「Pattern Formation」を含む例文一覧(2870)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 57 58 次へ＞- To provide an image formation device which can extend the life of a semiconductor laser diode by reducing a laser emission time when generating a sensor pattern for processing.
プロセス用センサパターン生成時のレーザ発光時間を低減し、半導体レーザダイオードの寿命を延長することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an inspection method of a pattern formation body capable of easily detecting defects of patterns having different wettability.
本発明は、容易に濡れ性の異なるパターンの欠陥を検出することができるパターン形成体の検査方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - COATER, METHOD AND DEVICE FOR MANAGING LIQUID LEVEL THEREOF, MANUFACTURING METHOD AND PATTERN FORMATION FOR RESIST FILM ATTACHED SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK
塗布装置、その液面レベル管理方法及び管理装置、レジスト膜付基板の製造方法及びパターン形成方法、並びにフォトマスクの製造方法 - 特許庁 - To finally form a pattern at optional size when patterns are formed by conducting exposure treatment plural times between resist film formation and development.
レジスト膜形成処理と現像処理との間に複数回の露光処理を行うパターン形成処理において、最終的に所望の寸法のパターンを形成する。 - 特許庁 - To facilitate correction of correction parameters, corresponding to the measurement data of each measurement item, such as resist thickness and development line width, in a resist pattern formation device.
レジストパターン形成装置において、レジスト膜厚や現像線幅等の各測定項目の測定データに対応する補正パラメータの補正作業を容易にすること。 - 特許庁 - By utilizing a cured layer of the composition for fine pattern formation formed by the method, other patterns being made finer can be formed.
この方法により形成された、微細パターン形成用組成物の硬化層を利用することで、別の微細化されたパターンを形成させることもできる。 - 特許庁 - To provide a printed-circuit board for reducing crosstalk noise and at the same time densely performing wiring, and a wiring pattern formation method on the printed-wiring board.
クロストークノイズを低減しつつ配線を高密度に配設することができるプリント回路基板およびプリント回路基板における配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - PHOTORESIST MONOMER AND ITS PRODUCTION, PHOTORESIST COPOLYMER AND ITS PRODUCTION, PHOTORESIST COMPOSITION, FORMATION OF PHOTORESIST PATTERN AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子 - 特許庁 - PHOTORESIST MONOMER, ITS PRODUCTION, PHOTORESIST COPOLYMER, ITS PRODUCTION, PHOTORESIST COMPOSITION, FORMATION OF PHOTORESIST PATTERN AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ—ン形成方法、および、半導体素子。 - 特許庁 - In the pattern formation method, the silicone rubber layer of the blanket is swollen by a solvent, and the swollen silicone rubber layer has an ink layer.
前記ブランケットのシリコーンゴム層を溶媒により膨潤させ、膨潤させたシリコーンゴム層にインキ層を備えたことを特徴とするパターン形成方法とする。 - 特許庁 - FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, POLYMERIZABLE FLUORINE-CONTAINING MONOMER, FLUORINE-CONTAINING POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL USING THEM, PATTERN FORMATION METHOD, AND PRODUCTION METHOD FOR FLUORINE-CONTAINING COMPOUND
含フッ素化合物、含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物、それらを用いたレジスト材料とパターン形成方法、及び含フッ素化合物の製造方法 - 特許庁 - To provide a gray-scale mask that is advantageous for simplifying manufacturing processes of a display device and for formation of a pattern.
本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for realizing a formation of a resist pattern having a minimum size of less than an exposure wavelength (1/2) by simultaneously satisfying a resolution and a focal depth.
解像度と焦点深度とを同時に満たし、露光波長の（１／２）未満の最小サイズを持つレジストパターンを形成し得る方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a scale that can abbreviate a pattern formation process and has the same functions as conventionally, and to provide an inexpensive optical detector using the scale.
パタン形成工程が省略可能であり、かつ従来と同じ機能を持つスケール、およびこのスケールを用いた安価な光学式検出器を提供する。 - 特許庁 - Here, the auxiliary layer is not dissolved due to the formation of a passive film and it becomes possible to form the pattern by the protective functional layer dissolving.
ここで補助層は不動態膜が形成されることにより溶出することはなく、保護機能層が溶出することによりパターニングすることが可能となる。 - 特許庁 - To provide an advertisement distribution system and an advertisement distribution method which permits advertisement formation conforming with a behavior pattern of an objective person on a moving path of the objective person.
対象者の移動経路上において、その行動様式に合わせた広告が可能な広告配信システムおよび広告配信方法を提供する。 - 特許庁 - Some of core members 4a and 4b and coil pattern 3 of a coil unit 1 are mounted in the part-mounting inhibiting region α for the formation of the coil unit 1.
この部品搭載禁止領域αにコイル装置１のコア部材４ａ，４ｂおよびコイルパターン３の一部分を入り込ませてコイル装置１を形成する。 - 特許庁 - In case the pattern formation has not been completed, a stage 5 is transferred to a predetermined position under a drawing unit 3 by step S9 as a stage transfer process.
パターンが完成していない場合は、ステージ移動工程としてのステップＳ９によって、ステージ５を描画ユニット３の下の所定の位置に移動する。 - 特許庁 - To provide the formation of a resist pattern which is improved to the extent such that the resist profile of chemically amplified resist can be controlled.
化学増幅型レジストのレジストプロファイルをコントロールすることかできるように改良された、レジストパターンの形成方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - To provide a resist composition giving a resist film with high etching durability and reduced LWR (line width roughness) in EUV lithography that can achieve formation of an ultrafine pattern.
極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、エッチング耐性が高く、ＬＷＲを低減したレジスト膜を与えるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - A filter forming device for forming a filter film 6 of a fixed pattern on an inner surface 4 of a face is equipped with a main machine for paint-film formation and a conveyor 11.
フェース内面４に所定パターンのフィルター膜６を形成するフィルター形成装置は、塗膜を形成する主機と、搬送コンベヤ11とを備える。 - 特許庁 - A pattern formation means 3 which is arranged on the optical axis of the light source 2 and which is used to form slit light on the basis of the light from the light source 2 is installed.
光源２の光軸上に配置され、上記光源２からの光からスリット光を形成するためのパターン形成手段３を設ける。 - 特許庁 - To provide a method for upgrading the throughput of a block copolymer for self-formation by annealing it as used in creating a pattern of manufacturing process, etc. of a semiconductor device.
半導体装置の製造プロセス等のパターン形成に用いられるブロックコポリマーのアニーリングによる自己組織化のスループットを向上できる方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent false recognition of a chip coordinate correction value due to an unstabilized electrical contact test of an inspection start chip, caused by defective pattern formation in a wafer outermost circumference.
ウェハ最外周でのパターン形成不備による検査スタートチップの電気接触試験の不安定化によるチップ座標補正値の誤認識を防止する。 - 特許庁 - To provide a colored curable composition capable of forming a colored cured film with less dependence on developing time in pattern formation and with high light resistance.
パターン形成における現像時間の依存性が小さく、耐光性の高い着色硬化膜を形成しうる着色硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁 - During the formation of a contact hole 5 is formed on an interlayer insulating film 10, a decrease in a contact area with a contact plug 13 can be prevented if the dislocation of a pattern occurs.
層間絶縁膜１０にコンタクトホール５を形成する際に、パターンずれが発生してもコンタクトプラグ１３との接触面積の低下を防止できる。 - 特許庁 - To suppress the lowering of productivity as compared with the constitution that a detecting pattern is erased at every formation thereof even when the positional shear of an image to be formed is detected.
形成される画像の位置ずれを検知した場合でも、検出パターンが形成される毎に消される構成に比して、生産性の低下を抑制する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a polymeric LED, and the polymeric LED obtained by the method, facilitating area enlargement and cost reduction and allowing pattern formation.
大面積化や低コスト化が容易で、パターン形成が可能な高分子ＬＥＤの製造方法およびそれにより得られる高分子ＬＥＤを提供する。 - 特許庁 - To provide a process for manufacturing a device which can eject droplets onto predetermined positions in the formation of a predetermined pattern on a substrate using a multi-nozzle head.
マルチノズルヘッドを用いて基板上に所定のパターンを形成する際、所望の位置に液滴を吐出できるデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To deposit materials with which fine pattern formation is difficult to an easily patterned state by etching and other conventional techniques.
エッチングやその他の従来の手法により、微細パターン形成が困難な材料を容易にパターニングした状態に成膜することができるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a uniform, flat element isolation region, without depending on the formation pattern of the element isolation region.
素子分離領域の形成パターンに依存せず、均一で平坦な素子分離領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When changing the value of resistance, only the alumina wiring pattern is changed, and connection is made to another contact corresponding to a target value of resistance for formation.
抵抗値を変更する場合には、アルミ配線パターンだけを変更して、目的とする抵抗値に対応した別のコンタクトに接続して形成される。 - 特許庁 - A non-crosslinked negative resist is used for the formation of the pattern of the word line in a nonvolatile semiconductor storage device and an alternate phase inverted arrangement of a phase-shift exposure is performed on the negative resist.
不揮発性半導体記憶装置のワード線のパターン形成に非架橋系ネガレジストを用い、交互位相反転配置の位相シフト露光を行う。 - 特許庁 - To provide a method for processing a substrate which realizes the formation of a desired resist pattern by suppressing the reaction of a chemical amplification type resist film and a conductive film.
化学増幅型レジスト膜と導電性膜との反応を抑制して、所望のレジストパターンの形成を実現する基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - To surely realize enhancement in wiring flexibility, formation accuracy of a conductor pattern and connection reliability due to improvement in the resistance to a roughening solution.
配線自由度の向上、導体パターンの形成精度の向上、及び耐粗化液性等の改善による接続信頼性の向上を確実に図ること。 - 特許庁 - Printing paper 4 transferred to the peeling roller 23 is subjected to formation of a concave part 32 in the groove part 31 and has an axial wavy pattern.
剥離ローラ２３へ搬送されてきた印刷用紙４は、溝部３１において凹状部３２が形成され、剥離ローラ２３の軸方向へ波形の形状をなす。 - 特許庁 - To provide a mold allowing the mold to be easily stripped from a resin, its manufacturing method, and a pattern formation method by an imprint method.
樹脂からモールドを容易に剥離することが可能なモールドおよびその製造方法、ならびにインプリント法によるパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which enables easy pattern formation of an interlayer insulation film for a capacitor having a high dielectric constant and high heat resistance by photolithography.
高誘電率、高耐熱のキャパシタ用の層間絶縁膜をフォトリソグラフィーにより容易にパターン形成できる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - Openings 11A are provided to a copper foil 11 placed on a base film 12 by pattern etching, and the copper foil 11 on the base film 12 is subjected to a blackening treatment for the formation of the electromagnetic shielding film 10.
基材フィルム１２上の銅箔１１にパターンエッチングにより開口１１Ａを形成した後、黒化処理を施した電磁波シールド性フィルム１０。 - 特許庁 - The speed fluctuation pattern updating processing can be executed thereby, even if executing an image formation operation, such as a single rotation of the intermediate transfer belt 8.
これにより、中間転写ベルト８が一回転するような画像形成動作が行われなくても、速度変動パターン更新処理を実施することのできる。 - 特許庁 - A trench pattern is formed in the element formation area 3 on the surface layer part of the semiconductor substrate 2, so as to isolate areas for forming the respective elements.
素子形成領域３において、半導体基板２の表層部には、各素子が形成される領域を分離するためのトレンチパターンが形成されている。 - 特許庁 - To suppress the generation of ruggedness on a line edge of a gate electrode in the gate lengthwise direction in pattern formation by the etching of the gate electrode using a polysilicon.
ポリシリコンを用いたゲート電極のエッチングによるパターン形成において、ゲート電極ゲート長方向のラインエッジにおける凹凸の発生を抑制する。 - 特許庁 - In the formation method of resist pattern, the chemically amplified resist film 4 comprising a silicon dioxide film 2, an antireflection film 3 and the acid generator is formed on a semiconductor substrate 1.
半導体基板１の上に二酸化シリコン膜２、反射防止膜３および酸発生剤を含む化学増幅型のレジスト膜４を形成する。 - 特許庁 - A first insulating layer 2 is formed and bonded on a circuit formation surface of a semiconductor element 1, on which a first circuit pattern 3 is formed.
半導体素子１上の回路形成面に、第１の絶縁層２が形成・接着され、その上面に第１の回路パターン３が形成されている。 - 特許庁 - To provide an electron beam exposure apparatus which can improve throughput and the accuracy of a formation pattern during partial batch exposure.
部分一括露光において、スループットの向上を図るとともに、形成パターンの精度を向上させることのできる電子ビーム露光装置を提供すること。 - 特許庁 - Formation pattern of the electrodes 6 is symmetric about X-X axis parallel to longer side of the substrate 3 and each of the electrodes 6 has the same thickness.
電極６の形成パターンは基板３の長辺に平行な軸Ｘ−Ｘについて対称であり、電極６夫々の厚さは同一である。 - 特許庁 - A pattern formation area Z1 is virtually divided into respective cells each of 16 rows × 16 columns, a dot D is selectively formed to each the divided cell.
パターン形成領域Ｚ１は、１６行×１６列の各セルに仮想的に分割され、その分割された各セルに対して選択的にドットＤが形成される。 - 特許庁 - To prevent a substrate from being shaved through oxidization by allowing a silicon substrate not to be oxidized when removing a photosensitive resin used for pattern formation of an ion implantation area.
イオン注入領域をパターン形成した感光性樹脂を除去する時に、シリコン基板を酸化させないことで、酸化による基板の削れを抑制する。 - 特許庁 - To provide a polyimide silicone having a film excellent in fine pattern formation, film characteristics, and reliability as a protective film.
微細なパターン形成、フィルム特性や、保護膜としての信頼性に優れた皮膜を有するポリイミドシリコーン、感光性樹脂組成物及びパターン形成方法を提供。 - 特許庁 - To provide a coating liquid for forming a transparent conductive film capable of the pattern formation (trimming) and laser baking of the transparent conductive film by applying laser beams.
レーザー光線照射による透明導電膜パターン形成（トリミング）やレーザー焼成が可能な透明導電膜形成用塗布液を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
