレメント部と、アンテナエレメント部と電気的に接続される信号分波器と、信号分波器に電気的に接続された信号合成部とを備え、信号分波器は、アンテナエレメント部に発生するディファレンシャルモードとコモンモードの２つの信号を高いアイソレーションを維持して別々に取り出すことができ、信号合成部は、取り出された２つの信号に所望位相差を与えて合成する。 - 特許庁
  • The method for producing 1,4,7,10-tetraazacyclododecane (cyclene) by cyclotetramerizing of benzylaziridine comprises: forming benzylaziridine by reacting benzylethanolamine with sulfuric acid in situ; tetramerizing it without isolation into tetrabenzylcyclene in the presence of 0.25-0.35 mol of a strong acid selected from the group consisting of p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and sulfuric acid, and removing the benzyl groups by hydrogenation.
    ベンジルアジリジンの環状四量体化による１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン（シクレン）の製造方法であって、ベンジルエタノールアミンを現場で硫酸と反応させることによりベンジルアジリジンを形成し、ベンジルアジリジンを単離することなく、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸又は硫酸より選ばれる、０．２５〜０．３５モルの強酸の存在下においてテトラベンジルシクレンに四量体化し、そして水素化によってベンジル基を除去することを含む方法。 - 特許庁
  • In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal.
    素子分離としてのＳＴＩ形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりＳＴＩ段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のＳＴＩ突き出し量の差が同程度になるようにした。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can uniformly and completely remove variations in the thickness of a silicon oxide film, after the silicon oxide film is deposited on an entire semiconductor substrate and then the silicon oxide film other than that embedded within grooves for STI (fine trench isolation) is removed by chemical and mechanical polishing(CMP).
    半導体基体全面にシリコン酸化膜を堆積した後、ＳＴＩ用の溝内に埋め込まれているシリコン酸化膜以外のシリコン酸化膜をＣＭＰ法により除去する際に、そのシリコン酸化膜の膜厚に厚薄のバラツキがあっても、均等に且つ完全に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A semiconductor optical device 100 is equipped with a current injection region 112 and a current non-injection region 114 in the optical axis direction of an optical waveguide layer 102, where an isolation groove 116 for electrically isolating the regions 112 and 114 from each other is provided between the regions 112 and 114.
    光導波路層１０２の光軸方向に電流注入領域１１２と電流非注入領域１１４とを有する半導体光素子１００において，前記電流注入領域１１２と前記電流非注入領域１１４との間には，前記両領域間１１２，１１４を電気的に分離するための分離溝１１６が形成される。 - 特許庁
  • This allows the high-quality silicon oxide layer to be formed regardless of being formed at the low temperature, and uniformity of the thickness of the silicon oxide layer to be within 30% on the silicon surface of the side wall section of the recess in the element isolation region.
    シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 - 特許庁
  • The inventors have eagerly searched physiologically active substances obtained from various microorganisms to consequently success in isolation of novel cyclic compounds exhibiting excellent antimicrobial activities on a bacterium belonging to the genus Propionibacterium or on a phlogogenic bacterium of a periodontal disease from an actinomyces belonging to the genus Streptomyces and further found that these compounds exhibit antiinflammatory actions also.
    本発明者らは、様々な微生物から得られる生理活性物質について鋭意探索した結果、ストレプトミセス属に属する放線菌より、プロピオニバクテリウム属菌種や歯周病起炎菌種に優れた抗菌活性を有する新規な環状化合物を単離することに成功し、更にこれらの化合物は抗炎症作用をも有することを見出した。 - 特許庁
  • A production method of o-aminophenyl ketones of formula I [wherein, R is a 3-6C alkyl group or a 1-6C haloalkyl group] is provided, wherein, a corresponding nitrile (R-CN) is reacted with borontrihalide to form a complex and the complex is reacted with aniline in the presence of a Lewis acid to obtain the objective substance at a high yield without requiring a complex isolation step.
    ［式中、ＲはＣ_３−Ｃ_６シクロアルキルまたはＣ_１−Ｃ_６ハロアルキルである］のｏ−アミノフェニルケトン類の製造方法であって、該当するニトリル（Ｒ−ＣＮ）をボロントリハライドと反応させて錯体を形成し、ルイス酸の存在下でアニリンと反応させることにより、煩わしい単離工程を必要とせず、高い収率で目的物を得ることができる。 - 特許庁
  • To prevent a deposition rate from being lowered, in a film forming apparatus for laminating a thin film, having an isolation region for isolating atmosphere between a first treatment region which is provided along a circumferential direction of a turntable with a substrate mounted thereon and is supplied with a first reaction gas and a second treatment region to which a second reaction gas is supplied.
    基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。 - 特許庁
  • A gate electrode 4c of the read transistor RTr is shared among a plurality of memory cells MC arrayed in a predetermined direction, and the gate electrode 4c is parted into a plurality of gate electrodes 10 which have an element isolation structure 2 being a stress relaxing structure for relaxing stress acting on an annular active region 3a and each have a gate length of ≤100 μm.
    リードトランジスタＲＴｒのゲート電極４ｃは、所定方向に並ぶ複数のメモリセルＭＣに共有されており、ゲート電極４ｃは、素子分離構造２が環状の活性領域３ａに及ぼす応力を緩和する応力緩和構造であって、各々ゲート長が１００μｍ以下である複数のゲート電極１０に分断されている。 - 特許庁
  • The concrete foundation 1 of the building is supported on the ground 2 through a foamed resin plate 4, upper and lower slip sheets 5, 5 in the overlapping state are interposed between the foamed resin plate 4 and a ground foundation 3, and horizontal shaking caused by the earthquakes brings about the slip between the upper and lower slip sheets 5, 5 so as to apply the base isolation to the building.
    建物のコンクリート基礎１が発泡樹脂板４を介して地盤２上に支承されると共に、該発泡樹脂板４と地盤基礎３との間に、重ね合わせ状態にした上下の滑りシート５，５が介設され、地震による横揺れによって上下の滑りシート５，５間に滑りを生じて建物が免震されるようになされている。 - 特許庁
  • The base isolation device includes: laminated rubber 3 fixed to an upper structure 2 and slidably supported through a sliding support (a sliding plate 4) relative to a lower structure 1; and a deformation constraining steel pipe 5 coaxially arranged outside the laminated rubber 3 in a state of securing a clearance 6 between the laminated rubber 3 and fixed to the upper structure 2.
    上部構造２に固定されかつ下部構造１に対して滑り支承（滑り板４）を介して滑り可能に支持された積層ゴム３と、積層ゴム３との間にクリアランス６を確保した状態で積層ゴム３の外側に同軸状態で配置されて上部構造２に固定された変形拘束用鋼管５とを備える。 - 特許庁
  • To provide a device and a method for machining a workpiece that allow quick and efficient machining and straightening of, for example, a workpiece such as a flange, constituting a base isolation member or the like, without requiring a skilled worker's technique, and further, achieve improvement in machining accuracy and the amount of straightening with respect to distortion and deflection of a steel material as a material to be machined compared with the conventional machining method.
    例えば免震部材等を構成するフランジ等のワークを熟練者の技術を必要とせず、短時間で効率的に加工・矯正することが可能であり、さらに、従来の加工方法に比べ、材料の鋼材の歪み・撓みに対する加工精度・矯正量が良好となるようなワーク加工装置およびワーク加工方法を提供する。 - 特許庁
  • The RF amplifying unit is equipped with a cathode electrode formed on the substrate, a gate electrode formed at one side of and in isolation from the cathode electrode, an anode electrode formed at one side of the gate electrode, an electron emission source formed on the cathode electrode, and a reflection electrode formed on the upper portion of and parallel with the substrate.
    前記ＲＦ増幅部は、前記基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極の一側に離隔して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一側に形成されたアノード電極と、前記カソード電極上で形成された電子放出源と、前記基板の上方に前記基板と平行に形成された反射電極を備える。 - 特許庁
  • A short channel region 12 having polarity reverse to that of a low-concentration body region 10 and high in concentration is selectively formed between the low-concentration body region 10 becoming a channel and an element isolation film 4 and immediately under a gate oxide film 8, and a shape where only a part immediately under the gate oxide film 8 of the body region 10 is retracted toward a high-concentration source region 7 is provided.
    チャネルとなる低濃度ボディ領域１０と素子分離膜４の間かつゲート酸化膜８の直下に選択的に低濃度ボディ領域１０と逆の極性で濃度が高いショートチャネル領域１２を設け、ボディ領域１０のゲート酸化膜８直下部分のみを高濃度ソース領域７側に後退させた形状を実現する。 - 特許庁
  • To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.
    本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
  • An image enhancing mask 6 for pattern formation includes a transmissive substrate which transmits exposure light and a semi-light-shielding portion 8 which is formed on the transmissive substrate and has transmittance allowing the exposure light to be partially transmitted and corresponds to an isolation line pattern, and a phase shifter 9 which is provided at an opening in the semi-light-shielding portion 8.
    パターン形成用のイメージ強調マスク６は、露光光に対して透過性を有する透過性基板７と、透過性基板７上に形成され、露光光の一部分を透過させる透過率を持ち且つ孤立ラインパターンと対応する半遮光部８と、半遮光部８の内部の開口部に設けられた位相シフター９とを備えている。 - 特許庁
  • In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".
    ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁
  • Then, when the display of a prediction vibration value is instructed, vibration at a position where the vibration isolation device has been disposed is calculated for prediction, based on a database for each of the input distance from the construction position, construction type, and a construction machine type stored in advance, thus displaying prediction results and the evaluation reference value on a display (120-126).
    そして、予測振動値の表示が指示された場合に、入力された工事位置からの距離、及び工事種、並びに予め記憶された建設機械種毎にデータベースに基づいて、嫌振装置が配置された位置における振動を算出することによって予測し、予測結果及び評価基準値をディスプレイに表示する（１２０〜１２６）。 - 特許庁
  • To provide a digital cordless telephone system that meets the requirements of DCT standards, that can quickly switch between a transmit function and a receive function, that can utilize a non-switched frequency synthesizer for receive and transmit functions, that provides significant isolation between a transmit component and a receive component and that can be implemented in an IC form.
    ＤＣＴ規格の要件を満たし、送信機能と受信機能との間で素早く切換えることが可能であり、受信及び送信機能のために非切換周波数シンセサイザを使用することができ、送信構成要素と受信構成要素との間に著しい分離を与え、かつＩＣの形式で実現可能なデジタルコードレス電話システムを提供する。 - 特許庁
  • A plurality of local select oxide films 4 are formed in a region surrounded by a select oxide film 2 for element isolation serving as an element separation region, and also there is formed the capacitance element configured by sequentially laminating a lower electrode 5, a dielectric film 6 and an upper electrode 7 which are curved along a rugged shape of the local select oxide films 4.
    素子分離領域であって素子分離用選択酸化膜２に囲まれた領域に、複数の局所的選択酸化膜４を有するとともに、局所的選択酸化膜４の凹凸形状に沿って湾曲する下部電極５、誘電体膜６、及び、上部電極７を順次積層した構造の容量素子を設ける。 - 特許庁
  • A battery charging system 10 which charges the battery of an electric automobile connected to a battery charging probe by means of a diode bridge and fourth element capacitors 16a and 16b is provided with a voltage source 11 and a plurality of battery chargers 20 connected in parallel with the source 11, and each battery charger 20 is provided with a serial tank circuit and an isolation transformer 14.
    ダイオード・ブリッジと第４の素子コンデンサとにより充電プローブに結合された電気自動車のバッテリを充電するバッテリ充電システム１０は、電圧源１１と、この電圧源１１に並列に接続された複数のバッテリ充電器２０とを備え、バッテリ充電器２０の各々は直列タンク回路と絶縁変成器１４とを備える。 - 特許庁
  • For instance, when an element isolation insulating film is formed, a silicon nitride film (CMP stopper film) 8 is formed on the recessed face of a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged surface) 7, and then a process where a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged layer) 7 in a disused region is polished is provided.
    例えば、素子分離用絶縁膜を形成する際に、酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７の特定の凹面に窒化ケイ素膜（ＣＭＰ用ストッパ膜）８を形成した後に、ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７を研磨する工程を有するものである。 - 特許庁
  • In this base isolation frame, first and second guide means 7, 8 absorbing vibration are constituted of guide rails 21 having guide grooves 21c, 21d formed along peripheral surface longitudinal directions of opposed positions and sliders 22 storing a plurality of balls 30 fitting and inserting into these guide grooves 21c, 21d and rolling along these guide grooves 21c, 21d.
    震動を吸収する第１および第２のガイド手段７、８を、相対向する位置の周面長手方向に沿って形成されたガイド溝２１ｃ、２１ｄを有するガイドレール２１と、このガイド溝２１ｃ、２１ｄ内に嵌挿し、このガイド溝２１ｃ、２１ｄに沿って転動する複数のボール３０を収容したスライダー２２とから構成した。 - 特許庁
  • The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.
    本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁
  • In the bipolar transistor using the temperature characteristics of the forward voltage generated between emitter-base, a heavily doped region for a base electrode which is a second conductive type, and a heavily doped region for a collector electrode which is a first conductive type are directly contacted, the element area is reduced by not forming an unnecessary isolation region.
    エミッタ-ベース間に発生する順方向電圧の温度特性を利用するバイポーラトランジスタにおいて、第二の導電型であるベース電極用高濃度不純物領域と、第一の導電型であるコレクタ電極用高濃度不純物領域とを直接に接触させ、不要な分離領域を形成しないことで素子面積を縮小する。 - 特許庁
  • To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.
    シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁
  • By taking such structure, the radiation plate small in size can be designed, and since a first and second feed ports 2, 3 are disposed at positions to make orthogonal the segments between the center of the radiation plate 1 and the feed ports 2, 3 at the center of the plate 1, the isolation between the ports is made possible to secured.
    このような構造を取ることにより、放射板１を小型に設計することができるとともに、第１の給電ポート２および第２の給電ポート３が、放射板１の中点と各給電ポート２，３を結んだ各線分が放射板１の中点において直交するような位置に配置されているため、ポート間アイソレーションを確保することが可能となる。 - 特許庁
  • To instantly and definitely release the fixation between a structure and a foundation during earthquake without making generating malfunction during weak vibration and further reducing the cost with a relatively simple construction by fixing the structure and the foundation in ordinary times thereby avoiding the vibration of the structure due to wind and also by the seismic isolation equipment operating for common use against the wind and the earthquake.
    通常時には構造物と基礎を固定して風等で構造物が振動しないようにし、地震時には免震装置を作動させる風・地震共用免震装置において、地震時に構造物と基礎の固定を瞬間的に確実に解除でき、弱い振動では誤動作することがなく、しかも比較的簡易な構造でコストの低減を図れるようにする。 - 特許庁
  • To provide a slide plate of a sliding base isolation device which prevents a sleeve bearing from coming off from the slide plate by gradually regulating the moving range of the sleeve bearing sliding in contact with the sliding face by making the frictional coefficient of the slide face of the sliding plate larger at the outer peripheral part than at the central part.
    すべり板のすべり面の摩擦係数を中心部より外周部が大きくなるように構成することによって、このすべり面に当接されて摺動する摺動支承の移動範囲を徐々に制限して該摺動支承がすべり板から外れることを防止するようにしたすべり式免震装置のすべり板を提供する。 - 特許庁
  • In the semiconductor device having a plurality of element formation regions divided by isolation separation trenches on a semiconductor substrate, pairs of electrodes are arranged on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate to be separated from each other, and a pn column region is provided on the semiconductor substrate as a region for forming dual-face electrode elements through which currents flow between the electrodes.
    絶縁分離トレンチにより、半導体基板において複数の素子形成領域が区分された半導体装置であって、対をなす電極が半導体基板の表面と該表面の裏面に分けて配置され、電極間に電流が流れる両面電極素子の形成領域として、半導体基板にｐｎコラム領域を設けた。 - 特許庁
  • A semiconductor device 10 has a trench 12 which is formed in a surface part of a silicon substrate 11 and has an isolation oxide film 13 inside, a plurality of element formation regions 10A wherein a surface of the silicon substrate 11 is divided by the trench 12, and a gate wiring 15 which extends on the trench 12 and the element formation region 10A.
    半導体装置１０は、シリコン基板１１の表面部分に形成され内部に素子分離酸化膜１３を有するトレンチ１２と、トレンチ１２によってシリコン基板１１の表面部分が区画された複数の素子形成領域１０Ａと、トレンチ１２及び素子形成領域１０Ａ上に延びるゲート配線１５とを有する。 - 特許庁
  • To provide a restoring mechanism for a base isolation device, for preventing the resonance between the vibrations of the ground and a superstructure caused by an earthquake while supporting the load of the superstructure, and also for surely restoring the swinging of a building to an original position in a short time by the simple mechanism when the vibration due to the earthquake is over.
    上部構造物の荷重を支持しつつ、地震により生じる地盤の振れと上部構造物が共振しないようにすると共に、地震による振動が収まった時に、建物の揺れを簡単な機構によって短時間で確実に元の位置まで復元させることができる免震装置における復元機構を提供する。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 having a major surface, a trench 2 made in the substrate 1, and an isolation region comprising an insulation film filling the trench 2 and having a part 4 projecting from the major surface where slopes 5a-5c are formed from the top of the projecting part 4 to the major surface of a basic body.
    主表面を有するシリコン基板１と、この基板１内に形成された溝２と、この溝２内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部４を有し、かつこの突出部４の頂部から基体の主表面にかけてスロ−プ状５ａ〜５ｃとなっている絶縁膜から成る素子分離領域を有する。 - 特許庁
  • The gate electrode of the first high-voltage insulated-gate field effect transistor and the gate electrode of the second high-voltage insulated-gate field effect transistor are connected in common over the first element isolation insulating film, and the impurity concentration of the second impurity diffusion layer is higher than that of the first impurity diffusion layer.
    第１の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と第２の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とは、第１の素子分離絶縁膜上に跨って共通に接続されており、第２の不純物拡散層の不純物濃度は、第１の不純物拡散層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
  • To provide a radar system capable of enhancing receiving sensitivity and further surely preventing saturation of a receiver or increase in a noise index at a receiving end by using one antenna for transmitting and receiving, thereby enabling further miniaturization, and further suppressing leak signal from a transmitting end to the receiving end, thereby further enhancing the isolation degree between transmitting and receiving.
    一つのアンテナを送受信に兼用することで更なる小型化を可能にすると共に、送信端から受信端への漏れ信号を更に抑制することで送受信間の隔離度を更に高め、それにより、受信感度を高め、かつ、受信機の飽和や受信端での雑音指数の増加を更に確実に防止できるレーダシステムを提供する。 - 特許庁
  • The rubber composition for a seismic isolation structure contains a high-cis isoprene rubber having a cis-isomer content of ≥90 mass% as a main rubber component, wherein the ratio of the high-cis isoprene rubber to the total rubber component is ≥50 mass% and the ratio of the cis-isomer in the high-cis isoprene rubber is 90-99 mass%.
    シス形の含有割合が９０質量％以上の高シス−イソプレンゴムを主なゴム成分として含有することを特徴とする免震構造体用ゴム組成物であり、高シス−イソプレンゴムが全ゴム成分の５０質量％以上であり、高シス−イソプレンゴムのシス形の含有割合が９０〜９９質量％である免震構造体用ゴム組成物。 - 特許庁
  • (6) The Health, Labour and Welfare Minister shall hear the views of the council and others (institutions set forth in Article 8 of the National Government Organization Law: Act No. 120 of 1948) specified by a Cabinet Order beforehand when the Minister determines the case pursuant to Item 2 or Item 3 (limited to cases where more than thirty days have elapsed from the start of the isolation).
    ６　厚生労働大臣は、第二項の裁決又は第三項の裁決（隔離の期間が三十日を超える者に係るものに限る。）をしようとするときは、あらかじめ、審議会等（国家行政組織法（昭和二十三年法律第百二十号）第八条に規定する機関をいう。）で政令で定めるものの意見を聴かなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The gate electrode 15 comprises a first portion, which is arranged on the active region 11a via the gate insulating film 13, consisting of a silicide region on the limited entire region in the thickness direction; and a second portion which is prepared on the element isolation region 12, consisting of silicon region and the silicide region, formed so that it covers the silicon region.
    ゲート電極１５は、活性領域１１ａ上にゲート絶縁膜１３を介して設けられ、厚さ方向における全領域がシリサイド領域からなる第１の部分と、素子分離領域１２の上に設けられ、シリコン領域及び該シリコン領域を覆うように形成されたシリサイド領域からなる第２の部分とを有している。 - 特許庁
  • To provide a base isolation method for an exsisting building by filling adhesives such as epoxy resin, etc., in spaces between cut faces such as a column and a footing of the exsisting building and top/bottom face plates of a base isolator to effectively utilize an accurately cut face and easily fitting the base isolator with low vibration, low noise, and a short construction term.
    精度良く切断した面を有効利用するべく、既存建物の柱や基礎等の切断面と免震装置の上下部面板との間にエポキシ樹脂等の接着剤を充填して軽便に免震装置を取り付けることができ、ひいては、低振動、低騒音、短工期で実施可能な既存建物の免震化工法を提供する。 - 特許庁
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