「Pattern Formation」を含む例文一覧(2870)
＜前へ 1 2 .... 37 38 39 40 41 42 43 44 45 .... 57 58 次へ＞- The sand blast treatment or the dry etching treatment is carried out until the overcoat film 3 disappears, and after fluctuations in film thickness are made uniform within ± 5%, pattern formation is carried out on that exothermic body film 2c.
オーバーコート膜３がなくなるまでサンドブラスト処理又はドライエッチング処理し、膜厚のばらつきを±５％以下に均一化した後、その発熱体膜２ｃにパターン形成する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition reduced in surface roughness in etching and a positive resist composition excellent also in resolving power and defocus latitude in contact hole pattern formation.
エッチング時の表面荒れが低減されたポジ型レジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュードにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To form solder part and the solder grains on each conductor pattern, a paste containing the solder grains is screen printed and the solder grains are heat melted to facilitate formation.
導体パターン上に上記半田部分や半田粒を形成するには、半田粉含有ペーストをスクリーン印刷し、半田粉を加熱溶融させることにより、簡単に形成することができる。 - 特許庁 - The storage part 211 stores laser output data to change emission intensity of a laser beam in one line of a main scanning direction depending on concentration alternation in an image formation result of a pattern image.
記憶部２１１は、パターン画像の画像形成結果における濃度変化に応じて主走査方向の１ライン内でレーザビームの発光強度を変更させるレーザ出力データを記憶する。 - 特許庁 - To provide a thin film pattern formation apparatus with which curved flight droplets of a liquid material are completely eliminated in the case the droplets of the liquid material make a curved flight.
液体材料の液滴の飛行曲がりが生じた場合に、該飛行曲がり液体材料の液滴を消滅させることができる薄膜パターン形成装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The changing of the base line position or the correction of the needle location data is possible according to the fabric for sewing and therefore the formation of the good- quality pattern stitches which are aesthetically excellent is possible.
縫い付けようとする布地に従って、基線位置の変更あるいは針落ちデータの補正ができるので、美観的にも優れた良質なパターン縫い目の形成が可能となる。 - 特許庁 - To provide a circular knitting machine for producing a plush knit, designed so as to improve the probability of pattern formation not only at the position at which a plush yarn is present but also at the position at which a ground yarn is present.
プラッシュ糸のある個所だけでなく、地糸のある個所でのパターンの可能性を向上するように設計した、プラッシュ編地を製造するための丸編み機を提供すること。 - 特許庁 - In addition, the formation of the tracking pattern p is effective not only in a secondary transfer system in fixing, but also in all fixing systems which are low in resolution and perform selective heating.
またそれだけでなく、このような追跡パターンｐの形成は、定着上二次転写方式だけでなく、解像度の低い選択的な加熱を行う定着方式全般に有効である。 - 特許庁 - To provide a small-sized, light-weighted surface light source device in which a gap between a light guide plate and a frame is eliminated, and the formation or the like of an interference pattern of light is eliminated.
この発明は、導光板とフレーム間の隙間をなくすとともに、光の干渉縞の発生等を無くし、しかも小型、軽量の面光源装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a resist material that has high sensitivity, high resolution, small line edge roughness even when silicon content is high, generates no residue, and is well-suitable for pattern formation of a high aspect ratio.
高感度、高解像度を有し、高い珪素含有率においてもラインエッジラフネスが小さく、残渣等の発生がない、特に高アスペクト比のパターンを形成するのに適したレジスト材料。 - 特許庁 - Also, a speed-checking pattern is determined according to the braking performance of this train of the four-car formation.
また、速度照査パターンは、この４両編成列車のブレーキ性能に応じてそのパターン形状が定められ、次停車駅のホーム終端にて列車速度がゼロになるように設定されている。 - 特許庁 - To provide an ink suitable to the formation of a circuit pattern such as an electroconductive circuit, which contains an electroconductive substance capable of conducting accurate printing and also contains a compound polymerizable with an active energy ray.
導電回路などの回路パターンの形成に適しており、精細な印刷の可能な導電物質および活性エネルギー線重合性化合物を含む導電性インキの提供。 - 特許庁 - To provide a novel photopolymerizable polysilane compound which has both photosensitivity and high transparency, and enables pattern formation of high accuracy having a high refractive index and good stability.
感光性を有するとともに高透明性を有し、高屈折率かつ熱安定性が良好な高精度のパターン形成を可能とする新規な光重合性ポリシラン化合物を提供すること。 - 特許庁 - The protective film pattern 3 is disposed on the same layer as the transparent electrode film 1 and is preferably formed of the same material as the transparent electrode film 1 upon the formation of the transparent electrode film 1.
保護膜パターン３は、透明電極膜１と同層上に設けられ、透明電極膜１の形成時に透明電極膜１と同じ材料で形成することが好ましい。 - 特許庁 - To shorten the processing time for photo proximity effect correction and to suppress an increase of TATs in formation of pattern data even if the variations in the line widths and base widths of photomask patterns increase.
光近接効果補正の処理時間の短縮を図り、フォトマスクパターンの線幅やスペース幅のバリエーションが増加しても、パターンデータの作成におけるＴＡＴの増加を抑制する。 - 特許庁 - This resist ink is used in resist pattern formation according to the direct resist drawing system and is characterized in that it is hardened by making contact with metal atoms on the surface of a substrate.
レジスト直描方式によるレジストパターン形成に用いられるレジストインクにおいて、基材表面の金属原子と接触することにより硬化する事を特徴とするレジストインクを用いる。 - 特許庁 - To solve both of coping to complicated shapes and uniformity on an exposure surface which are defects in conventional technology in pattern formation by the proximity exposure of photosensitive resist.
感光性レジストの近接露光によるパターン形成において、従来技術の欠点であった形状の複雑化への対応、及び露光面内の均一化を同時に解決すること。 - 特許庁 - The metal reflecting layer of the diffraction structure formation body having the metal reflecting layer conforming with the shape of the diffraction structure is provided in a pattern shape on the surface of the diffraction structure.
回折構造の形状に追従した金属反射層を有する回折構造形成体の金属反射層が、回折構造の面上にパターン状に設けられていること。 - 特許庁 - Provided are a positive resist composition comprising a polynuclear phenol compound having groups each having a sulfonate or sulfone bond and a pattern formation method using the composition.
（Ａ）スルホネート結合若しくはスルホン結合を有する基を有する多核フェノール化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 - 特許庁 - A copolymer having a specific acrylate monomer or methacrylate monomer as a principal structure is used as an antireflection film in the formation of an ultrafine pattern in the semiconductor production process.
特定のアクリレート系又はメタアクリレート系単量体を基本構造とする共重合体を、半導体の製造工程中、超微細パターンの形成時に反射防止膜に使用する。 - 特許庁 - By a photoengraving method, a photoresist 30 having a pattern in which the end of a gate structure 15 and the formation scheduled region of the photodiode 18 adjacent to the end are opened is formed.
写真製版法によって、ゲート構造１５の端部上、及び該端部に隣接するフォトダイオード１８の形成予定領域上が開口したパターンを有するフォトレジスト３０を形成する。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and excellent in PED stability in the formation of a contact hole pattern in the production of a semiconductor device.
半導体デバイスの製造におけるコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にＰＥＤ安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - To make an arrangement interval between a gate electrode MG of a memory cell transistor and a gate electrode SG of a selection gate transistor narrow through fine pattern formation of the gate electrodes MG and SG.
メモリセルトランジスタのゲート電極ＭＧと選択ゲートトランジスタのゲート電極ＳＧとの微細パターン形成で、ゲート電極ＭＧ−ＳＧ間の配置間隔を狭くできるようにする。 - 特許庁 - To reduce toner consumption and light emitting energy of a light emitting part during detection of the position or toner density of a toner pattern without lowering working efficiency in essential image formation when performing such detection.
トナーパターンの位置やトナー濃度の検出を行う際に、本来の画像形成の作業効率を低下させず、検出の際のトナー消費量・発光部の発光エネルギを低減する。 - 特許庁 - In addition, at formation of a wiring hole pattern a positive resist is used as a resist and wiring holes in the outer peripheral section of the wafer are crushed, by selectively heat-treating the outer peripheral section, after and development following the resist exposure.
また配線孔パターンを形成する際のレジストとしてポジレジストを用い、パターン露光後の現像後にウエハ外周部を選択的に熱処理しウエハ外周部の配線孔を潰す。 - 特許庁 - The high voltage output value of the primary electrostatic charge bias in the formation of a reference batch pattern is changed in accordance with the integrated time by referencing the data on a dark attenuation rate table.
暗減衰率テーブル上のデータを参照することで、この積算時間に基づいて基準パッチパターンの形成における一次帯電バイアスの高圧出力値が変更される。 - 特許庁 - In a halftone processing part 10, the N-ary processing based on the predetermined constraint information is applied to the calculated scan duty and a dot pattern to be a formation object is prepared.
ハーフトーン処理部１０８では、該算出された走査Ｄｕｔｙに対し、予め定められた制約情報に基づくＮ値化を施して形成対象となるドットパターンを作成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.
ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a building plate which facilitates formation of a building member such as a corner member that can easily match a pattern and a color with those of an external wall, to thereby prevent degraded appearance of the external wall.
柄や色合いを合わせやすいコーナー部材などの建築部材を容易に形成することができて外壁の外観の低下を防止することができる建築板を提供する。 - 特許庁 - To provide immersion type exposure method and apparatus capable of forming a required pattern by preventing image formation performance from being deteriorated due to the influence of polarization and securing prescribed contract.
偏光の影響による結像性能の劣化を防止して所定のコントラストを確保し、所望のパターンを形成することができる液浸型の露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - The method enables formation of a high-saturation, multi-gradation, complex pattern on a metal surface by irradiating the metal surface with the laser beam twice or more.
本方法では、レーザ光を金属表面上に２回以上の複数回照射することにより、彩度が高く色階調の多い複雑な紋様を金属表面に描くことが可能になる。 - 特許庁 - To provide a method for producing barrier ribs using a photosensitive paste, by which even a thick film can be subjected to pattern formation with small exposure energy (high sensitivity) and excellent productivity is achieved.
感光性ペーストを用いる隔壁の製造方法であって、厚膜でも低露光量（高感度）でパターン形成が可能であり、生産性に優れた隔壁の製造方法を提供する - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a ceramic green sheet which allows the formation of a fine conductor pattern on a substrate whose surface is applied with a mold release treatment, and also to provide a method of manufacturing a ceramic electronic component.
表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を形成できるセラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Pre-alignment is corrected in first pattern formation by using a photomask with plural transparent windows on a peripheral part of a wafer.
また、ウエファ周端部の品質上不完全領域にはパターンを形成しない方法ではウエファとフォトマスクの合わせずれの確認ができず、パターンずれが発生してしまう問題があった。 - 特許庁 - NEW COMPOUND, METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, INK, INK CARTRIDGE, RECORDING UNIT, INKJET RECORDING APPARATUS, RECORDING METHOD, LIQUID COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, ARTICLE, ENVIRONMENTAL HISTORY-DETECTING METHOD AND RECORDING MEDIUM
新規化合物とその合成方法、インク、インクカートリッジ、記録ユニット、インクジェット記録装置、記録方法、液体組成物、パターン形成方法、物品、環境履歴検知方法及び記録媒体 - 特許庁 - The pattern formation inhibition region 19 is spread from an outer rim of a dicing region 13 to an outer rim of a region where, in an exposure apparatus, the light passing through inside a blind enters.
パターン形成禁止領域１９は、ダイシング領域１３の外縁から露光装置においてブラインドの内側を通過した光が当たる領域の外縁までの領域である。 - 特許庁 - A second half-tone processing unit 110 executes binarization processing on the calculated scan duty based on predetermined constraining information and generates a dot pattern serving as an object for formation.
第２ハーフトーン処理部１１０では、該算出された走査Ｄutyに対し、予め定められた制約情報に基づく２値化を施して形成対象となるドットパターンを作成する。 - 特許庁 - The photosensitive film for circuit formation has a cushion layer, a photosensitive layer of 0.1 to 50 μm in thickness, and a cover film in order on a base film and the surface which comes into contact with the pattern mask does not contaminate the mask.
ベースフィルムの上に逐次クッション層、厚みが０．１〜５０μｍの感光層、カバーフィルムを有し、パターンマスクと密着する面がマスク汚染性のない回路形成用感光性フィルム。 - 特許庁 - To perform highly accurate processing in which punch-through of resist and striation due to resist damage are suppressed, in pattern formation by dry etching using a resist after the generation of ArF lithography as a mask.
ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において、レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁 - This article group stacking device 1 is provided with a liftable/lowerable conveyance means 11 receiving an article group A in an alignment pattern from an article group formation means 3 and conveying the article group A to a conveyance direction.
物品群積付け装置１は、物品群形成手段３から整列パターンの物品群Ａを受け入れて搬送方向に搬送する昇降可能な搬送手段11を備える。 - 特許庁 - To provide a resist pattern formation method that can decrease the sensitivity dependence on the immersion time and acid solution discharged amount into immersion solution, and that is suitable for immersion exposure.
レジスト感度の液浸時間依存性、および液浸液への酸溶出量を低減することが可能となる、液浸露光に好適なレジストパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a developer for a photosensitive polyimide precursor which prevents unevenness in pattern size in a wafer surface after development and can form uniform patterns in the same development time, in pattern formation of a polyimide precursor resin film, and to provide a developing method using the developer.
ポリイミド前駆体樹脂膜のパターン形成に際して、現像処理後にウエハ面内でパターン寸法にバラツキが無く、同一現像時間で均一なパターンを形成できる感光性ポリイミド前駆体用現像液及びこれを用いた現像処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified negative resist material which satisfies high sensitivity, high resolution and aging stability required by lithography in which fine pattern formation is required, particularly electron beam lithography and has excellent process adaptability and a good pattern shape.
微細なパターン形成が要求されるリソグラフィー、特に電子線リソグラフィーで求められる高感度、高解像度、経時安定性をより高いレベルで満たし、優れたプロセス適応性と良好なパターン形状を有する化学増幅型ネガ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a glass ceramic wiring board, where dimension precision and precision in the formation of a surface circuit pattern are high, a resistor pattern is formed, and covering by a thermosetting resin is not required in plating, by surely restricting the sintering shrinkage of a glass ceramic green sheet.
ガラスセラミックグリーンシートの焼結収縮を確実に拘束して、寸法精度および表面回路パターンの形成の精度が高く、抵抗体パターンが形成されており、メッキを施す際に熱硬化樹脂による被覆が不要なガラスセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁 - The method for forming an impurity diffusion layer includes a pattern formation step, whereby a pattern is formed by printing the diffusion agent composition onto a semiconductor substrate, and a diffusion step, whereby the impurity diffusion component (A) in the diffusion agent composition is diffused onto the semiconductor substrate.
また、不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上述の拡散剤組成物を印刷してパターンを形成するパターン形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a composite glass epoxy substrate, along with a metal multilayer substrate using the same, capable of satisfying such opposing demands for resin substrate flatness and wiring pattern adhesion strength, as required for fine wiring pattern formation using a rigid resin substrate.
リジッド樹脂基板を用いた微細な配線パターン形成において要求される、樹脂基板の平坦性と配線パターンの密着強度の二律背反の問題を解決するための複合ガラスエポキシ基板及びそれを用いた金属積層基板を提供する。 - 特許庁 - To improve the yield in a manufacturing process step by gently sloping the pattern sectional shape of the pattern formation performed by using selective etching by dry etching and abating a shorting defect in manufacturing a liquid crystal display device of an active matrix type.
アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の製造に際し、ドライエッチングによる選択エッチングを用いて行なったパタン形成のパタン断面形状をなだらかにし、ショート不良を低減することにより製造工程における歩留まりを向上すること。 - 特許庁 - The mail forming function 14 is constituted so as to be capable of selecting the quotation pattern from the main patterns A-E in the formation of a return mail to a prescribed received mail and also selecting the quotation pattern with the sub-patterns A-C composed to the main patterns.
メール作成機能１４では、所定の受信メールに対する返信メールの作成時に、主パタンＡ乃至Ｅの中から引用パタンが選択可能に構成され、また、副パタンＡ乃至Ｃを前記主パタンに複合させる選択も可能に構成されている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a double-sided photomask, wherein there is not risk that a light shielding pattern on a front surface is damaged by abnormal discharge when a light shielding film is formed on a rear surface after formation of the light shielding pattern on the front surface.
両面フォトマスクの作製方法において、表面に遮光パターンを形成した後、裏面に遮光膜を成膜するときに、異常放電による表面側の遮光パターンへのダメージ発生の恐れがない両面フォトマスクの作製方法を提供する。 - 特許庁 - Then, a pattern layer 20 is formed, and according to the pattern, an etch-stopping ion implantation layer 6, whose formation depth position from the first main surface of the second substrate 1 varies, is formed at a position shallower than that of the ion implantation layer 4 for peeling.
その後、パターン層２０を形成するとともに、そのパターンに応じた形で、第二基板１の第一主表面Ｊからの形成深さ位置がそれぞれ異なるエッチストップ用イオン注入層６を、剥離用イオン注入層４よりも浅い位置に形成する。 - 特許庁
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