「Patterned」を含む例文一覧(3853)

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  • An etching solvent 13 is placed on the substrate 10 and a light 15 which is patterned by using a mask 17 from a parallel light source 19 is emitted to the etching solvent 13, thereby manufacturing the acoustic lens.
    特に、エッチング溶剤13を基板10上に載せ、平行な光源19からマスク17を用いて作ったパターン化した光15を、エッチング溶剤13に照射して、音響レンズを製造する。 - 特許庁
  • To provide a method for making a patterned magnetic recording medium that includes a step of completely peeling etching resist on a magnetic layer having been used for etching the magnetic layer without causing magnetic characteristics of the magnetic layer to deteriorate.
    磁性層のエッチングに使用した磁性層上のエッチングレジストを、磁性層の磁気特性を劣化させること無く完全剥離する工程を含むパターン化磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • After the bonding point is set to the coordinate value of the island corresponding to the patterned position set to the selection state, and the effect of the bonding to the coordinate value is stored in the memory device (S5), the bonding is conducted.
    選択状態に設定されたパターン化位置に対応するアイランドの座標値にボンディングポイントを設定し、この座標値にボンディングする旨を記憶装置に記憶した後(S5)、のボンディングを行う。 - 特許庁
  • A major surface of a transparent substrate 11 made of quartz, calcium fluoride or the like transparent to exposure light has recesses patterned by engraving the surface, and a light shielding film 12 is disposed in the recess.
    露光光に対して透明な石英やフッ化カルシウムなどの透明基板11の主面に掘り込み形成された凹部がパターニングされており、この凹部に遮光性膜12が設けられている。 - 特許庁
  • The patterning device can give a pattern to the section of an radiation beam to form a patterned radiation beam, and the support has a support clamp structured to clamp the patterning device onto the support.
    パターニングデバイスはパターン化された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを与えることができ、支持体はパターニングデバイスを支持体にクランプするように構成された支持クランプを含む。 - 特許庁
  • The liquid crystal display device further includes a first metal layer 72 deposited on the gate insulating film 15 and patterned to provide a gate electrode 16 on the gate insulating film 15 opposed to a polysilicon layer 11 of parts becoming thin film transistors 4, 5.
    ゲート絶縁膜15上に成膜した第1の金属層72をパターニングして、薄膜トランジスタ4,5となる部分のポリシリコン層11に対向したゲート絶縁膜15上にゲート電極16を設ける。 - 特許庁
  • The 1st and 2nd lens arrays are mutually offset in a lateral direction by half the lens pitch so that the spot of S-polarized light may alternate with the spot of P-polarized light in a patterned retarder.
    第1および第2レンズアレイはレンズピッチの半分だけ互いに横方向にオフセットしており、パターン化リターダにおいてS偏光のスポットがP偏光のスポットと互い違いになるようになっている。 - 特許庁
  • To provide a foaming sugar-coated food patterned with mottles sustaining a foaming feeling over a long period of time, and having a good texture, excellent durability, and further a visual impact, and to provide a method for producing the same.
    発泡感が長く持続し、かつ食感が良好で、耐久性にも優れ、かつ視覚的インパクトも備えた斑模様入り発泡性糖衣食品及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.
    その後、パターニングしたレジスト膜FR2をマスクにしたイオン注入法により、露出しているnチャネル型MISFET形成領域NTRのポリシリコン膜PF1にアルゴン(Ar^+)を導入する。 - 特許庁
  • A semiconductor layer 20 and the metal layer 22 are patterned by etching through the etching resist 28 to form wiring 30 from the metal layer 22, and a part under the wiring 30 of the semiconductor layer 20 is left as it is.
    エッチングレジスト28を介して、半導体層20及び金属層22をエッチングによってパターニングして、金属層22から配線30を形成し、半導体層20の配線30下の部分を残す。 - 特許庁
  • To provide: a photosensitive resin composition which has high photoreactivity, can be patterned and can form a film with high hydrophobicity and excellent dielectric properties; a thin film of the composition; and a pattern forming method.
    光反応性が高くパターニングが可能であるとともに、疎水性が高く誘電特性に優れる被膜を形成できる感光性樹脂組成物とその薄膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an electrochromic composition which has favorable handleability and can be patterned by various coating methods, and an electrochromic element using the composition which is superior in productivity and free from liquid leakage.
    ハンドリング性が良好であり、様々な塗布法によるパターン形成が可能なエレクトロクロミック組成物及びこの組成物を用いた生産性に優れた漏液の少ないエレクトロクロミック素子を提供する。 - 特許庁
  • Then a light shielding film 23 is patterned so that the upper parts of the light receiving areas 3R, 3G, 3B are exposed and the upper whole surface of the CCD element 10 except the light receiving areas 3R, 3G, 3B is covered.
    次に、受光領域3R、3G、3Bの上方を露出させ、この受光領域3R、3G、3B以外のCCD素子10の上方全面を覆うように、遮光膜23をパターニングする。 - 特許庁
  • To provide a method for patterning a conductive film in which short circuit due to deposition of plating particles can be prevented when a conductive film is patterned by plating, and to provide a process for manufacturing a droplet ejection head.
    メッキによる導電膜パターンの形成時に、メッキ粒子の析出に起因するショートを防止した、導電膜パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a patterned medium wherein servo information is previously written in a manufacturing process and there is no need to write the servo information later, to provide a manufacturing method thereof, a mold thereof and a recording and reproducing device thereof.
    製造過程でサーボ情報が予め書き込まれ、後からサーボ情報を書き込む必要のないパターンドメディア、その製造法、その型材、及びその記録再生装置を提供することである。 - 特許庁
  • In the magnetic recording medium, a thin film first magnetic layer and a patterned second magnetic layer are continuously provided in a multiple magnetic layer so as to improve the recording density of the recording medium.
    磁気記録メディアの記録密度を向上させるために、薄膜形状の第1磁性層とパターン形状の第2磁性層とが連続して多重磁性層に構成される磁気記録メディアである。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing the optical device, a resist film 3 is patterned on the SiO_2 film 2 so as to satisfy 1.0≤L/H, where H represents the thickness of the SiO_2 film 2 and L represents the thickness of the resist film 3.
    この光デバイスの製造方法では、SiO_2膜2の厚さHとレジスト膜3の厚さとの関係が1.0≦L/Hを満たすようにしてSiO_2膜2上にレジスト膜3をパターン形成している。 - 特許庁
  • Then filter films 25R, 25G, 25B for transmitting only specific light out of light components received from a light source are respectively formed on the light transmitting film 21 exposed from the lower part of the patterned light shielding film 23.
    その後、このパターニングされた遮光膜23下から露出した光透過膜21上に、光源から受けた光のうち特定の光だけを透過させるフィルタ膜25R、25G、25Bをそれぞれ形成する。 - 特許庁
  • To obtain a Zener diode in which Zener zapping can be performed stably even when an epitaxial layer is made thin or elements are patterned finely and a semiconductor device having such a Zener diode.
    エピタキシャル層の厚さを薄くしたり、素子を微細化した場合でも安定してツェナーザッピングを行うことができるツェナーダイオードおよびこのようなツェナーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a laminate manufacturing method capable of suppressing a metal residue from occurring during etching processing and acquiring a laminate having a plating film including patterned copper excellent in linearity and adhesion.
    エッチング処理時における金属残渣の発生が抑制されると共に、直線性、および、密着性に優れるパターン状銅含有めっき膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • At least one organic EL layer constituting an EL element is patterned by a photo lithography method.
    上記目的を達成するために、本発明は、EL素子を構成する少なくとも1層の有機EL層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることを特徴とするEL素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • In one embodiment, a photosensitive cladding layer is exposed by chemical rays that transmit a first gray scale mask, is patterned, thereafter, is developed to define a groove having the curved major bottom surface within a layer.
    一実施例では、感光性クラッディング層が、第1グレースケールマスクを通過した化学線にさらされてパターニングされ、その後に現像され、湾曲した主底面を有する溝を層内に規定する。 - 特許庁
  • The insulating film 6 and the conductive film 5 are sequentially etched as a resist pattern 7 as a mask, a patterned insulating film 8 and the laminate of a gate electrode 9 of the high breakdown voltage transistor are formed.
    レジストパターン7をマスクとして絶縁膜6および導電膜5が順次エッチングされ、パターニングされた絶縁膜8および高耐圧トランジスタのゲート電極9の積層体が形成される。 - 特許庁
  • Then, the polycrystalline silicon film is patterned, a booster plate 22 is formed, and an etching stop layer 22a is formed on the upper face of each diffused layer region 16b of the drain side selection gate 16A.
    そして、その多結晶シリコン膜をパターニングして、ブースタープレート22を形成するとともに、ドレイン側選択ゲート16Aの各拡散層領域16bの上面にエッチングストップ層22aを形成する。 - 特許庁
  • Afterwards, a gate oxide film 8 is formed on the main surface side of the semiconductor layer 3, a polysilicon film is deposited on the gate oxide film 8, and a patterned gate electrode 9 is formed by utilizing a mask (Figure 1 (b)).
    その後、半導体層3の主表面側にゲート酸化膜8を形成し、ゲート酸化膜8上にポリシリコン膜を堆積させ、マスクを利用しパターニングされたゲート電極9を形成する(図1(b))。 - 特許庁
  • A patterning device for the mask etc., used for a photolithographic apparatus includes a blank layer, a layer of patterned opaque materials existing on the surface of the blank layer and a pellicle of perfluoropolyether (PFPE) liquid covering the surface.
    フォトリソグラフィ装置に使用するマスクなどのパターニング・デバイスは、素材層と、素材層の表面上にあるパターン状不透明材料の層と、表面を覆う過フルオロポリエーテル(PFPE)液のペリクルとを含む。 - 特許庁
  • A plurality of circuit components 3, 4 are mounted on the dielectric substrate 2, and connected by using many transmission lines 5 different in length which are patterned and formed on the substrate 2.
    誘電体基板2に複数の回路部品3,4を実装するとともに、これらが誘電体基板2にパターン形成された線路長を異にする多数の伝送線路5によって接続されてなる。 - 特許庁
  • When a patterned thin film is formed using a photoresist method; one surface of the thin film 200 before the patterning is treated by a treating solution 300 containing lactate, and then a photoresist mask is formed.
    フォトレジスト法を用いてパターン化された薄膜を形成するに当たり、パターン化前の薄膜200の一面を、乳酸エステルを含有する処理液300で処理し、その後に、フォトレジストマスクを形成する。 - 特許庁
  • To provide a resin composition for producing artificial marble which does not necessitate reinforcement with glass fibers nor reinforcement on the back, is patterned and has a high impact strength.
    ガラス繊維による補強や裏面補強を行なうような必要なく、柄材入りで且つ耐衝撃強度が高い人造大理石を製造することができる人造大理石製造用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
  • After a thin film layer 14 having a predetermined shape is deposited on the ceramic layer 12 by using a focused ion beam system, the ceramic layer 12 is patterned by etching using the thin film layer 14 as a mask.
    このセラミック層12上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層14を堆積した後、この薄膜層14をマスクとして、エッチングによりセラミック層12をパターニングする。 - 特許庁
  • The method for knitting the patterned knitted fabric comprises changing the tension applied to the fed knitting yarn with a tension-changing device 30 during the knitting operation, thus forming the pattern comprising loop length-different portions in the knitted fabric.
    その編成方法は、張力変動装置30により編成中に編糸Yの給糸張力を変動させることによって、ループ長の異なる部分からなる柄を編地に形成するものである。 - 特許庁
  • Thus, the tapered shape of the side face (metal etching shape) of the patterned metal wiring 14 is intensified (the slope of the side face becomes gentle), and thereby the thickness of a passivation protective film covering the bent part 16 is increased.
    これにより、パターニングされた金属配線14の側面(メタルエッチング形状)もテーパー形状が強くなる(側面が寝てくる)ため、屈曲部16を覆うパッシベーション保護膜の膜厚が厚くなる。 - 特許庁
  • Then, the Al film is patterned by press working using a die, the contour of the antenna 3 is formed, and the excessive Al film in a part around the antenna 3 is removed, thereby forming the antenna 3.
    その後、金型を用いたプレス加工によりAl膜をパターニングしてアンテナ3の輪郭を形成した後、アンテナ3の周囲となる部分の余分なAl膜を除去することによってアンテナ3を形成する。 - 特許庁
  • The etching-stop film is patterned along the hard mask pattern, the exposed first interlayer insulating film and the contact plugs are etched to form trenches on the first interlayer insulating film on the contact plugs.
    ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第1の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第1の層間絶縁膜にトレンチを形成する。 - 特許庁
  • Manufacture of the semiconductor device is preferable to include an etching process for etching the pad by using a fluorine based etchant, and has the roughning of the pad surface performed before it is patterned to a bonding shape.
    また、かかる半導体素子の製造において、該パッドをフッ素系エッチング剤を用いてエッチングする工程を含むこと、該パッド表面の粗面化をボンディング形状にパターン化する前に行なうことが好ましい。 - 特許庁
  • To provide a laser scribing device determining whether a laminated film of a solar cell substrate has been patterned to a predetermined pattern even in a production line with a reliable and simple structure.
    太陽電池基板の積層膜を所定パターンにパターニングできたかどうかを、ライン工程においても確実かつ簡単な構造で判定することができる、レーザースクライブ装置を提供することにある。 - 特許庁
  • To provide a color filter for a transflective color liquid crystal display device, of which the film thickness is reduced and which is finely patterned and which has an adequate light scattering function.
    本発明は、薄膜化および微細なパターニングが可能であり、かつ充分な光散乱機能を有する半透過型カラー液晶表示装置用カラーフィルタを提供することを主目的とするものである。 - 特許庁
  • To provide a method for forming minute projections of uniform height on a flexible substrate, the minute projections capable of being used for spacers for a liquid crystal display or the like and capable of being accurately patterned.
    液晶表示用スペーサーなどに用いることが可能で、精度よくパターニングでき、高さが均一に揃った微小突起物を可撓性基材上に形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a good showing transparent conductive film with a patterned transparent conductive layer, for suppressing a dissimilarity between a pattern portion and a pattern opening portion, and to provide a touch panel using the same.
    透明導電層がパターン化された透明導電性フィルムにおいて、パターン部とパターン開口部との相違が抑制され、見栄えの良好な透明導電性フィルムと、これを用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁
  • The patternwise exposed resist film is developed with an alkaline developer and rinsed with pure water and an organic solvent 14 is substituted for the pure water to form a patterned resist film 11A.
    パターン露光されたレジスト膜に対して、アルカリ性現像液による現像、純水によるリンス、及び純水と有機溶剤14との置換を順次行なって、パターン化されたレジスト膜11Aを形成する。 - 特許庁
  • Next, the thin polycrystal silicon film is patterned to form a semiconductor layer, and a gate insulating film is formed to cover the semiconductor layer, then a gate electrode is formed on the gate insulating film.
    次に、多結晶シリコン薄膜をパターニングして半導体層を形成し、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成した後、半導体層のゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する。 - 特許庁
  • The method for knitting the patterned knitted fabric, characterized by changing the tension applied to the fed knitting yarn with a tension-changing device 30 during the knitting operation, thus forming the pattern comprising loop length-different portions in the knitted fabric.
    その編成方法は、張力変動装置30により編成中に給糸張力を変動させることによって、ループ長の異なる部分からなる柄を編地に形成するものである。 - 特許庁
  • The phase shift mask comprises the light-proof film (MoSiON) as a patterned phase shift film, which is heat-treated on a transparent substrate, to form an oxide film on the surface of the light-proof film (MoSiON).
    位相シフトマスクにおいて、透明基板にパターニングした位相シフト膜としての遮光膜(MoSiON)を熱処理して前記遮光膜(MoSiON)の表面に酸化膜を形成させてなる。 - 特許庁
  • A clock information track 13 for generating a clock signal is disposed on the patterned medium 34 and the signal formed by reproducing the clock information track 13 by using a clock reproduction head is used as a standard of a recording current inversion timing.
    パターン媒体34上にクロック信号を発生するためのクロック情報トラック13を配置し、これをクロック再生ヘッドで再生した信号を記録電流反転タイミングの基準として用いる。 - 特許庁
  • The apparatus has a support structure MT for supporting patterning means, a substrate table WT for supporting a substrate, and a projection system PL for projecting a patterned beam onto a target area of the substrate.
    パターニング手段を支持するための支持構造MTと、基板を支持するための基板テーブルWTと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムPLとを有する。 - 特許庁
  • To prevent leak and short circuit of a high polymer electroluminescent element caused by scratch and adhesion of dust on the surface of a high polymer light emitting layer, a pinhole, and a clearance between patterned pixels in a process for manufacturing the element.
    高分子エレクトロルミネッセンス素子製造工程における高分子発光層表面の傷やゴミ付着、また、ピンホールやパターニング画素間の隙間を原因とする、素子のリークや短絡を防止する。 - 特許庁
  • To provide a patterned medium (magnetic recording medium) for recording information without affecting existing recorded information, and provide a manufacturing method thereof.
    既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができるパターンドメディア(磁気記録媒体)と、そのような磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法とを提供する。 - 特許庁
  • A seed layer 108 and a recording layer 109 are formed on a bottom surface and a side wall of a groove part formed between non-magnetic projection structures 104 which are artificially patterned and a recording layer on a projection part is removed.
    人工的にパターニングされた非磁性凸構造104間に形成される溝部の底面及び側壁にシード層108と記録層109とを形成し、凸部上の記録層を除去する。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, METHOD FOR FORMING PATTERNED THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING MICRODEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM MAGNETIC HEAD,
    レジストパターン形成方法、パターン化薄膜形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法 - 特許庁
  • In addition, a catalyst-applied body 5 consisting of a catalytic component applied on an inorganic fiber fabric or a reticular body, is disposed on the bottom force 2 and then is molded to the wavy-patterned shape by the rotation of the roll mold 1.
    (2) 前記多孔体層が、アクリルゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム、ナイロン、ポリプロピレン、珪素樹脂、フッ素樹脂およびフェノール樹脂の少なくとも一種からなる(1) 記載の耐摩耗性板状触媒の成形装置。 - 特許庁
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